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이중 승압 셀 바이어스 기법을 이용한 스태틱 램

  • 기술번호 : KST2015161229
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스태틱 램(SRAM, Static Random Access Memory)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 1-V 이하의 초저전압 동작시 주요 문제가 되는 SRAM 셀의 SNM(static noise margin)과 셀 전류의 크기를 개선하기 위하여 이중 승압 셀 바이어스 기법으로 새롭게 설계된 스태틱 램에 관한 것이다. 본 발명은 이중 승압 셀 바이어스 기법을 이용한 스태틱 램에 있어서, 워드라인, 비트라인, 셀 파워 라인에 연결된 메모리 셀; 입력단으로부터 입력받은 전압을 승압시키는 부스팅 전압 발생 회로; 상기 부스팅 전압 발생 회로에 의해 승압된 제1 레벨 전압으로 상기 워드라인을 구동시키는 로컬 로 디코더; 및 상기 부스팅 전압 발생 회로에 의해 상기 제1 레벨과 다른 레벨로 승압된 제2 레벨 전압으로 상기 셀 파워 라인을 구동시키는 셀 파워 디코더를 포함하고, 상기 부스팅 전압 발생 회로가 읽기 및 쓰기 동작시 상기 메모리 셀의 워드라인과 셀 파워 라인을 서로 다른 레벨로 동시에 승압하는 것을 특징으로 하는 스태틱 램을 제공한다. 본 발명에 의하면, 읽기 및 쓰기 동작시 선택된 SRAM 셀의 워드라인과 풀업 PMOS 트랜지스터의 소스(source)에 연결된 셀 파워 라인을 서로 다른 레벨로 동시에 승압함으로써 SRAM 셀의 SNM과 셀 전류의 크기를 증가시키는 효과를 가진다. 또한, 이중 승압 셀 바이어스 기법에 의해 셀 면적의 증가 없이 충분한 SNM을 확보함과 아울러, 증가된 셀 전류에 의해 동작속도를 개선시키는 효과를 가진다. 나아가, 읽기 및 쓰기 동작시 이중 부스팅 전압 발생 회로에 의해 동시에 부스팅 동작을 수행함으로써 서로 다른 레벨의 전압을 생성함과 아울러, 부스팅 회로의 프리 차지 회로의 동작에 의해 대기상태시의 전력 소모를 줄이는 효과를 가진다. SRAM, 메모리, SNM(static noise margin), 부스팅 회로
Int. CL G11C 11/419 (2015.01.01) G11C 11/418 (2006.01.01) G11C 8/10 (2006.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01)
CPC G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01)
출원번호/일자 1020060032904 (2006.04.11)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0765439-0000 (2007.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연배 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)
2 정영수 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털 *로 **, ****호 (가산동, 에이스한솔타워)(한영국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0251319-89
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0253975-56
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-0014280-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0149213-14
5 의견서
Written Opinion		 2007.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0353649-34
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0353641-70
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0517578-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
이중 승압 셀 바이어스 기법을 이용한 스태틱 램에 있어서, 워드라인, 비트라인, 셀 파워 라인에 연결된 메모리 셀;입력단으로부터 입력받은 전압을 승압시키는 부스팅 전압 발생 회로; 상기 부스팅 전압 발생 회로에 의해 승압된 제1 레벨 전압으로 상기 워드라인을 구동시키는 로컬 로 디코더; 및상기 부스팅 전압 발생 회로에 의해 상기 제1 레벨과 다른 레벨로 승압된 제2 레벨 전압으로 상기 셀 파워 라인을 구동시키는 셀 파워 디코더;를 포함하고, 상기 부스팅 전압 발생 회로는 읽기 및 쓰기 동작시 상기 메모리 셀의 워드라인과 셀 파워 라인을 서로 다른 레벨로 동시에 승압하는 것을 특징으로 하는 스태틱 램
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 셀은 6개의 트랜지스터로 이루어진 6-T 셀로서, 셀의 풀업 트랜지스터의 소스단자가 셀 파워 라인에 연결된 것을 특징으로 하는 스태틱 램
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제2 레벨 전압은 상기 제1 레벨 전압 보다 높은 것을 특징으로 하는 스태틱 램
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제1 레벨 전압은 1
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 부스팅 전압 발생 회로는 직렬로 연결된 2단의 부스팅 회로로 이루어진 이중 부스팅 전압 발생 회로인 것을 특징으로 하는 스태틱 램
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 부스팅 전압 발생 회로는:제 1 부스팅 신호(PB1)를 입력하여 제 1 노드로 전원전압(VDD) 또는 접지전압(Vss)을 출력하는 입력 구동기와;상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 제 2 노드를 부스팅 전압(VPB)으로 펌핑하는 제1단 펌핑 커패시터와;제 1 프리차지 신호(PRE1)가 인에이블 상태일 때 상기 제 2 노드의 전압 레벨에 따라 상기 제 2 노드를 부스팅 전압(VPB)으로 프리차지 시키는 제1단 프리차지 회로와;제 3 프리차지 신호(PRE3)가 인에이블 상태일 때 제 2 부스팅 신호(PB2)에 따라 제 3 노드로 상기 제 2 노드의 부스팅 전압(VPB) 또는 접지전압(Vss)을 출력하는 스위치 회로와;상기 제 3 노드의 전압 레벨에 따라 제 4 노드를 고전압(VPP)으로 펌핑하는 제2단 펌핑 커패시터; 및제 2 프리차지 신호(PRE2)가 인에이블 상태일 때 상기 제 4 노드의 전압 레벨에 따라 상기 제 4 노드를 고전압(VPP)으로 프리차지 시키는 제2단 프리차지 회로;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 스태틱 램
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 프리차지 회로는 읽기 및 쓰기 동작이 완료된 후 상기 제 1 및 제 2 프리차지 신호(PRE1)(PRE2)에 응답하여 프리차지 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 스태틱 램
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 고전압(VPP)은 상기 부스팅 전압(VPB)보다 높은 것을 특징으로 하는 스태틱 램
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 부스팅 전압(VPB)은 1
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.