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흑연 구조의 탄소막을 코팅한 반도체 광촉매 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015119338
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 흑연 구조의 탄소막을 반도체 광촉매 표면에 균일하게 코팅한 물질 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 글루코스를 수열합성법과 열분해법(pyrolysis) 방법을 이용하여 반도체 표면에 두께 1 나노미터 이하의 흑연구조의 탄소막을 균일하게 형성시키면서, 탄소막의 지지체가 되는 반도체 광촉매 본연의 구조와 결정성을 그대로 유지하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해 개발된 탄소막-반도체 복합체 광촉매의 경우 반도체 광촉매에 발생되는 광전자들을 외부 계의 양성자에게 잘 전달할 수 있게 되므로 전자 정공 재결합을 효과적으로 억제할 수 있으며, 물을 분해하여 수소를 발생시키는 광촉매로서 매우 높을 활성을 가지고 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) C01G 23/047 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120078747 (2012.07.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1437557-0000 (2014.08.28)
공개번호/일자 10-2014-0012299 (2014.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정구 대한민국 대전 유성구
2 이동기 대한민국 대전 유성구
3 한규성 대한민국 대전 유성구
4 신원호 대한민국 대전 유성구
5 이정우 대한민국 대전 유성구
6 최정훈 대한민국 대전 유성구
7 최경민 대한민국 대전 유성구
8 이엽 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0577864-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0662355-48
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0106596-31
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0699911-80
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2012.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0716716-27
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0113708-23
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036512-47
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0863835-47
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0125321-70
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0125316-41
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0429476-25
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0692551-18
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0692550-62
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0578822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0525623-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
탄소막을 코팅할 반도체 광촉매를 준비하는 1단계;상기 반도체를 글루코스 수용액에 넣고 열처리하여 상기 반도체의 표면에 겔 형태의 글루코스를 형성하는 2단계;상기 2단계의 결과물인, 표면에 글루코스가 형성된 반도체를 60 내지 70℃의 진공오븐에 넣어 12시간 내지 24시간 건조시켜 상기 글루코스 내부의 잔류 수분을 제거하는 3단계; 및상기 3단계 결과물을 열처리하여 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매를 형성하는 4단계;를 포함하며,상기 반도체 광촉매의 표면에는 서로 이격되어 형성된 복수의 탄소막이 코팅된 것을 특징으로 하는 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 1단계는 전기야금 공정으로 이산화티타늄(TiO2) 나노튜브(Nanotube)를 형성하고, 상기 이산화티타늄 나노튜브를 열처리하여 아나타제(Anatase) 결정구조로 변화시키는 것을 특징으로 하는 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 2단계는 진공오븐에서 160 내지 180℃로 4 내지 5시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 4단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition)장치로 아르곤 분위기에서 650 내지 750℃로 3시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매의 제조방법
5 5
삭제
6 6
아나타제(Anatase) 결정구조의 이산화티타늄(TiO2) 나노튜브로 형성된 나노튜브층; 및상기 이산화티타늄 나노튜브 상에 서로 이격되어 형성된 복수의 탄소막;을 포함하고,상기 탄소막은 글루코스를 수열 합성하고, 60 내지 70℃의 진공오븐에 넣어 12시간 내지 24시간 건조시켜 상기 글루코스 내부의 잔류 수분을 제거한 후에 열처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매
7 7
제 6항에 있어서,상기 탄소막은 흑연구조가 2층 내지 4층으로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소막이 코팅된 반도체 광촉매
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08987164 US 미국 FAMILY
2 US20140021589 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014021589 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8987164 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래과학기술부 한국과학기술원 글로벌프런티어사업 Computation ＆ CKTS
2 미래창조과학부 한국과학기술원 기후변화대응기술개발사업 다중금속 물산화광촉매 개발