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고분자 나노무기입자 복합체 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2019023119
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예에 따른 고분자 나노무기입자 복합체는 기판, 상기 기판 상에 제1 음각표면을 갖는 제1 접착제층, 상기 제1 접착제층 상에, 상기 제1 음각표면을 따라 적층된 제1 나노무기입자층, 상기 제1 나노무기입자층 상에, 제1 음각표면의 음각공간을 매우고 일정두께를 가지고 제2 음각표면을 갖는 제2 접착제층 및 상기 제2 접착제층 상에 상기 제2 음각표면을 따라 적층된 제2 나노무기입자층을 포함하고, 제1 나노무기입자층과 제2 나노무기입자층은 수직방향으로 전기적 또는 열적으로 연결된다.
Int. CL B32B 9/04 (2006.01.01) B32B 7/12 (2019.01.01) C09J 133/06 (2006.01.01) C09J 11/06 (2006.01.01) C09J 11/08 (2006.01.01) B32B 9/00 (2006.01.01) H05K 9/00 (2018.01.01) B32B 37/12 (2006.01.01)
CPC B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01) B32B 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020170041715 (2017.03.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1808985-0000 (2017.12.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.31)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태일 대한민국 경기도 평택시 평택로 **, *
2 홍혜린 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김윤철 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0318021-63
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0367701-39
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0534853-33
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2017.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2017.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2017-0019930-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0699642-22
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1150689-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1150723-34
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0837196-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 제1 음각표면을 갖는 제1 접착제층;상기 제1 접착제층 상에, 상기 제1 음각표면을 따라 적층된 제1 나노무기입자층;상기 제1 나노무기입자층 상에, 제1 음각표면의 음각공간을 매우고 일정두께를 가지고 제2 음각표면을 갖는 제2 접착제층; 및 상기 제2 접착제층 상에 상기 제2 음각표면을 따라 적층된 제2 나노무기입자층을 포함하고, 제1 나노무기입자층과 제2 나노무기입자층은 각 층의 일부가 물리적으로 접촉되어 전기적 또는 열적으로 연결된, 고분자 나노무기입자 복합체
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은, 플렉서블 투명 기판인, 고분자 나노무기입자 복합체
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 나노무기입자의 접착제 층 위의 코팅은 상기 접착제 층 표면에 위치하거나 상기 접착제 층 내로 상기 나노무기입자의 전부 또는 일부가 함침됨을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체
4 4
제1항에 있어서,상기 접착제는, 비스페놀A계 아크릴레이트 화합물 및 알콕시실릴계 아크릴레이트 화합물을 포함하는 투명 접착제를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체
5 5
제4항에 있어서,상기 비스페놀A계 아크릴레이트 화합물은 아래 화학식1의 비스페놀 에이 글리세롤레이트(1 글리세롤/페놀) 다이아크릴레이트 (Bisphenol A glycerolate (1 glycerol/phenol) diacrylate)을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체:화학식1
6 6
제4항에 있어서,상기 알콕시실릴계 아크릴레이트 화합물은 아래 화학식2의 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트(3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate)를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체:화학식 2
7 7
제4항에 있어서,상기 접착제는 광개시제를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체
8 8
제7항에 있어서,상기 광개시제는 아래 화학식 3의 2-벤질-2-(디메틸아미노)-4-모르폴리노부티로페논(2-Benzyl-2-(dimethylamino)-4-morpholinobutyrophenone)을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체:화학식 3
9 9
제4항에 있어서,상기 접착제는 폴리(메틸 실세스퀴녹산)(poly(methyl silsesquioxane))을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 접착층의 두께는 각각 상기 제1 및 제2 음각표면의 두께보다 작은, 고분자 나노무기입자 복합체
11 11
제1항에 있어서,상기 나노무기입자는, 그래핀, 금속성 그리드, 탄소나노튜브, 실버나노와이어 및 보론나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체
12 12
제1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 고분자 나노무기입자 복합체를 포함하는 히트싱크
13 13
제1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 고분자 나노무기입자 복합체 다층 박막을 포함하는 전자파 차폐재
14 14
기판을 준비하는 제1 단계;상기 기판 상에 제1 접착제층을 형성하는 제2 단계; 및양각표면에 나노무기입자가 위치된 스탬프를 이용하여, 상기 제1 접착제층의 일면에 제1 음각표면을 형성하고, 상기 제1 음각표면을 따라 나노무기입자층이 적층되는 제3 단계;상기 나노무기입자층이 형성하는 제1 음각표면을 매우면서 일정두께를 가지도록 제2 접착제층을 형성하는 제4 단계; 및양각표면에 나노무기입자가 위치된 스탬프를 이용하여, 상기 제2 접착제층의 일면에 제2 음각표면을 형성하는 제5 단계를 포함하는,제1 나노무기입자층과 상기 제1 나노무기입자층과 이웃한 제2 나노무기입자층은 수직방향으로 전기적 또는 열적으로 연결된, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 접착제는 열경화성 또는 빛경화성 접착제이며,상기 제3 단계시, 열 또는 빛을 조사하여 경화시키는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
16 16
제14항에 있어서,상기 기판은 플렉서블 투명 기판인, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
17 17
제14항에 있어서, 상기 나노무기입자의 접착제 층 위의 코팅은 상기 접착제 층 표면에 위치하거나 상기 접착제 층 내로 상기 나노무기입자의 전부 또는 일부가 함침됨을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
18 18
제14항에 있어서,상기 접착제는, 비스페놀A계 아크릴레이트 화합물 및 알콕시실릴계 아크릴레이트 화합물을 포함하는 투명 접착제를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 비스페놀A계 아크릴레이트 화합물은 아래 화학식1의 비스페놀 에이 글리세롤레이트(1 글리세롤/페놀) 다이아크릴레이트 (Bisphenol A glycerolate (1 glycerol/phenol) diacrylate)을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법:화학식1
20 20
제18항에 있어서,상기 알콕시실릴계 아크릴레이트 화합물은 아래 화학식 2의 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트(3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate)를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법:화학식 2
21 21
제18항에 있어서,상기 접착제는 광개시제를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
22 22
제21항에 있어서,상기 광개시제는 아래 화학식 3의 2-벤질-2-(디메틸아미노)-4-모르폴리노부티로페논(2-Benzyl-2-(dimethylamino)-4-morpholinobutyrophenone)을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법:화학식 3
23 23
제18항에 있어서,상기 접착제는 폴리(메틸 실세스퀴녹산)(poly(methyl silsesquioxane))을 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
24 24
제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 접착층의 두께는 각각 상기 제1 및 제2 음각표면의 두께보다 작은, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
25 25
제14항에 있어서,상기 나노무기입자는, 그래핀, 금속성 그리드, 탄소나노튜브, 실버나노와이어 및 보론나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는, 고분자 나노무기입자 복합체의 제조방법
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1 WO2018182353 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 신진연구자지원 뇌에 삽입가능한 다기능 랩온어칩 제조와 이의 응용