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다음 단계를 포함하는, SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법:(a) 하부실리콘층, 매몰산화층 및 상부실리콘층을 포함하는 SOI기판을 형성하는 단계; (b) 상기 SOI기판 상부에 한 쌍의 벽체를 형성하는 단계;(c) 상기 한 쌍의 벽체를 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 상기 SOI기판 상부에 형성하는 단계; 및(d) 상기 SOI기판 하부에 게이트 전극을 형성하는 단계
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제1항에 있어서, 상기 매몰산화층은 10nm~1000nm 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 상부실리콘층은 500nm 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 SOI기판 형성은 시목스(separation by implanted oxygen, SIMOX)방법, 비이에스오아이(bond and etch vack SOI, BESOI) 방법, 유니본드(unibond)방법, 엘트란(epitaxial layer transfer, ELTRAN)방법 및 산화막이 성장된 실리콘 기판 위에 다결정 또는 비정질 상태로 실리콘을 증착한 다음, 레이저 또는 열처리 방법을 이용하여 SOI 구조를 형성하는 방법으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 한 쌍의 벽체 형성은 상기 SOI기판 상부에 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 포토레지스터, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 감광성 유리막(photosensitive glass film) 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 증착한 다음, 포토리소그래피 또는 식각을 통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 소스 전극 및 드레인 전극 형성은 상기 SOI기판 상부에 금속물질을 증착한 다음, 포토리소그래피 또는 식각을 통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 소스 전극 및 드레인 전극 형성은 상기 SOI기판 상부에 금속물질을 탐침하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계의 게이트 전극 형성은 상기 SOI기판 하부에 금속물질을 증착한 다음, 포토리소그래피 또는 식각을 통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계의 게이트 전극 형성은 상기 SOI기판 하부에 금속물질을 탐침하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속물질은 4
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제10항에 있어서, 상기 금속물질은 구리, 크롬, 텅스텐, 은, 철, 레늄, 몰리브덴, 루테늄, 안티모니, 주석 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 SOI기판을 이용한 pH센서의 제작방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의해 제작되고, 하부실리콘층, 매몰산화층 및 상부실리콘층이 순차적으로 형성된 SOI기판; 상기 SOI기판 상부에 형성된 한쌍의 벽체; 상기 SOI기판 상부에 한 쌍의 벽체를 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 SOI기판 하부에 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 pH센서
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제12항에 있어서, 상기 매몰산화층은 10nm~1000nm 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 pH센서
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제12항에 있어서, 상기 상부실리콘층은 500nm 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 pH센서
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