1 |
1
기판 상에 마이크로 패턴된 새도우 마스크를 배치하는 단계(단계 1);상기 새도우 마스크가 배치된 기판에 탄소나노튜브 페이스트를 도포하는 단계(단계 2);상기 도포된 탄소나노튜브 페이스트를 고형화하는 단계(단계 3);상기 새도우 마스크를 기판으로부터 분리하는 단계(단계 4); 및상기 고형화된 탄소나노튜브 페이스트에 플라즈마 처리하는 단계(단계 5)를 포함하는,다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 새도우 마스크의 마이크로 패턴은 직경 10 ㎛ 내지 800 ㎛의 복수의 구멍을 가지고, 상기 구멍과 구멍 사이의 간격은 10 ㎛ 내지 800 ㎛인 것을 특징으로 하는, 다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 다중벽탄소나노튜브 또는 단일벽탄소나노튜브 인 것을 특징으로 하는, 다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 표면이 소수성이거나, 또는 수산기, 카르복시기 또는 황산기의 친수성 기능기로 개질된 것을 특징으로 하는,다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 주사슬에 콘주게이트(conjugate) 구조를 가지고 있는 전기 전도성 폴리머, 또는 술폰기를 갖는 불소화 술폰산 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는,다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 물, 에틸알콜, 이소프로필알콜 또는 이의 혼합물을 용매로 포함하는 것을 특징으로 하는,다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 단계 3의 고형화 단계는, 상기 탄소나노튜브 페이스트에 열을 가하여 용매를 휘발시켜 제거하는 것을 특징으로 하는, 다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 단계 5의 플라즈마 처리 단계는, 상기 고형화된 탄소나노튜브 페이스트의 폴리머를 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는,다공성 3차원 미세전극 구조물의 제조방법
|
9 |
9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 다공성 3차원 미세전극 구조물
|