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그래핀과 하이브리드화에 의한 다이아몬드의 밴드갭 제어방법

  • 기술번호 : KST2021006259
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드 상에 형성되는 그래핀 길이를 조절하여 다이아몬드의 밴드갭을 제어하는 방법으로서, 다이아몬드 모재를 준비하는 단계 및 고밀도 수소 플라즈마를 이용해 상기 다이아몬드 모재 표면을 일정 두께만큼 그래핀으로 변환시키는 표면처리 단계를 포함하고, 상기 그래핀 길이를 조절하여 다이아몬드의 밴드갭을 3 eV 이하로 제어하는 다이아몬드의 밴드갭 제어 방법이 제공된다.
Int. CL C01B 32/28 (2017.01.01) C01B 32/184 (2017.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01)
CPC C01B 32/28(2013.01) C01B 32/184(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 2219/0894(2013.01)
출원번호/일자 1020190146196 (2019.11.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0058577 (2021.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 서울특별시 성북구
2 주현수 서울특별시 성북구
3 전호정 서울특별시 성북구
4 서현선 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1171180-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0202921-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0083177-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0363930-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0363931-68
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번호 청구항
1 1
다이아몬드 모재를 준비하는 단계; 및고밀도 수소 플라즈마를 이용해 상기 다이아몬드 모재 표면을 일정 두께만큼 그래핀으로 변환시키는 표면처리 단계;를 포함하고,상기 그래핀 길이를 조절하여 다이아몬드의 밴드갭을 3 eV 이하로 제어하는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 표면처리 단계는,수소 플라즈마 처리에 의해 수행되는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 수소 플라즈마 처리는,다이아몬드가 안정한 온도 영역에서 수행되는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
4 4
제 1 항에 있어서,표면처리 단계는,레이저 처리에 의해 수행되는, 다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 레이저 처리는, 진공용기 내 수소가스 분위기에서 수행되는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 다이아몬드 모재는,단결정 또는 다결정인, 다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 길이가 늘어남에 따라 다이아몬드의 밴드갭이 감소하는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 표면처리 단계는,(a)상기 그래핀을 유효 길이 이상으로 성장시키는 단계; 및(b)상기 그래핀을 유효 길이 내로 연마하는 단계;를 포함하는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 유효 길이는 0
10 10
제 8 항에 있어서,상기 연마 단계는,화학적 방법, 기계적 방법 및 플라즈마 에칭 방법 중 어느 하나 이상의 방식으로 수행되는,다이아몬드의 밴드갭 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래원천 광신호제어용 광전자소자