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저마늄 합금 나노 입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015012416
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스상의 저마늄, 실리콘, 틴 화합물의 광분해를 이용하여 나노 입자의 조성을 용이하게 조절할 수 있는 저마늄 합금 나노 입자의 제조방법 및 그에 의한 저마늄 합금 나노 입자에 관한 것으로서, 본 발명의 저마늄 합금 나노 입자의 제조방법은, 하나 이상의 메틸기를 포함하는 저마늄 화합물 가스; 및 하나 이상의 메틸기를 포함하는 실란 화합물 가스, 하나 이상의 메틸기를 포함하는 틴 화합물 가스 또는 이 둘;을 포함하는 원료 가스에 레이져를 조사하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B22F 9/30 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B22F 1/00 (2006.01)
CPC B22F 9/30(2013.01) B22F 9/30(2013.01) B22F 9/30(2013.01) B22F 9/30(2013.01)
출원번호/일자 1020120103389 (2012.09.18)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1424341-0000 (2014.07.22)
공개번호/일자 10-2014-0037434 (2014.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정희 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김창현 대한민국 경북
3 김한성 대한민국 경기 김포시 김포대로 ****
4 명윤 대한민국 서울 서초구
5 조용재 대한민국 경기 의정부시 부용로 **,
6 정찬수 대한민국 경기 광명시
7 임영록 대한민국 서울 강북구
8 장동명 대한민국 서울특별시 성북구
9 백승혁 대한민국 경기 의정부
10 임형순 대한민국 충북 제천시 죽하로 **, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0755403-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0079989-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0000527-72
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0040516-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0040517-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0341326-55
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0552251-76
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.06.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0552252-11
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0436084-06
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0001828-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 메틸기를 포함하는 저마늄 화합물 가스 및 하나 이상의 메틸기를 포함하는 틴 화합물 가스; 또는하나 이상의 메틸기를 포함하는 저마늄 화합물 가스, 하나 이상의 메틸기를 포함하는 실란 화합물 가스 및 하나 이상의 메틸기를 포함하는 틴 화합물 가스;를 포함하는 원료 가스에 레이져를 조사하여 코어 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 코어 나노입자 상에 탄소 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,저마늄 합금을 포함하는 코어; 및 상기 탄소 보호층을 포함하는 쉘;을 포함하는 코어-쉘 구조이고,상기 코어 나노입자의 직경은 5 nm 이상 30 nm 이하이고,상기 탄소 보호층은 2 nm 초과 3 nm 이하인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 저마늄 합금 나노 입자는, 저마늄-틴 합금 및 저마늄-실리콘-틴 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 나노 입자인 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 저마늄 화합물, 실란 화합물 및 틴 화합물은, 각각, 에틸기, 클로린 계열기 및 아이오다이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 작용기를 포함하는 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 저마늄 화합물은 테트라메틸저마늄이고, 상기 실란 화합물은 테트라메틸실란이고, 상기 틴 화합물은 테트라메틸틴인 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 원료 가스의 증기압은 100 torr 이하인 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 레이져의 조사는, 2 Hz 내지 20 Hz로, 1 내지 3 시간 동안 조사하는 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 레이져는, ND-YAG 펄스 레이져, ND-glass 펄스 레이져 또는 루비 레이져인 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 레이져의 파장은 1064 nm, 532 nm 또는 355 nm인 것인, 저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 원료 가스 중의 저마늄 화합물 가스와, 실란 화합물 가스, 틴 화합물 가스 또는 이 둘의 조성비를 조절하여, 상기 저마늄 합금 나노 입자 중 저마늄과, 실란, 틴 또는 이 둘의 조성비를 조절하는 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
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11 11
제1항에 있어서, 상기 저마늄 합금 나노 입자는, 단결정 나노 입자인 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
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13 13
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14 14
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15 15
제1항에 있어서, 상기 탄소 보호층은, 다중층인 것인,저마늄 합금 나노 입자의 제조방법
16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.