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습도감지 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015223581
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 습도감지 전계효과트랜지스터에 관한 것으로서, n형(100) 실리콘 기판(1)에 소자의 전기적 분리를 위해 p형웰(2)을 만들고 p형웰(2) 안에 n채널 MISFET를 제조하여 게아트절연영역에 Si3N4(3)를 증착시켜 Si3N4(3)/Si02막(4)을 형성시키는 단계와, 상기 Si3N4(3)/Si02막(4) 위에 스퍼터로 Ti02막(5)을 증착시키고 리프트-오프 후 열처리 하는 단계, 열처리 후 물분자가 투과할 수 있는 다공질크롬(Cr; 6)과 다공질금(Au; 7)을 다공질 금속층으로 증착하는 단계 및, 게이트의 습도감지영역을 제외한 게이트전극, 소스 및 드레인에 1~2㎛의 2차 Au(8)를 증착하는 단계로 이루어져마이크로 테크놀리지를 이용하여 만든 전계효과트랜지스터 습도센서로서 규격화가 쉽고, 응답속도가 빠르며, 열적으로 안정성이 뛰어나고, 집적화되어 있기 때문에 멀티센서가 용이하여 널리 이용될 수 있는 장점이 있는 습도감지 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법이다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1019960020335 (1996.06.07)
출원인 대한민국경북대학교센서기술연구소
등록번호/일자 10-0225788-0000 (1999.07.22)
공개번호/일자 10-1998-0006497 (1998.03.30) 문서열기
공고번호/일자 (19991015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.06.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성필 대한민국 경상남도 마산시 합포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.06.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0077550-12
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.06.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0077551-68
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.06.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0077552-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0464009-04
5 보정통지서
Request for Amendment		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0464010-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0028808-10
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1999-5078811-55
8 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1999-5078812-01
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5128677-39
10 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1999.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0123845-50
11 의견서
Written Opinion		 1999.04.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-5166911-10
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5166912-55
13 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168786-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n형 실리콘 기판(1)의 상부에 p형웰(2)을 형성하여서 구성된 n채널 MISFET의 게이트 절연영역인 Si3N4(3)/Si02막(4) 위에 습도감지용 물질로서 Ti02막(5)을 증착시키고, Ti02막(5) 상에 물분자가 투과할 수 있는 다공질크롬(porous chromium; 6)과 다공질금(porous gold; 7)을 형성하여서 된 습도감지 전계효과트랜지스터

2 2

n형(100) 실리콘 기판(1)에 소자의 전기적 분리를 위해 p형웰(2)을 만들고 p형웰(2) 안에 n채널 MISFET를 제조하여 게이트절연영역에 Si3N4(3)/Si02막(4)을 형성시키는 단계와, 상기 Si3N4막(3)/Si02막(4) 위에 스퍼터로 Ti02막(5)을 증착시키고 리프트-오프 후 열처리하는 단계, 열처리 후 물분자가 투과할 수 있는 다공질크롬(Cr; 6)과 다공질금(Au; 7)을 다공질금속층으로 증착하는 단계 및, 게이트의 습도감지영역을 제외한 게이트전극, 소스 및 드레인에 1~2㎛의 2차 Au(8)를 증착하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 습도감지 전계효과트랜지스터 제조방법

3 3

제2항에 있어서, Si3N4막(3)/Si02막(4)상에 Ti02막(5)을 500Å~1,000Å 증착시켜 500℃~700℃의 산소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 습도감지 전계효과트랜지스터 제조방법

4 4

제2항에 있어서, Ti02막(5) 상에 Cr(6)을 50Å~150Å 증착하는 것을 특징으로 하는 습도감지 전계효과트랜지스터 제조방법

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제2항에 있어서, 다공질 Cr(6) 상에 다공질 Au(7)을 500Å 이하의 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 습도감지 전계효과트랜지스터 제조방법

6 6

제2항에 있어서, 다공질 Au(7) 상에 다공질 Au(8)를 1~2㎛증착시켜 450℃ ~550℃에서 4~6분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 습도감지 전계효과트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.