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연속도통영역에서 직류를 원하는 직류 레벨로 변환하는 절연형 공진형 컨버터에 있어서,직류 전원측의 양극 단자에 일단이 연결되고, 상기 직류 전원측의 음극 단자에 타단이 연결되어 정격부하 이하의 경부하 또는 무부하를 위한 출력 전압 인가에 사용되는 스위칭 주파수에서는 단독으로 동작하고, 상기 정격부하 이하의 경부하 또는 무부하를 위한 출력 전압 인가에 사용되는 스위칭 주파수 이하의 주파수에서는 출력 전압의 리플값을 줄이도록 동작하는 제1 스위치 레그; 및상기 직류 전원측의 양극 단자에 일단이 연결되고, 상기 직류 전원측의 음극 단자에 타단이 연결되어 정격부하를 위한 스위칭 주파수 또는 상기 제1 스위치 레그가 담당하는 경부하 또는 무부하를 위한 출력 전압 인가에 사용되는 스위칭 주파수 이하의 주파수에서 동작하는 하나 이상의 제2 스위치 레그;를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 스위치 레그는 두 개의 스위칭 부가 직렬로 연결되어 구성되며,상기 스위칭 부는전력용 반도체 스위칭 소자;상기 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유입 단자에 캐소드가 연결되고 상기 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 애노드가 연결되는 다이오드;상기 다이오드에 병렬로 연결되는 스너버 캐패시터; 및상기 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자에 스위칭 신호를 인가하는 게이트 드라이브 회로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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제2항에 있어서,상기 제1 스위치 레그의 급격한 전압 증가를 방지하기 위한 스너버 회로의 캐패시터의 값은 상기 제2 스위치 레그의 스너버 회로의 캐패시터 값보다 작은 값을 가지도록 설계되어,상기 제1 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 영전압 센싱이 상기 제2 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 영전압 센싱보다 더 빠르게 센싱되는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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제2항에 있어서,상기 게이트 드라이브 회로는 제1 전력용 반도체 스위칭 소자, 제2 전력용 반도체 스위칭 소자, 제1 내지 제3 다이오드, 제1 내지 제8 저항 및 캐패시터를 포함하여 구성되고,상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한단자에 인가되는 전류의 충전 패스와 방전 패스를 구분하기 위하여,상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자로 게이트 구동신호가 입력되며, 상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자로는 상기 제6 저항의 일단이 연결되고,상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자는 상기 캐패시터의 일단, 상기 제4 저항의 일단, 상기 제2 저항의 일단 및 상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 연결되고,상기 캐패시터의 타단은 상기 제1 저항의 일단, 상기 제5 저항 일단, 상기 제1 다이오드의 캐소드 및 상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자에 연결되며,상기 제1 저항의 타단은 상기 제2 저항의 일단에 연결되며,상기 제1 다이오드의 애노드는 제3 저항의 일단에 연결되고, 제3 저항의 타단은 제1 저항의 타단에 연결되며,상기 제5 저항의 타단은 상기 제2 다이오드의 애노드에 연결되고, 상기 제2 다이오드의 캐소드는 상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유입 단자에 연결되며,상기 제6 저항의 타단은 상기 제3 다이오드의 애노드에 연결되고, 상기 제3 다이오드의 캐소드는 상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자, 상기 제7 저항의 일단, 상기 제2 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 연결되며,상기 제7 저항의 타단은 상기 제4 저항의 타단, 상기 제2 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자에 연결되며,상기 제2 전류용 반도체 소자의 전류 유출 단자는 상기 제8 저항의 일단과 연결되며, 상기 제8 저항의 타단은 상기 제2 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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5 |
5
제2항 또는 제4항에 있어서,상기 전력용 반도체 스위칭 소자는 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 모스펫 또는 바이폴라 접합 트랜지스터 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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6 |
6
제4항에 있어서,상기 게이트 드라이브 회로의 데드타임을 조절하기 위하여 상기 게이트 드라이브 회로의 제1 캐패시터의 값과 제1 저항의 값을 조절하는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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7 |
7
제4항에 있어서,상기 제1 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 제1 캐패시터의 값은 상기 제2 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 제1 캐패시터의 값보다 작으며, 상기 제1 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 제1 저항의 값은 상기 제2 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 제1 저항의 값보다 작은 값을 가지도록 설계되어,상기 제1 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 전력용 반도체 스위칭 소자의 동작 주파수 범위가 상기 제2 스위치 레그의 게이트 드라이브 회로의 전력용 반도체 스위칭 소자의 동작 주파수 범위보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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8
연속도통영역에서 직류를 원하는 직류 레벨로 변환하는 절연형 공진형 컨버터에 사용되는 게이트 드라이브 회로로서,상기 게이트 드라이브 회로는 제1 전력용 반도체 스위칭 소자, 제2 전력용 반도체 스위칭 소자, 제1 내지 제3 다이오드, 제1 내지 제8 저항 및 캐패시터를 포함하여 구성되고,상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자에 인가되는 전류의 충전 패스와 방전 패스를 구분하기 위하여,상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자로 게이트 구동신호가 입력되며, 상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자로는 상기 제6 저항의 일단이 연결되고,상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자는 상기 캐패시터의 일단, 상기 제4 저항의 일단, 상기 제2 저항의 일단 및 상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 연결되고,상기 캐패시터의 타단은 상기 제1 저항의 일단, 상기 제5 저항 일단, 상기 제1 다이오드의 캐소드 및 상기 제1 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자에 연결되며,상기 제1 저항의 타단은 상기 제2 저항의 일단에 연결되며,상기 제1 다이오드의 애노드는 제3 저항의 일단에 연결되고, 제3 저항의 타단은 제1 저항의 타단에 연결되며,상기 제5 저항의 타단은 상기 제2 다이오드의 애노드에 연결되고, 상기 제2 다이오드의 캐소드는 상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유입 단자에 연결되며,상기 제6 저항의 타단은 상기 제3 다이오드의 애노드에 연결되고, 상기 제3 다이오드의 캐소드는 상기 스위칭 부의 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자, 상기 제7 저항의 일단, 상기 제2 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 연결되며,상기 제7 저항의 타단은 상기 제4 저항의 타단, 상기 제2 전력용 반도체 스위칭 소자의 온/오프 스위칭 제어를 위한 단자에 연결되며,상기 제2 전류용 반도체 소자의 전류 유출 단자는 상기 제8 저항의 일단과 연결되며, 상기 제8 저항의 타단은 상기 제2 전력용 반도체 스위칭 소자의 전류 유출 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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9
제2항에 있어서,상기 게이트 드라이브 회로에 게이트 구동 신호를 인가하는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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10
제9항에 있어서,상기 제어부는 상기 제1 및 제2 스위치 레그의 동작에 필요한 스위칭 주파수를 생성하는 스위칭 주파수 생성부; 및상기 스위칭 주파수 생성부의 온/오프를 안정적으로 제어하기 위한 동작 결정부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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제10항에 있어서,상기 스위칭 주파수 생성부는 전압제어기, 전류제어기, 스위칭 주파수 변조기, 상기 스위칭 주파수 변조기에 인가할 전압을 결정하는 다이오드부, 스위칭 주파수의 위상 천이기 및 앤드(AND) 게이트를 포함하여 구성되고,상기 전압제어기는 출력 직류 전압을 센싱한 값과 목표로 하는 기준전압값과 비교하여 센싱한 값이 기준전압값보다 작으면 그 오차에 비례하는 전압을 출력하고,상기 전류제어기는 출력 진류 전류를 센싱한 값과 목표로 하는 기준전류값을 비교하여 센싱한 값이 기준전류값보다 작으면 그 오차에 비례하는 전압을 출력하며,상기 다이오드부는 상기 전압제어기와 상기 전류제어기에서 내보내는 출력 전압값을 비교하여 보다 낮은 값의 전압값을 상기 스위칭 주파수 변조기에 인가하고,상기 스위칭 주파수 변조부는 상기 다이오드부를 통하여 상기 전압제어기 또는 상기 전류제어기로부터 인가받은 신호의 크기에 비례하여 스위칭 주파수를 내보내며,상기 스위칭 주파수의 위상 천이기는 상기 스위칭 주파수 변조부가 내보내는 스위칭 주파수를 인가받아 상기 제1 및 제2 스위치 레그의 개수에 따라 상기 스위칭 주파수의 위상을 천이시킨 주파수를 생성하고,상기 앤드 게이트는 상기 제1 및 제2 스위치 레그의 개수에 따라 하나 이상으로 구비되고 스위칭 주파수의 위상 천이기가 내보내는 주파수를 각각의 스위치 레그를 담당할 앤드 게이트 별로 일 단자를 통해 입력받는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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제10항에 있어서,상기 동작 결정부는 SR 래치, 비교기 및 오알 게이트를 포함하여 구성되고,상기 비교기는 기 설정된 기준값 대비 출력단측으로부터 센싱되는 값을 비교하여 센싱되는 값이 상기 기 설정된 기준값 보다 큰 경우 하이(High) 출력 신호를 내보내고,상기 오알 게이트는 상기 비교기가 출력한 값을 포함하여 보호회로 관련 신호를 입력받아 상기 SR 래치의 R단자로 출력하여 전원장치 오프 제어를 하고,상기 SR 래치는 R 단자로 입력되는 신호와 S 단자로 인가되는 전원 인가 신호를 사용하여 Q 단자의 출력을 결정하여 이를 상기 스위칭 주파수 생성부로 입력하는 것을 특징으로 하는 공진형 컨버터
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