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다음 단계를 포함하는, 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법:(a) 기판상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되지 않은 기판의 부분을 식각하여 리세스드 채널을 형성하는 단계;(c) 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 리세스드 채널이 형성된 기판에 친수성 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 친수성 게이트 절연층에 소수성 포토레지스트를 도포하고, 노광한 다음 현상하여 게이트 영역을 형성하는 단계
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계는 기판상에 도핑된 전도성 물질을 증착시킨 다음, 600℃~1050℃로 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 전도성 물질 일부를 식각하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제2항에 있어서, 상기 증착은 화학기상증착법(CVD), 원자층 증착법(atomic layer deposition), 스퍼터링법(sputterring), 레이저어블레이션법(laser ablation), 전기방전법(arc-discharge), 플라즈마증착법, 열화학 기상증착법 및 전자빔 기상증착법으로 구성된 군에서 선택되는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제2항에 있어서, 상기 전도성 물질은 실리콘, 게르마늄, 알루미나 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 게르마늄, 유리, 금속, 플라스틱, 산화물 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 친수성 게이트 절연층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, Ta2O5, Y2O5, HfSiOx, ZrSiOx, La2O3 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 식각은 건식식각 방법 또는 습식식각 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 네거티브 타입의 포토레지스트 또는 이미지 역전이 가능한 포지티브 타입의 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계는 친수성 게이트 절연층을 형성시킨 다음, 친수성 게이트 전극을 증착시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제9항에 있어서, 상기 친수성 게이트 전극은 Al, Pt, Ti, TiN, TaN, Pd, Au, Ag, Cr, TiSi2, W, WNx, Ru, NiSi, WN, Ni, Ir 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계는 친수성 게이트 절연층에 게이트 영역을 형성시킨 후에 수소 분위기에서 300℃ ~ 500℃로 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서의 제작방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제작방법에 의해 제작되고, 기판; 상기 기판 양측에 형성되고, 기판과 반대 극성으로 각각 도핑된 소스 전극와 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하고, 기판상에 형성된 친수성 게이트 절연층을 구비하되, 상기 친수성 게이트 절연층 양측에 소수성 포토레지스트 벽체를 형성하여 친수성 게이트 절연층에 생체 분자를 고정시키는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서
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제12항에 있어서, 상기 생체 분자는 신경조직 세포, 상피조직 세포, 근육조직 세포, 결합조직 세포, 감각기관 세포 및 이들의 세포로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서
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제12항에 있어서, 상기 친수성 게이트 절연층에 친수성 게이트 전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서
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