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금속산화물층을 갖는 나노구조물 가스센서, 나노구조물 가스센서 어레이 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134905
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조물 가스센서는 기판, 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극, 복수의 나노구조물들 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함한다. 상기 복수의 나노구조물들은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) G01N 27/414 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020080103943 (2008.10.23)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1027074-0000 (2011.03.29)
공개번호/일자 10-2010-0044944 (2010.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.23)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 서울 관악구
2 김용협 대한민국 서울특별시 서초구
3 홍성현 대한민국 서울특별시 송파구
4 서성민 대한민국 서울특별시 강남구
5 임재홍 대한민국 서울특별시 관악구
6 김대홍 대한민국 경기도 양주시
7 강태준 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0734878-09
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0123914-84
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2008.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-5056920-43
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0832604-83
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0042030-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0470790-60
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0839203-44
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0839202-09
10 등록결정서
Decision to grant
2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0152823-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 복수의 나노구조물들; 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함하되, 상기 금속산화물층은 나노파티클들 또는 박막을 포함하는 나노구조물 가스센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들 또는 상기 금속산화물층에 인접하여 위치하는 복수의 금속 아일랜드들(islands)을 더 포함하는 나노구조물 가스센서
3 3
제2항에 있어서, 상기 기판 위에 배치되고 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 상기 복수의 나노구조물들, 상기 금속산화물층 및 상기 복수의 금속 아일랜드들 아래에 위치하는 절연층을 더 포함하는 나노구조물 가스센서
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 금(Au)을 포함하는 나노구조물 가스센서
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물층은 산화주석(SnO2)을 포함하는 나노구조물 가스센서
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들은 탄소 나노튜브들을 포함하는 나노구조물 가스센서
9 9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들의 온도는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 양단에 연결되는 전원에 의하여 자체발열 및 제어되는 나노구조물 가스센서
10 10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 둘러싸는 나노구조물 가스센서
11 11
제10항에 있어서, 상기 제2 전극에는 기준 전압이 인가되는 나노구조물 가스센서
12 12
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물층은 가스와 접촉하며, 상기 가스는 상기 금속산화물층과 산화 또는 환원 반응을 일으키고, 상기 산화 또는 상기 환원 반응에 따른 상기 금속산화물층에서의 전하의 포획 또는 탈착을 통하여 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 나노구조물 가스센서
13 13
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물층은 상기 복수의 나노구조물들의 위 또는 아래에 인접하여 위치하는 나노구조물 가스센서
14 14
적어도 하나 이상의 나노구조물 가스센서를 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 기판; 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 복수의 나노구조물들; 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함하되, 상기 금속산화물층은 나노파티클 또는 박막을 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이
15 15
제14항에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 상기 복수의 나노구조물들 또는 상기 금속산화물층에 인접하여 위치하는 복수의 금속 아일랜드들(islands)을 더 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이
16 16
제14항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 둘러싸는 나노구조물 가스센서 어레이
17 17
제16항에 있어서, 상기 제2 전극에는 기준 전압이 인가되는 나노구조물 가스센서 어레이
18 18
제14항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들은 탄소 나노튜브들을 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이
19 19
제14항에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 상기 나노구조물 가스센서에 전원을 공급하는 전원공급부 및 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 측정하는 측정부에 연결되는 나노구조물 가스센서 어레이
20 20
제19항에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 스위치를 통하여 상기 전원공급부 또는 상기 측정부와 선택적으로 연결되는 나노구조물 가스센서 어레이
21 21
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 나노구조물 가스센서 중 각각의 나노구조물 가스센서는 서로 다른 자체 발열 온도를 갖는 나노구조물 가스센서 어레이
22 22
제21항에 있어서, 상기 각각의 나노구조물 가스센서는 상기 서로 다른 자체 발열 온도에 의하여 서로 다른 기체와 반응하며, 상기 측정부는 상기 서로 다른 기체와 반응하는 상기 각각의 나노구조물 가스센서의 전기적 특성을 측정하여 상기 서로 다른 기체를 감지하는 나노구조물 가스센서 어레이
23 23
(a) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판 위에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 복수의 나노구조물들을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 복수의 나노구조물들의 위 또는 아래에 금속산화물층을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 (d) 단계가 상기 (c) 단계 이전 또는 이후에 수행되며, 상기 금속산화물층은 나노파티클 또는 박막을 포함하는 나노구조물 가스센서 제조 방법
24 24
제23항에 있어서, (e) 상기 (c) 단계 이전 또는 이후에 수행되며, 상기 기판 위에 복수의 금속 아일랜드들을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조물 가스센서 제조 방법
25 25
제24항에 있어서, (f) 상기 (b) 단계 이전에 수행되며, 상기 기판 위에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조물 가스센서 제조 방법
26 26
제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 (e) 단계에서 상기 복수의 금속 아일랜드들은 물리적 기상 증착법에 의하여 형성되는 나노구조물 가스센서 제조 방법
27 27
제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 (e) 단계에서 상기 복수의 금속 아일랜드들은 물리적 기상 증착법 및 열처리에 의하여 형성되는 나노구조물 가스센서 제조 방법
28 28
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 금속산화물은 물리적 기상 증착법에 의하여 형성되는 나노구조물 가스센서 제조 방법
29 29
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들 중 적어도 하나의 나노구조물은 탄소 나노튜브들을 구비하는 나노구조물 가스센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.