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표면에 NO3-, SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하는, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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2
표면에 H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 비 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하는, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 다공성 구조인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 직경이 0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 촉매결정입자의 금속은 주기율표 상의 3d-block 금속(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn), 4d-block 금속(Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd), 5d-block 금속(La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg) 및 6d-block 금속(Ac, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 그 조합인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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6
표면에 NO3-, SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 또는 표면에 H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 비 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물로 이루어진 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하는 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매;상기 촉매가 담지되는 담지체;상기 담지체가 코팅되는 기판; 및상기 담지체와 기판 사이에 개재되어 코팅 접착력을 증가시키는 바인더;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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7
제 6 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 다공성 구조인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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제 6 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 직경이 0
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제 6 항에 있어서,상기 촉매결정입자의 금속은 주기율표 상의 3d-block 금속(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn), 4d-block 금속(Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd), 5d-block 금속(La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg) 및 6d-block 금속(Ac, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 그 조합인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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10
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 담지체는, 탄소(C), Al2O3, MgO, ZrO2, CeO2, TiO2 및 SiO2 중 어느 하나인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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11
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 담지체 100중량부 대비 상기 촉매 0
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12
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 바인더는 불용성 고분자인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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13
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 전극; 및전해질 수용액;을 포함하는, 전기적 펜톤 반응 시스템
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14
제 13 항에 있어서,상기 전해질 수용액의 pH는 3 내지 10이고, 2W 이하의 전력이 입력되어 전기적 펜톤 반응이 일어나는, 전기적 펜톤 반응 시스템
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제 13 항에 있어서,전기적 펜톤 반응은,(1) H2O2의 불균일 분해반응에 의해 ㆍOH종이 형성되는 단계;(2) 상기 기능화된 SO42-종이 상기 ㆍOH종에 의해 SO4ㆍ-종으로 전환되거나 상기 기능화된 NO3-종이 상기 ㆍOH종에 의해 NO3ㆍ종으로 전환되거나 또는 상기 기능화된 H2PO4-/HPO42-/PO43-종이 상기 ㆍOH종에 의해 H2PO4ㆍ/HPO4ㆍ-/PO42ㆍ- 종으로 전환되는 단계; 및,(3) 상기 NO3ㆍ, SO4ㆍ-, H2PO4ㆍ, HPO4ㆍ- 또는 PO42ㆍ- 종에 의해 난분해성 유기물이 분해되는 단계;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템
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16
d0 오비탈 기반 전이금속 산화물을 제조하는 단계; 및상기 전이금속 산화물에 질산화, 황산화 또는 인산화 처리하여 표면에 NO3-, SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 전이금속 산화물 촉매를 제조하는 단계;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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17
제 16 항에 있어서, 상기 질산화 처리는,NO 및 O2를 포함하는 반응기체에 의해 수행되는,전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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18
제 16 항에 있어서,상기 황산화 처리는,SO2 및 O2를 포함하는 반응기체에 의해 수행되는,전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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19
비 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물을 제조하는 단계; 및상기 전이금속 산화물에 인산화 처리하여 표면에 H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 전이금속 산화물 촉매를 제조하는 단계;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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제 16 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 인산화 처리는,인산화 전구체를 포함하는 반응용액에 의해 수행되는,전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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표면에 NO3-, SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하는, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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22
표면에 SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 비 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하는, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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23
제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 다공성 구조인, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 직경이 0
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제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 촉매결정입자의 금속은 주기율표 상의 3d-block 금속(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn), 4d-block 금속(Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd), 5d-block 금속(La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg) 및 6d-block 금속(Ac, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 그 조합인, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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26
표면에 NO3-, SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 또는 표면에 SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 비 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물로 이루어진 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하는 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매;상기 촉매가 담지되는 담지체;상기 담지체가 코팅되는 지지체; 및상기 담지체와 지지체 사이에 개재되어 코팅 접착력을 증가시키는 바인더;를 포함하는,비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 구조체
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제 26 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 다공성 구조인, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 구조체
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제 26 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 직경이 0
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제 26 항에 있어서,상기 촉매결정입자의 금속은 주기율표 상의 3d-block 금속(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn), 4d-block 금속(Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd), 5d-block 금속(La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg) 및 6d-block 금속(Ac, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 그 조합인, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 구조체
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제 26 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 담지체는, 탄소(C), Al2O3, MgO, ZrO2, CeO2, TiO2 및 SiO2 중 어느 하나인, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 구조체
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제 26 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 담지체 100중량부 대비 상기 촉매 0
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제 26 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 바인더는 불용성 고분자인, 비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 구조체
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제 26 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 따른 촉매 구조체; 과산화수소 공급부; 및전해질 수용액;을 포함하는, 비 전기적 펜톤 반응 시스템
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제 33 항에 있어서,상기 전해질 수용액의 pH는 5 내지 10이고, 상기 과산화수소 공급부에서 10-5mol/L 내지 105 mol/L의 과산화수소가 공급되어 비 전기적 펜톤 반응이 일어나는, 비 전기적 펜톤 반응 시스템
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제 33 항에 있어서,비 전기적 펜톤 반응은,(1) H2O2의 불균일 분해반응에 의해 ·OH종이 형성되는 단계;(2) 상기 기능화된 SO42-종이 상기 ·OH종에 의해 SO4·-종으로 전환되거나 상기 기능화된 NO3-종이 상기 ·OH종에 의해 NO3·종으로 전환되거나 또는 상기 기능화된 H2PO4-/HPO42-/PO43-종이 상기 ·OH종에 의해 H2PO4·/HPO4·-/PO42·-종으로 전환되는 단계; 및(3) 상기 NO3·, SO4·-, H2PO4·, HPO4·-, 또는 PO42·-종에 의해 난분해성 유기물이 분해되는 단계;를 포함하는,비 전기적 펜톤 반응 시스템
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d0 오비탈 기반 전이금속 산화물을 제조하는 단계; 및상기 전이금속 산화물에 질산화, 황산화 또는 인산화 처리하여 표면에 NO3-, SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 전이금속 산화물 촉매를 제조하는 단계;를 포함하는,비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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제 36 항에 있어서, 상기 질산화 처리는,NO 및 O2를 포함하는 반응기체에 의해 수행되는,비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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제 36 항에 있어서,상기 황산화 처리는,SO2 및 O2를 포함하는 반응기체에 의해 수행되는,비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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비 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물을 제조하는 단계; 및상기 전이금속 산화물에 인산화 처리하여 표면에 SO42-, H2PO4-, HPO42-, 또는 PO43- 기능기를 포함하는 전이금속 산화물 촉매를 제조하는 단계;를 포함하는,비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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제 36 항 또는 제 39 항에 있어서,상기 인산화 처리는,인산화 전구체를 포함하는 반응용액에 의해 수행되는,비 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매의 제조방법
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