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고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015161431
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 기판 상부에 하부전극, 정공수집층, 반도체박막층을 형성하는 유기태양전지 제조공정에 있어서, 해당 단계에서 형성되는 각 층의 상부로 이온빔을 조사하는 이온빔조사단계를 더 포함하는 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법에 관한 것이다. 상술한 바와 같이, 본 발명인 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법은 각 층 상부에 이온빔을 조사함에 따라 전자의 이동성이 증가하여 유기태양전지의 효율성을 증대시킬 수 있다. 또한, 각 층 상부에 이온빔을 조사함으로써, 각 층간의 접착력을 강화시킬 수 있다. 유기태양전지, 이온빔, 질소이온, 수소이온, F3HT, F8BT, 유기반도체박막
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01)
출원번호/일자 1020080076539 (2008.08.05)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0993643-0000 (2010.11.04)
공개번호/일자 10-2010-0016892 (2010.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20101110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구 북구
2 이승수 대한민국 경상북도 구미시
3 김화정 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0562608-54
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0600844-38
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0056049-56
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0225150-33
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0225128-38
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0340981-13
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.10.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0041524-30
8 등록결정서
Decision to grant
2010.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0472668-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상부면에 하부전극을 형성하는 하부전극형성단계와; 상기 하부전극 상부에 위치하며, 정공의 이동을 돕는 정공수집층을 형성하는 정공수집층형성단계와; 상기 정공수집층 상부에 위치하며, 자유전자와 정공을 분리하는 반도체박막층을 형성하는 반도체박막층형성단계 및 상기 반도체박막층 상부에 위치하는 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계를 포함하여 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법에 있어서, 상기 하부전극형성단계, 정공수집층형성단계, 반도체박막층형성단계 및 상부전극형성단계 중 적어도 하나의 단계 이후에, 해당단계에서 형성되는 하부전극과, 정공수집층 및 반도체박막층 중 적어도 하나의 층 상부면으로 이온빔을 조사하되, 상기 정공수집층의 상부면으로 질소이온빔 또는 수소이온빔을 조사하거나, 상기 반도체박막층의 상부면으로 질소이온빔을 조사하는 이온빔조사단계를 더 포함하며, 상기 반도체박막층형성단계는 poly(3-hexylthiophene)(P3HT): PCBM(Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester)으로 이루어진 벌크 헤테로 정션(bulk hetero junction) 구조를 갖는 반도체박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 이온빔조사단계는 수소, 질소, 산소, 불소 이온 중 적어도 하나를 이온빔으로 하여, 상기 정공수집층의 상부면으로 수소 이온빔을 1x1016 (ions/cm2)의 농도로 조사하고, 상기 반도체박막층의 상부면으로 질소 이온빔을 1x1016, 5x1016, 1x1017, 5x1017 (ions/cm2)의 농도로 조사하는 것을 특징으로 하는 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 정공수집층형성단계는 P3HT poly(3-hexylthiophene)와 PEDOT:PSS[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)]를 사용하여 정공수집층을 형성함을 특징으로 하는 고분자와 고분자 또는 고분자와 단분자로 이루어지는 유기태양전지 제조방법
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5 5
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