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반도체 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015162945
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 반도체 구조는, 소스층, 소스층의 기설정된 제1 영역 상에 배치되며, 제1 높이를 갖는 제2 영역 및 제1 높이보다 높은 제2 높이의 제3 영역을 갖는 장벽층, 장벽층의 제3 영역 상에 배치되는 드레인층, 장벽층의 제2 영역 상에 배치되는 절연층, 절연층 상부의 게이트 전극, 소스층의 기설정된 제4 영역 상에 배치되는 소스 전극 및 드레인층 상부에 배치되는 드레인 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01)
출원번호/일자 1020130075780 (2013.06.28)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1435479-0000 (2014.08.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.28)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 강희성 대한민국 대구광역시 북구
4 김도균 대한민국 대구광역시 남구
5 양충모 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0584554-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0017051-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0249224-60
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0541964-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0541965-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0563716-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자에 있어서, 소스층;상기 소스층의 기설정된 제1 영역 상에 배치되며, 제1 높이를 갖는 제2 영역 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이의 제3 영역을 갖는 장벽층;상기 장벽층의 제3 영역 상에 배치되는 드레인층;상기 장벽층의 제2 영역 상에 배치되는 절연층;상기 절연층 상부의 게이트 전극;상기 소스층의 기설정된 제4 영역 상에 배치되는 소스 전극;상기 드레인층 상부에 배치되는 드레인 전극;을 포함하며, 상기 게이트 전극은 상기 절연층 상부의 기 설정된 영역에만 배치되며, 상기 기 설정된 영역은 상기 장벽층의 제2 영역에 대응되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 소스층과 상기 드레인층은 서로 다른 도전형을 갖는 층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제 2 영역의 장벽층의 두께는 0 초과 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 소스층은 P형 갈륨나이트라이드(P-GaN)층이며,상기 드레인층은 N(+)형 갈륨나이트라이드(N+-GaN)로 형성되며,상기 장벽층은 도핑되지 않은 갈륨나이트라이드(U-GaN) 또는 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 제외한, 상기 소스층의 상부와 상기 장벽층 및 상기 드레인 층의 상부 및 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 장벽층은, 상기 제2 영역이 상기 제4 영역과 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 소스층을 형성하는 단계;상기 소스층의 기설정된 제1 영역 상에 배치되며, 제1 높이를 갖는 제2 영역 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이의 제3 영역을 갖는 장벽층을 형성하는 단계;상기 장벽층의 제3 영역 상에 배치되는 드레인층을 형성하는 단계;상기 장벽층의 제2 영역 상에 배치되는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부의 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 소스층의 기설정된 제4 영역 상에 배치되는 소스 전극을 형성하는 단계;상기 드레인층 상부에 배치되는 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 게이트 전극은 상기 절연층 상부의 기 설정된 영역에만 형성되며, 상기 기 설정된 영역은 상기 장벽층의 제2 영역에 대응되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 소스층과 상기 드레인층은 서로 다른 도전형을 갖는 층인 것을 특징으로 하는 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 제 2 영역의 장벽층의 두께는 0 초과 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 소스층은 P형 갈륨나이트라이드(P-GaN)층이며,상기 드레인층은 N(+)형 갈륨나이트라이드(N+-GaN)로 형성되며,상기 장벽층은 도핑되지 않은 갈륨나이트라이드(U-GaN) 또는 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 인 것을 특징으로 하는 제조 방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 제외한, 상기 소스층의 상부와 상기 장벽층 및 상기 드레인 층의 상부 및 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 장벽층은, 상기 제2 영역이 상기 제4 영역과 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.