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임플란트의 표면 처리 방법으로서,(1) 티타늄을 포함하는 인공 치근(510)을 광학 플라즈마 처리 장치 내에 배치하는 단계(S110);(2) 상기 광학 플라즈마 처리 장치 내에 산소 기체를 주입하는 단계(S130); 및(3) 상기 산소 기체가 포함된 광학 플라즈마 처리 장치 내에서 상기 인공 치근(510)을 향하여 자외선을 조사하고, 상기 산소 기체로부터 변형된 산소 플라즈마를 이용하여 상기 인공 치근(510)의 표면을 처리하는 단계(S150)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서는,상기 산소 기체가 주입되기 전에 상기 광학 플라즈마 처리 장치가 진공 처리되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서는,상기 조사되는 자외선에 의해 상기 인공 치근(510)의 표면에 잔류하는 탄소 성분이 제거되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제3항에 있어서,상기 탄소 성분은 상기 산소 플라즈마의 라디칼과 결합하여 상기 인공 치근(510)의 표면으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제1항에 있어서,상기 광학 플라즈마 처리 장치는 상기 자외선을 조사하기 위한 복수의 자외선 램프(230)를 포함하고,상기 단계 (3)에서는,상기 복수의 자외선 램프(230)가 서로 다른 2 이상의 방향으로부터 상기 인공 치근(510)을 향해 상기 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서,상기 자외선의 파장은 250 나노미터 이상 260 나노미터 이하인 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서,상기 처리된 인공 치근(510)의 표면에는 티타늄 산화 막이 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서,상기 처리된 인공 치근(510)의 표면은 친수성(hydrophilic) 성질을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 방법
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임플란트의 표면 처리 장치로서,티타늄을 포함하는 인공 치근(510)을 고정시키기 위한 내부 공간을 갖는 거치부(220);상기 거치부(220)의 내부 공간에서 상기 인공 치근(510)을 향하여 자외선을 조사하는 광 조사부(230);산소 기체가 주입되는 유입구(211)가 정의되는 제1 면(215)과, 상기 제1 면(215)에 마주하여 기체/플라즈마를 배출하는 유출구(213)가 정의되는 제2 면(217)을 갖고, 상기 제1 면(215) 및 제2 면(217)의 사이에 상기 광 조사부(230)가 배치되는 하우징부(210)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제9항에 있어서, 상기 하우징부(210)는,상기 유입구(211)를 통해 상기 산소 기체가 주입되기 전에, 상기 유출구(213)를 통해 상기 하우징부(210) 내의 기체를 배출시킨 진공 상태를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제9항에 있어서,상기 광 조사부(230)로부터 조사되는 자외선에 의해 상기 인공 치근(510)의 표면에 잔류하는 탄소 성분이 제거되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제11항에 있어서,상기 탄소 성분은 상기 산소 기체가 플라즈마 상태로 변형된 산소 라디칼과 결합하여 상기 인공 치근(510)의 표면으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제9항에 있어서, 상기 광 조사부(230)는,상기 인공 치근(510)에 대하여 서로 다른 2 이상의 방향으로부터 상기 자외선을 조사하는 복수의 자외선 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제9항에 있어서,상기 자외선의 파장은 250 나노미터 이상 260 나노미터 이하인 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제9항에 있어서,상기 산소 기체의 주입 및 상기 자외선의 조사에 의해 처리된 상기 인공 치근(510)의 표면에는 티타늄 산화 막이 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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제9항에 있어서,상기 산소 기체의 주입 및 상기 자외선의 조사에 의해 처리된 상기 인공 치근(510)의 표면은 친수성(hydrophilic) 성질을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 처리 장치
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