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센서 및 그의 제조방법(SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018004505
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고감도로 산 및 물을 동시에 감지 가능한 센서 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 센서는 기판; 및 기판 상에 형성된, 그래핀 및 전도성 고분자를 포함하는 감지전극;을 포함하고, 그래핀은 산화그래핀이 전도성 고분자에 의해 환원되어 형성되되 일부 산화영역을 포함한다.
Int. CL G01N 27/327 (2006.01.01) G01N 33/18 (2006.01.01) G01N 27/416 (2006.01.01)
CPC G01N 27/3277(2013.01) G01N 27/3277(2013.01) G01N 27/3277(2013.01)
출원번호/일자 1020160130767 (2016.10.10)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1850618-0000 (2018.04.13)
공개번호/일자 10-2018-0039449 (2018.04.18) 문서열기
공고번호/일자 (20180419) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양우석 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0979613-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0041411-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0875688-06
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0072464-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0072452-69
7 등록결정서
Decision to grant
2018.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0225372-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및상기 기판 상에 형성된, 그래핀 및 전도성 고분자를 포함하는 감지전극;을 포함하고,상기 그래핀은 산화그래핀이 상기 전도성 고분자에 의해 환원되어 형성되되 일부 산화영역을 포함하는 환원그래핀인 센서
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 감지전극은 산 및 물을 감지하는 것을 특징으로 하는 센서
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 그래핀은 물을 감지하고, 상기 전도성 고분자는 산을 감지하는 것을 특징으로 하는 센서
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 감지전극은 상기 그래핀의 산화영역에서 물을 흡착하여 감지하는 것을 특징으로 하는 센서
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 산화영역은 상기 환원그래핀 전체 영역의 0
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리파라페닐렌 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 센서
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 감지전극은, 물을 감지하면 저항이 증가하고, 산을 감지하면 저항이 감소하는 것을 특징으로 하는 센서
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 감지전극은,상기 기판의 일면에 위치하는 제1감지전극층 및 상기 기판의 타면에 위치하는 제2감지전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 감지전극은 용매, 분산제 및 바인더 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
10 10
기판 상에 산화그래핀 및 전도성 고분자 전구체를 포함하는 프리감지전극층을 형성하는 단계; 및 상기 프리감지전극층의 상기 전도성 고분자 전구체를 전도성 고분자로 중합하면서, 상기 산화그래핀을 상기 전도성 고분자의 중합에 의해 환원시켜 감지전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 제조방법
11 11
기판; 및상기 기판 상에 형성된, 산화영역을 포함하는 환원그래핀을 포함하는 감지전극;을 포함하는 물감지센서
12 12
기판 상에 산화그래핀 및 전도성 고분자를 포함하는 감지전극을 형성하는 단계; 및상기 산화그래핀을 환원시키는 단계;를 포함하되,상기 환원된 산화그래핀은 일부 산화영역을 포함하는 것인 센서 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 솔브레인(주) 에너지수요관리핵심기술개발(에특) 고효율 연속식 산화그래핀 (graphene oxide) 제조공정 개발