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성장 기판의 일부 영역과, 촉매 물질을 포함하는 촉매 블록을 물리적으로 접착시켜 계면을 형성하는 단계; 및탄소 소스 및 성장 억제제를 포함하는 공정 조건에서, 상기 성장 기판과 상기 촉매 블록의 계면에 그래핀 박막을 선택적으로 성장시키는 단계를 포함하고,상기 성장 억제제는 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제1항에 있어서, 상기 촉매 물질은 감마 알루미나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제1항에 있어서, 상기 성장 기판과 상기 촉매 블록을 물리적으로 접착시키는 단계는,피라나 용액을 이용하여 상기 성장 기판 및 상기 촉매 블록을 화학적으로 세정하는 단계; 초음파를 이용하여 상기 성장 기판 및 상기 촉매 블록을 물리적으로 세정하는 단계; 상기 성장 기판 및 상기 촉매 블록을 건조하는 단계; 및상기 성장 기판 및 상기 촉매 블록을 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소 소스에 대한 상기 성장 억제제의 농도는 1/106 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제1항에 있어서, 상기 촉매 블록은, 제1 몸체 및 제2 몸체를 포함하고, 상기 제1 몸체는 상기 제2 몸체로부터 돌출된 형상을 가지며,상기 촉매 블록은, 제1 영역에서 상기 성장 기판과 물리적으로 접착되어 계면을 형성하고, 제2 영역에서 상기 성장 기판과 이격되며, 제3 영역에서 상기 제2 영역에서 보다 작은 간극으로 상기 성장 기판과 이격되는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제6항에 있어서, 상기 제3 영역에서, 상기 촉매 블록과 상기 성장 기판의 간극은 5nm 이상 1mm 이하인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제6항에 있어서, 상기 그래핀 박막은 상기 제1 영역 및 상기 제3 영역에서 선택적으로 합성되며, 상기 제1 영역에서 합성된 그래핀 박막은, 상기 제3 영역에서 합성된 그래핀 박막보다 전도성이 높은 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제8항에 있어서, 상기 제3 영역은 인접하는 제1 영역들 사이에 배치되며, 상기 제3 영역에서 합성된 그래핀 박막은, 상기 제1 영역들에서 형성된 그래핀 박막들 사이에서, 5nm 이하의 유효 채널 폭(effective channel width)을 갖는 퍼콜레이션 채널(percolation channel)을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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제6항에 있어서, 상기 제2 몸체는 상기 제2 영역에 연결되는 관통부를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 합성 방법
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웨이브 가이드를 포함하는 베이스 기판 위에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 패시베이션층의 일부 영역과, 촉매 물질을 포함하는 제1 촉매 블록을 물리적으로 접착시켜 계면을 형성하는 단계; 탄소 소스 및 성장 억제제를 포함하는 공정 조건에서, 상기 패시베이션층과 상기 제1 촉매 블록의 계면에 제1 그래핀 박막을 성장시키는 단계;상기 제1 그래핀 박막으로부터 상기 제1 촉매 블록을 분리하는 단계;상기 제1 그래핀 박막의 일부 영역과, 마스킹 블록을 물리적으로 접착시켜 계면을 형성하는 단계;상기 제1 그래핀 박막의 노출된 상면 위에 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층의 일부 영역과, 촉매 물질을 포함하는 제2 촉매 블록을 물리적으로 접착시켜 계면을 형성하는 단계; 및탄소 소스 및 성장 억제제를 포함하는 공정 조건에서, 상기 유전층과 상기 제2 촉매 블록의 계면에 제2 그래핀 박막을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 성장 억제제는 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전광 모듈레이터의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 패시베이션층 및 상기 유전층은 헥사고날 보론 니트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전광 모듈레이터의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 탄소 소스에 대한 상기 성장 억제제의 농도는 1/106 이상인 것을 특징으로 하는 전광 모듈레이터의 제조 방법
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