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기판상에 형성되는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 형성되는 정공수집층;
상기 정공수집층 상에 형성되는 적어도 하나의 층으로 이루어진 반도체박막층;
상기 반도체박막층 상에 형성되는 전자수집층;
상기 전자 수집층 상에 형성되는 상부 전극으로 이루어진 유기태양전지에 있어서,
상기 반도체박막층이 용해도가 서로 다른 전자받게형 유기 반도체를 포함하고,
상기 전자받게형 유기 반도체는 적어도 두 가지를 포함하며,
상기 전자받게형 유기반도체는 P3HT:PCBM:CS-1 또는 P3HT:PCBM:CS-1:CS-2 인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 P3HT:PCBM:CS-1 는 1 : 0
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제 1 항에 있어서, 상기 P3HT:PCBM:CS-1:CS-2 는 1 : 0
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제 1 항에 있어서, 상기 CS-1은 유기용매에서의 용해도가 PCBM보다 30% 이하인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 CS-2은 유기용매에서의 용해도가 PCBM보다 50% 이하인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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8
제 1 항에 있어서, 상기 CS-2은 700 ~ 800nm의 근적외선 영역에서 빛을 흡수하여 전자를 전달하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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9
기판상에 하부 전극을 형성하는 단계;
상기 하부 전극 상에 정공수집층을 형성하는 단계;
상기 정공수집층 상에 적어도 하나의 층으로 이루어진 반도체박막층을 형성하는 단계;
상기 반도체박막층 상에 전자수집층을 형성하는 단계;
상기 전자 수집층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기태양전지의 제조방법에 있어서,
상기 반도체박막층이 용해도가 서로 다른 전자받게형 유기 반도체를 포함하고,
상기 전자받게형 유기 반도체는 적어도 두 가지를 포함하며
상기 전자받게형 유기반도체는 P3HT:PCBM:CS-1 또는 P3HT:PCBM:CS-1:CS-2 인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 P3HT:PCBM:CS-1 는 1 : 0
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제 9 항에 있어서, 상기 P3HT:PCBM:CS-1:CS-2 는 1 : 0
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제 9 항에 있어서, 상기 CS-1은 유기용매에서의 용해도가 PCBM보다 30% 이하인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 CS-2은 유기용매에서의 용해도가 PCBM보다 50% 이하인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 CS-2은 700 ~ 800nm의 근적외선 영역에서 빛을 흡수하여 전자를 전달하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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