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그래핀층;상기 그래핀층 상에 선형 프리커서를 이용하여 형성된 중간층; 및 상기 중간층 상에 원자층 증착법에 의하여 형성된 물질층;을 포함하는 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 중간층은 금속을 포함하는 물질로 형성된 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 2항에 있어서,상기 중간층은 금속 산화물로 형성된 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 선형 프리커서는 Diethylzinc, (Be(N(SiMe3)2)2, Co(N(SiEtMe2)2)2, Fe(N(SiMe3)2)2, Ge(NtBu2)2, Ge(NtBuSiMe3)2, Ni(N(SiMe3)2)2 또는 Sn(NtBuSiMe3)2인 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 0
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제 1항에 있어서,상기 물질층은 high-k 물질로 형성된 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 물질층은 Al 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, W 산화물, Ta 산화물, Ru 산화물, Zr 산화물 또는 Zn 산화물로 형성된 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 표면에 선형 프리커서를 이용하여 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 상에 원자층 증착법에 의하여 물질층을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 7항에 있어서,상기 선형 프리커서는 상기 선형 프리커서는 Diethylzinc, (Be(N(SiMe3)2)2, Co(N(SiEtMe2)2)2, Fe(N(SiMe3)2)2, Ge(NtBu2)2, Ge(NtBuSiMe3)2, Ni(N(SiMe3)2)2 또는 Sn(NtBuSiMe3)2인 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 중간층은 금속 또는 금속 산화물로 형성된 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 중간층은 Zn 산화물, Ge 산화물, Ni 산화물, Fe 산화물, Sn 산화물 또는 Be 산화물 중 적어도 하나의 물질로 형성하는 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 중간층은 0
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제 8항에 있어서,상기 물질층은 high-k 물질로 형성하는 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 물질층은 Al 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, W 산화물, Ta 산화물, Ru 산화물, Zr 산화물 또는 Zn 산화물로 형성하는 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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