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절연체 고분자 물질을 이용한 저전압 구동 유기 메모리 디바이스(Low Voltage Operated Organic Memory Device Using Insulator Polymer)

  • 기술번호 : KST2017007904
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전압 구동 유기 메모리 소자에 관한 것으로서, 게이트 전극, 채널층, 소스 및 드레인 전극, 게이트 절연층을 포함하는 저전압 구동 유기 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 절연층은 PVA(poly(vynyl alchohol))로서, 메모리 소자의 동작 특성에 따라 PVA의 분자량이 선택되는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 용액 공정에 어려움이 없어 저렴하고 경량의 플라스틱 기판에 적용가능하여 또 다른 메모리 시장을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/05 (2015.12.15) H01L 31/0256 (2015.12.15)
CPC H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01)
출원번호/일자 1020150152901 (2015.11.02)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0051804 (2017.05.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구광역시 수성구
2 김화정 대한민국 대구광역시 수성구
3 서주역 대한민국 경상남도 창원시 진해구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 해담 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, **층 *호(역삼동, 송촌빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1061040-24
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1255662-52
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0089529-04
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0103027-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0585892-00
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0999918-06
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1113527-45
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1230993-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1230987-90
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0283302-24
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2017.06.30 수리 (Accepted) 7-8-2017-0015749-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
14 등록결정서
Decision to grant
2019.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0049547-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극, 채널층, 소스 및 드레인 전극, 게이트 절연층을 포함하는 저전압 구동 유기 메모리 소자에 있어서,상기 게이트 절연층은 PVA(poly(vynyl alchohol))로서, 메모리 보존 특성이 고려되는 경우, 상기 PVA의 분자량은 80 ~ 200 kDa의 범위에서 선택되고, 메모리 윈도우 특성이 고려되는 경우, 상기 PVA의 분자량은 1 ~ 50 kDa의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 채널층은 poly(3-hexylthiophene)(P3HT)인 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 채널층 두께에 대한 게이트 절연층의 두께는 3 ~ 5배인 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 PVA의 분자량이 80 ~ 200 kDa의 범위에 속하는 경우 상기 게이트 절연층은 면내 방향(out-of-plane)에 대해 배향 하이드로시기가 형성되는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
7 7
게이트 전극, 채널층, 소스 및 드레인 전극, 게이트 절연층을 포함하는 저전압 구동 유기 메모리 소자에 있어서,상기 게이트 절연층은 유전상수가 3 ~ 6인 고분자 물질로 형성되고, 메모리 보존 특성이 고려되는 경우, 상기 고분자 물질의 분자량은 80 ~ 200 kDa의 범위에서 선택되고, 메모리 윈도우 특성이 고려되는 경우, 상기 고분자 물질의 분자량은 1 ~ 50 kDa의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 7 항에 있어서,상기 채널층은 poly(3-hexylthiophene)(P3HT)인 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
11 11
제 7 항에 있어서,상기 채널층 두께에 대한 게이트 절연층의 두께는 3 ~ 5배인 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
12 12
제 7 항에 있어서,상기 고분자 물질의 분자량이 80 ~ 200 kDa의 범위에 속하는 경우 상기 게이트 절연층은 면내 방향(out-of-plane)에 대해 배향 하이드로시기가 형성되는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 유기 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.