| 1 |
1
(A) 표면에 나노 구조체를 포함하는 기판을 준비하는 단계;(B) 상기 나노 구조체의 표면에 다이아몬드 박막을 배치하는 단계; 및(C) 상기 다이아몬드 박막을 플라즈마 처리하는 단계; 를 포함하고,단계(C)에서, 플라즈마 처리된 다이아몬드 박막은 라만 분석에 의한 sp3 탄소상/sp2 탄소상의 신호감도비율(ID/IG intensity ratio)이 2보다 큰 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,단계(C)에서, 상기 다이아몬드 박막에서 sp2 탄소상의 일부는 식각되어 제거되는 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,단계(C)에서, 상기 다이아몬드 박막에서 sp2 탄소상의 일부는 sp3 탄소상으로 상변화되는 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,단계(C)에서, 플라즈마 처리 시,플라즈마 소스는 수소 가스이고,플라즈마 반응 온도는 700℃ 내지 1300℃이고,플라즈마 반응 시간은 5분 내지 90분인 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,단계(B)는(B-1) 상기 기판 표면에 양전하를 도입하는 단계, 및(B-2) 상기 기판 표면에 음전하를 도입하면서 다이아몬드 입자를 결합시켜 다이아몬드 박막을 형성하는 단계, 및(B-3) 화학기상증착을 통해 다이아몬드 입자에 전도성 불순물을 도핑하는 단계, 를 포함하는 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,단계(B-1)에서,상기 양전하는 폴리(디-메틸디알릴암모늄클로라이드)(PDDA, poly(dially Dimethyl ammonium chloride)), 폴리(스티렌 설포네이트)(PSS, poly(stylene 4-sulfonate)), 폴리(에틸렌이민)(PEI, poly(ethyleneimine)), 폴리 S-119(P-S-119), 폴리아닐린(PA, Polyaniline) 및 나피온(NAFION)로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나 이상으로부터 도입되어 이루어지는 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,단계(B-2)에서,상기 음전하는 폴리(스티렌 설포네이트)(PSS, poly(stylene 4-sulfonate))로부터 도입되어 이루어지는 다이아몬드 전극의 제조 방법
|
| 8 |
8
나노 구조체를 포함하는 기판; 및상기 나노 구조체 표면에 배치되며, 플라즈마 처리된 다이아몬드 박막; 을 포함하고,상기 플라즈마 처리된 다이아몬드 박막은 라만 분석에 의한 sp3 탄소상/sp2 탄소상의 신호감도비율(ID/IG intensity ratio)이 2보다 큰 다이아몬드 전극
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 플라즈마 처리 시,상기 다이아몬드 박막에서 sp2 탄소상의 일부는 식각되어 제거되는 다이아몬드 전극
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 플라즈마 처리 시,상기 다이아몬드 박막에서 sp2 탄소상의 일부는 sp3 탄소상으로 상변화되는 다이아몬드 전극
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,플라즈마 처리 시,플라즈마 소스는 수소 가스이고,플라즈마 반응 온도는 700℃ 내지 1300℃이고,플라즈마 반응 시간은 5분 내지 90분인 다이아몬드 전극
|
