요약 | 나노구조물 가스센서는 기판, 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극, 복수의 나노구조물들 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함한다. 상기 복수의 나노구조물들은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결한다. |
---|---|
Int. CL | G01N 27/12 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) G01N 27/414 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) |
CPC | G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080103943 (2008.10.23) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1027074-0000 (2011.03.29) |
공개번호/일자 | 10-2010-0044944 (2010.05.03) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20110405) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.10.23) |
심사청구항수 | 27 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박영준 | 대한민국 | 서울 관악구 |
2 | 김용협 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
3 | 홍성현 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
4 | 서성민 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
5 | 임재홍 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
6 | 김대홍 | 대한민국 | 경기도 양주시 |
7 | 강태준 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 남정길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0734878-09 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.11.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0123914-84 |
3 | [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서 [Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document |
2008.11.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-5056920-43 |
4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.12.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0832604-83 |
5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.07.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0042030-11 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0470790-60 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.12.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0839203-44 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0839202-09 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.03.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0152823-43 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판; 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 복수의 나노구조물들; 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함하되, 상기 금속산화물층은 나노파티클들 또는 박막을 포함하는 나노구조물 가스센서 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들 또는 상기 금속산화물층에 인접하여 위치하는 복수의 금속 아일랜드들(islands)을 더 포함하는 나노구조물 가스센서 |
3 |
3 제2항에 있어서, 상기 기판 위에 배치되고 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 상기 복수의 나노구조물들, 상기 금속산화물층 및 상기 복수의 금속 아일랜드들 아래에 위치하는 절연층을 더 포함하는 나노구조물 가스센서 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 금(Au)을 포함하는 나노구조물 가스센서 |
7 |
7 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물층은 산화주석(SnO2)을 포함하는 나노구조물 가스센서 |
8 |
8 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들은 탄소 나노튜브들을 포함하는 나노구조물 가스센서 |
9 |
9 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들의 온도는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 양단에 연결되는 전원에 의하여 자체발열 및 제어되는 나노구조물 가스센서 |
10 |
10 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 둘러싸는 나노구조물 가스센서 |
11 |
11 제10항에 있어서, 상기 제2 전극에는 기준 전압이 인가되는 나노구조물 가스센서 |
12 |
12 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물층은 가스와 접촉하며, 상기 가스는 상기 금속산화물층과 산화 또는 환원 반응을 일으키고, 상기 산화 또는 상기 환원 반응에 따른 상기 금속산화물층에서의 전하의 포획 또는 탈착을 통하여 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 나노구조물 가스센서 |
13 |
13 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물층은 상기 복수의 나노구조물들의 위 또는 아래에 인접하여 위치하는 나노구조물 가스센서 |
14 |
14 적어도 하나 이상의 나노구조물 가스센서를 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 기판; 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 복수의 나노구조물들; 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함하되, 상기 금속산화물층은 나노파티클 또는 박막을 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이 |
15 |
15 제14항에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 상기 복수의 나노구조물들 또는 상기 금속산화물층에 인접하여 위치하는 복수의 금속 아일랜드들(islands)을 더 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이 |
16 |
16 제14항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 둘러싸는 나노구조물 가스센서 어레이 |
17 |
17 제16항에 있어서, 상기 제2 전극에는 기준 전압이 인가되는 나노구조물 가스센서 어레이 |
18 |
18 제14항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들은 탄소 나노튜브들을 포함하는 나노구조물 가스센서 어레이 |
19 |
19 제14항에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 상기 나노구조물 가스센서에 전원을 공급하는 전원공급부 및 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 측정하는 측정부에 연결되는 나노구조물 가스센서 어레이 |
20 |
20 제19항에 있어서, 상기 나노구조물 가스센서는 스위치를 통하여 상기 전원공급부 또는 상기 측정부와 선택적으로 연결되는 나노구조물 가스센서 어레이 |
21 |
21 제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 나노구조물 가스센서 중 각각의 나노구조물 가스센서는 서로 다른 자체 발열 온도를 갖는 나노구조물 가스센서 어레이 |
22 |
22 제21항에 있어서, 상기 각각의 나노구조물 가스센서는 상기 서로 다른 자체 발열 온도에 의하여 서로 다른 기체와 반응하며, 상기 측정부는 상기 서로 다른 기체와 반응하는 상기 각각의 나노구조물 가스센서의 전기적 특성을 측정하여 상기 서로 다른 기체를 감지하는 나노구조물 가스센서 어레이 |
23 |
23 (a) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판 위에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 복수의 나노구조물들을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 복수의 나노구조물들의 위 또는 아래에 금속산화물층을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 (d) 단계가 상기 (c) 단계 이전 또는 이후에 수행되며, 상기 금속산화물층은 나노파티클 또는 박막을 포함하는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
24 |
24 제23항에 있어서, (e) 상기 (c) 단계 이전 또는 이후에 수행되며, 상기 기판 위에 복수의 금속 아일랜드들을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
25 |
25 제24항에 있어서, (f) 상기 (b) 단계 이전에 수행되며, 상기 기판 위에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
26 |
26 제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 (e) 단계에서 상기 복수의 금속 아일랜드들은 물리적 기상 증착법에 의하여 형성되는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
27 |
27 제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 (e) 단계에서 상기 복수의 금속 아일랜드들은 물리적 기상 증착법 및 열처리에 의하여 형성되는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
28 |
28 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 금속산화물은 물리적 기상 증착법에 의하여 형성되는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
29 |
29 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조물들 중 적어도 하나의 나노구조물은 탄소 나노튜브들을 구비하는 나노구조물 가스센서 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1027074-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20081023 출원 번호 : 1020080103943 공고 연월일 : 20110405 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110318 청구범위의 항수 : 27 유별 : G01N 27/12 발명의 명칭 : 금속산화물층을 갖는 나노구조물 가스센서, 나노구조물 가스센서 어레이 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 549,000 원 | 2011년 03월 29일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 634,000 원 | 2014년 03월 20일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 443,800 원 | 2015년 02월 12일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 443,800 원 | 2016년 01월 22일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 788,200 원 | 2017년 02월 24일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 788,200 원 | 2018년 02월 22일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 563,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 862,500 원 | 2020년 03월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0734878-09 |
2 | 보정요구서 | 2008.11.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0123914-84 |
3 | [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서 | 2008.11.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-5056920-43 |
4 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.12.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0832604-83 |
5 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2009.07.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0042030-11 |
7 | 의견제출통지서 | 2010.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0470790-60 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.12.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0839203-44 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0839202-09 |
10 | 등록결정서 | 2011.03.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0152823-43 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345151025 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0078659 |
연구과제명 | 자기 조립을 통한 거시적 규모의 다차원 탄소나노튜브 구조물 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200905~201402 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345075762 |
---|---|
세부과제번호 | R15-2003-032-03001-0 |
연구과제명 | C로봇의기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200709~201008 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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