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반도체-탄소나노소재 핵-껍질 복합구조체의 양자점을 이용한 광촉매와 그 제조방법(A photocatalyst using quantum of semiconductor-carbon nanomaterials as core-shell composite structure and its manufacturing method)

  • 기술번호 : KST2016010828
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체-탄소나노소재 핵-껍질 복합구조체의 양자점을 이용한 광촉매와 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체-탄소나노소재 핵-껍질 복합구조체의 양자점을 4-아미노페놀을 사용하여 자가 조립하여 이루어진 마이크로 입자를 합성하고 이를 광전지 화학소자의 광촉매로 사용함으로써 광전기 화학반응성과 광전환효율을 우수하게 개선할 수 있는 광촉매와 이를 포함하는 광전지 화학 소자 및 이들을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL B01J 21/18 (2006.01) B01J 31/02 (2006.01) B01J 35/02 (2006.01) B01J 37/00 (2006.01) B01J 23/06 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140162582 (2014.11.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1643895-0000 (2016.07.25)
공개번호/일자 10-2016-0060376 (2016.05.30) 문서열기
공고번호/일자 (20160801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손동익 대한민국 전라북도 완주군
2 박종혁 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 배수강 대한민국 전라북도 완주군
4 김정규 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 장지우 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1120425-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0033817-11
4 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0108303-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0342937-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0342945-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0528268-59
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번호 청구항
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단일 활성층인 반도체-탄소나노소재 핵-껍질 구조의 양자점을 용액으로 제조하는 단계;와 상기 양자점에 4-아미노페놀을 첨가하여 자가 조립에 의해 마이크로입자를 제조하는 단계를 포함하는 광촉매의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 4-아미노페놀을 첨가하기 전에 디메틸포름아미드(DMF)를 첨가하여 탄소나노소재의 카복실산(carboxylic acid)을 활성화(activation)시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매의 제조방법
11 11
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 반도체는 ZnO 또는 TiO2 이고, 탄소나노소재는 그래핀인 것을 특징으로 하는 광촉매의 제조방법
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단일 활성층인 반도체-탄소나노소재 핵-껍질 구조의 양자점을 용액으로 제조하는 단계; 상기 양자점에 4-아미노페놀을 첨가하여 자가 조립에 의해 마이크로입자를 제조하는 단계; 및상기 제조된 마이크로입자를 전극기판에 코팅하는 단계를 포함하는 광전기 화학 소자의 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 4-아미노페놀을 첨가하기 전에 디메틸포름아미드(DMF)를 첨가하여 탄소나노소재의 카복실산(carboxylic acid)을 활성화(activation)시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기 화학 소자의 제조방법
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청구항 12에 있어서, 상기 마이크로입자를 전극기판에 코팅하는 단계에서는 마이크로입자를 바인더와 함께 용액화하여 페이스트 상태로 만들어서 코팅하고 열처리하여 광전기 화학 소자로 제조하는 것을 특징으로 하는 광전기 화학 소자의 제조방법
15 15
청구항 12 내지 청구항 14 중에서 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 반도체는 ZnO 또는 TiO2 이고, 탄소나노소재는 그래핀인 것을 특징으로 하는 광전기 화학 소자의 제조방법
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1 US09821303 US 미국 FAMILY
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1 US2016144348 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9821303 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 창조형융합연구사업 차세대 ICT 기기용 3D 나노구조의 에너지 저장장치 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술연구원 전북분원연구사업 2D나노하이브리드 전자소재