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기판의 지지 및 DC 바이어스를 공급하는 수단, 가스 공급수단, 전자석 파워 및 냉각라인으로 이루어진 챔버 및 상기 챔버를 진공상태로 유지하기 위한 진공수단을 포함하는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 (Closed-field unblanced magnetron sputtering) 장치를 이용하여 고경도 전도성 박막을 제작하는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 비대칭 마그네트론 스퍼터링 장치의 타겟은 전자석 파워에 부착된 흑연 타겟인 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 기판 지지 수단에 음의 DC 바이어스를 인가하여 플라즈마 내의 탄소 이온들이 기판에 용이하게 도달될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 방법은 스퍼터링 가스로는 아르곤(Ar)을 챔버에 제공하는 단계, 초기 진공은 10-6 Torr 로 유지하는 단계, 플라즈마 활성화를 위하여 10-3 Torr의 증착 압력을 형성하는 단계; 기판 지지대에 음의 DC 바이어스를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 탄소박막은 200 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 공정은 상온에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 탄소박막은 5 mΩ·cm 이하의 비저항 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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실리콘 또는 유리기판 상에 폴리이미드 (Kapton), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 또는 폴리에스테르 (PET)로 이루어진 플렉시블 기판을 형성하고 기판을 유기 용매로 세척하여 진공 챔버 내의 기판 지지대 상에 장착하는 단계; 상기 진공 챔버의 초기진공을 10-6 Torr 까지 유지한 후 가스 공급계로부터 아르곤 가스를 공급하는 단계; 상기 진공 챔버 내의 압력이 10-3 Torr로 유지하게 하여 플라즈마를 활성화시키는 단계; 및 플라즈마 내에 존재하는 탄소 이온들이 기판에 용이하게 도달할 수 있도록 음의 DC 바이어스를 기판 지지대에 인가하여 비저항 특성을 나타내는 전도성 탄소박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소박막 제조방법
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제 10항의 방법에 따라 제조된 탄소박막을 전극으로 이용하여 제작된 전계 방출 소자
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제 11항에 있어서, 상기 전계 방출 소자는 TCO or ITO glass/형광체/절연체/전도성 탄소박막 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
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박막 전계 방출 소자를 제조하는 방법에 있어서, TCO 또는 ITO 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명기판 상부에 형광물질(Phosphor layer)을 형성하는 단계; 상기 형광물질 상부에 진공 증착법에 의해 절연층을 형성하는 단계; 및 비대칭 마그네트론 스퍼터링법으로 탄소 박막 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 전계 방출 소자 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 투명전극은 In-O 또는 Sn-O계로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 전계 방출 소자 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 전극은 메탈 쉐도우 마스크 방법을 이용하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 전계 방출 소자 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 절연막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)법을 이용하여 Si3N4 또는 SiO2 를 각각 300 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 전계 방출 소자 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 형광물질의 두께는 600nm로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 전계 방출 소자 제조 방법
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