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반도체 메모리 장치(Semiconductor Memory Device)

  • 기술번호 : KST2016014539
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 부하 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 포함하는 2개의 인버터가 상호 교차결합되고, 비트라인에서 상기 각 인버터로의 접근을 허용하는 2개의 엑세스 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 SRAM 셀을 포함하되, 상기 SRAM 셀은 상기 엑세스 트랜지스터와 구동 트랜지스터 사이에 연결되는 전도 트랜지스터를 포함하고, 상기 전도 트랜지스터의 게이트 전극이 열방향 보조라인에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다. 종래 6T SRAM 셀에 비해 더미 읽기 안정성 및 읽기 안전성을 향상시킬 뿐 아니라 열방향 음전압 바이어스 제어의 도움으로 쓰기 능력을 향상시킴으로써, 내장 데이터 저장 소자의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G11C 11/412 (2006.01) G11C 11/418 (2006.01) G11C 8/10 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) G11C 11/419 (2015.01) G11C 11/413 (2006.01)
CPC G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01)
출원번호/일자 1020150014493 (2015.01.29)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0093456 (2016.08.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연배 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 해담 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, **층 *호(역삼동, 송촌빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0101014-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0064094-23
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0089355-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0352134-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0690101-19
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0788823-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0894722-70
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0894713-69
10 등록결정서
Decision to grant
2017.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0076616-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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부하 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 포함하는 2개의 인버터가 상호 교차결합되고, 비트라인에서 상기 각 인버터로의 접근을 허용하는 2개의 엑세스 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 SRAM 셀을 포함하되,상기 SRAM 셀은 상기 엑세스 트랜지스터와 구동 트랜지스터 사이에 연결되는 전도 트랜지스터를 포함하고, 상기 전도 트랜지스터의 게이트 전극이 열방향 보조라인에 의해 제어되며,상기 열방향 보조라인은 읽기 동작에서는 읽기 속도와 읽기 동작에서의 정적 잡음 여유를 고려하여 결정되는 제 1 음전압으로 하강하고, 쓰기 동작에서는 쓰기 여유와 전력소모를 고려하여 결정되는 제 2 음전압으로 하강하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 음전압과 제 2 음전압은 서로 다른 전압값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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14 14
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 경북대학교 지역대학우수과학자 로직 CMOS 호환형 임베디드 2T DRAM 기술개발