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자기장을 발생시키는 적어도 하나의 자기장 발생부;상기 자기장에 의하여 자화되는 적어도 하나의 자성체; 및 상기 자기장 발생부의 동작을 제어하는 제어 신호를 생성하는 제어부,를 포함하되,상기 자성체는, 상기 자기장에 의하여 자화됨에 따라 생체 내로 유입된 약물을 포함하는 나노입자(nanoparticle)를 상기 자기장의 영역 내의 환부에 집중시키고,상기 제어부는,상기 자기장 발생부로부터 발생되는 자기장의 유형으로서 자기장의 세기, 주파수, 시간 및 패턴 중 적어도 하나를 제어하고,복수의 자기장 발생부가 포함되는 경우, 상기 복수의 자기장 발생부 각각로부터 발생되는 자기장의 유형을 각기 다르게 제어하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 자기장의 유형을 제어하여 상기 나노입자를 집중시키거나 상기 나노입자에 열을 전도시키는 것인, 나노입자 집중 장치
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제3항에 있어서,상기 제어부는 상기 자기장의 주파수를 100 kHz 내지 300 kHz 중 어느 하나로 제어하고, 상기 자성체는 상기 100 kHz 내지 300 kHz 중 어느 하나의 주파수를 가지는 자기장에 의해 자화 또는 탈자화되어 열을 발생시켜 상기 나노입자에 열을 전도하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 환부에 집중된 나노입자의 수를 측정하기 위한 센서부,를 더 포함하고,상기 제어부는,상기 환부에 집중된 나노입자의 수가 기설정된 기준을 초과하는지 여부에 따라 상기 자기장의 유형을 제1 유형에서 제2 유형으로 변경하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제5항에 있어서,상기 제어부는,상기 나노입자를 집중시키기 위해 상기 자기장의 유형을 제1 유형으로서 30 Hz 이하의 주파수로 제어하고,상기 환부에 집중된 나노입자의 수가 기설정된 기준을 초과하는 것으로 판단되는 경우에는 상기 자기장의 유형을 제2 유형으로서 100 kHz 내지 300 kHz 사이의 주파수로 제어하고,상기 자성체는 상기 제2유형의 주파수를 가지는 자기장에 의해 자화 또는 탈자화되어 열을 발생시켜 상기 나노입자에 열을 전도하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 나노입자를 집중시키기 위해 미리 설정된 제1시간 동안 상기 자기장의 유형을 제1 유형으로서 30 Hz 이하의 주파수로 제어하고,상기 제1시간이 경과한 후 미리 설정된 제2시간 동안 상기 자기장의 유형을 제2 유형으로서 100 kHz 내지 300 kHz 사이의 주파수로 제어하고,상기 자성체는 상기 제2유형의 주파수를 가지는 자기장에 의해 자화 또는 탈자화되어 열을 발생시켜 상기 나노입자에 열을 전도하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 자성체는,상기 자기장 발생부 내에 위치하거나 부착, 삽입 및 이식 중 적어도 하나에 의하여 상기 환부에 위치하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제8항에 있어서,상기 자기장 발생부 내에 위치한 자성체는,자성체 바늘 및 상기 자성체 바늘의 끝에 결합하는 구형 자성체를 포함하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제9항에 있어서,상기 자기장 발생부는,관통홀이 형성된 자기장 코어; 및 상기 자기장 코어에 감긴 코일,을 포함하고, 상기 자성체는 상기 관통홀을 통과하여 위치하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제8항에 있어서,상기 자성체는 구형 자성체인 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 제어부는 미리 설정된 시간 간격 마다 상기 자기장의 주파수를 변경하는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 자기장 발생부는,펄스 전자기장(Pulsed Electro-Magnetic Field, PEMF)을 발생시키는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항에 있어서,상기 자기장 발생부는 제1자기장 발생부, 제2자기장 발생부 및 제3자기장 발생부를 포함하고,상기 제1자기장 발생부, 상기 제2자기장 발생부 및 상기 제3자기장 발생부는 각각 발생시키는 자기장의 영역이 상호 교차하도록 3각으로 배치되는 것인, 나노입자 집중 장치
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제1항의 나노입자 집중 장치를 구동하는 나노입자 집중 장치의 구동 방법을 컴퓨터에서 실행하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터에서 판독 가능한 기록매체
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