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아넥신 단백질의 검출을 위한 나노면역센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173100
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 암 바이오마커 단백질(biomarker protein)의 검출 및 정량화를 위한 중량분석법(gravimetry) 기반의 나노면역센서(nanoimmunosensor)에 관한 것이다.상기와 같은 본 발명에 따르면, 폐암(lung adenocarcinomas, AdC)과 전립선암(prostate cancer, PCa)의 바이오마커 단백질인 아넥신 A3(annexin A3, ANXA3)를 비표지 방식(label-free)일 뿐만 아니라 초고감도로 검출할 수 있는 나노면역센서 및 이의 제조방법을 제공함으로써, 종래 기술의 문제점인 복잡하고 시간 및 비용이 많이 소요된다는 점뿐만 아니라 인력도 많이 투입되어야 한다는 점을 해결할 수 있고, 비표지 방식(label-free)이므로 암의 진단을 매우 간편하게 할 수 있으며, 침습(혈액) 및 비침습(소변) 시료의 분석이 모두 가능하기에 그 활용범위가 넓고, 초고감도이므로 암을 초기에 진단할 수 있는 효과가 있으며, 특히 소변 등을 진단시료로 사용할 경우 비침습 진단이 가능하므로 보다 환자친화적인 진단법 개발의 효과를 가진다.
Int. CL G01N 33/68 (2006.01) G01N 33/543 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01) G01N 33/574 (2006.01)
CPC G01N 33/57423(2013.01) G01N 33/57423(2013.01) G01N 33/57423(2013.01) G01N 33/57423(2013.01) G01N 33/57423(2013.01)
출원번호/일자 1020120118084 (2012.10.23)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1513990-0000 (2015.04.15)
공개번호/일자 10-2014-0057695 (2014.05.14) 문서열기
공고번호/일자 (20150422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140190830;
심사청구여부/일자 Y (2012.10.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재준 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김영준 대한민국 충북 충주시 금릉로 **, *
3 모하마드 만부부 라만 방글라데시 충청북도 충주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0864564-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0047855-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0866884-99
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0141170-47
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0241349-35
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0352406-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0449414-27
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0081453-60
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0552571-71
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0552572-16
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0744955-49
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.11.26 수리 (Accepted) 7-1-2014-0044978-18
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1264961-75
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1265032-53
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1265047-37
17 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0034438-82
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번호 청구항
1 1
수정진동자저울(quartz crystal microbalance/nanobalance, QCM/N)에 전착된 전극위에 자기조립분자막(self assembled monolayer, SAM)을 형성한 후, PBS(phosphate buffer saline solution)을 사용하여 1:5의 희석률로 카드뮴설파이드(cadmium sulfide; CdS)로 이루어진 양자점(quantum dots; QDs) 나노프로브(nanoprobe)를 고정한 다음, 상기 CdS QDs 나노프로브가 고정된 곳에 PBS(phosphate buffer saline solution)을 사용하여 1:1000의 희석률로 아넥신 A3(annexin A3, ANXA3)의 항체(anti-ANXA3)를 고정하여 얻어진 anti-ANXA3/QDs/SAM/QCM 전극을 포함하는 암진단용 나노면역센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 수정진동자저울(quartz crystal microbalance/nanobalance, QCM/N)에 전착된 전극은 Au 전극인 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 자기조립분자막(self assembled monolayer, SAM)은 시스타민(cystamine)을 사용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 카드뮴설파이드(cadmium sulfide; CdS)로 이루어진 양자점(quantum dots; QDs) 나노프로브(nanoprobe) 및 아넥신 A3(annexin A3, ANXA3)의 항체(anti-ANXA3)는 아마이드 결합에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 암은 폐암(lung adenocarcinomas, AdC) 또는 전립선암(prostate cancer, PCa)인 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서
8 8
(1) 수정진동자저울(quartz crystal microbalance/nanobalance, QCM/N)에 Au 전극을 전착시키는 단계;(2) 상기 (1)단계에 의해 위에 수정진동자저울(quartz crystal microbalance/nanobalance, QCM/N)에 전착된 Au 전극위에 자기조립분자막(self assembled monolayer, SAM)을 형성시키는 단계;(3) 상기 (2)단계에 의해 형성된 자기조립분자막(self assembled monolayer, SAM) 위에 PBS(phosphate buffer saline solution)를 사용하여 1:5의 희석률로 카드뮴설파이드(cadmium sulfide; CdS)로 이루어진 양자점(quantum dots; QDs) 나노프로브(nanoprobe)를 고정하는 단계;(4) 상기 (3)단계에 의해 CdS QDs 나노프로브가 고정된 곳에 PBS(phosphate buffer saline solution)를 사용하여 1:1000의 희석률로 아넥신 A3(annexin A3, ANXA3)의 항체(anti-ANXA3)를 고정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 (2)단계에서 자기조립분자막(self assembled monolayer, SAM)은 시스타민(cystamine)을 사용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 8 항에 있어서,상기 (3)단계 및 (4)단계에서 카드뮴설파이드(cadmium sulfide; CdS)로 이루어진 양자점(quantum dots; QDs) 나노프로브(nanoprobe) 및 아넥신 A3(annexin A3, ANXA3)의 항체(anti-ANXA3)는 아마이드 결합에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서의 제조방법
13 13
제8항 또는 제9항 또는 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 암은 폐암(lung adenocarcinomas, AdC) 또는 전립선암(prostate cancer, PCa)인 것을 특징으로 하는 암진단용 나노면역센서의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101636011 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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