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복수의 화소행을 포함하는 표시패널에서,상기 표시패널에 포함된 화소들은 각각 초기화 및 보상 단계, 프로그래밍 단계, 및 발광 단계에 따라 구동되는 화소 구동 회로 및 발광소자를 포함하고,상기 화소 구동 회로는 트랜지스터 T1, 트랜지스터 T2, 트랜지스터 T3, 트랜지스터 T4, 및 커패시터 회로를 포함하며,상기 초기화 및 보상 단계는 상기 화소 구동 회로가 가변전원 전압으로 방전되는 초기화 단계; 및상기 트랜지스터 T1의 문턱전압이 추출되는 보상 단계를 포함하고,상기 프로그래밍 단계는상기 화소 구동 회로에 포함된 모든 트랜지스터가 턴-오프되는 데이터 어드레싱 대기 단계; 및상기 트랜지스터 T2가 턴-온되어 데이터 신호를 상기 커패시터 회로에 제공하는 데이터 어드레싱 단계를 포함하고,상기 발광 단계는 상기 트랜지스터 T2가 턴-오프되고 상기 트랜지스터 T1의 게이트에 인가된 구동 전압에 따른 구동 전류가 상기 발광소자에 제공되며,상기 초기화 및 보상 단계, 그리고 발광 단계는 상기 표시패널에 포함된 모든 화소들에 동시에 수행되고,상기 데이터 어드레싱 단계는 상기 표시패널에 포함된 화소행들에 순차적으로 수행되는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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2
제1항에 있어서, 상기 초기화 단계는상기 트랜지스터 T1이 턴-온되고 상기 트랜지스터 T4는 턴-오프되는 제1 초기화 단계; 및 상기 트랜지스터 T1, 상기 트랜지스터 T2, 상기 트랜지스터 T3, 및 상기 트랜지스터 T4가 턴-온되는 제2 초기화 단계를 포함하는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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3
제2항에 있어서,상기 가변전원 전압은 상기 제1 초기화 단계 및 상기 제2 초기화 단계에서 제1 전원전압이고, 상기 보상 단계, 상기 프로그래밍 단계, 및 상기 발광 단계에서 제2 전원전압이며,상기 제1 전원전압은 상기 제2 전원전압보다 낮은, 전계발광 표시패널의 구동방법
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4
제1항에 있어서,상기 트랜지스터 T4는 에미션 신호에 의해 제어되고, 상기 에미션 신호는 상기 초기화 단계 및 발광 단계에서 상기 게이트-온 전압이고 상기 프로그래밍 단계에서 게이트-오프 전압인, 전계발광 표시패널의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터 T2는 스캔 신호에 의해 제어되고,상기 스캔 신호는 상기 초기화 및 보상 단계와 상기 데이터 어드레싱 단계에서 게이트-온 전압이고, 상기 프로그래밍 단계, 상기 데이터 어드레싱 대기 단계, 및 상기 발광 단계에서 게이트-오프 전압인, 전계발광 표시패널의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터 T3은 보상 신호에 의해 제어되고,상기 보상 신호는 상기 초기화 및 보상 단계에서 게이트-온 전압이고 상기 프로그래밍 단계 및 상기 발광 단계에서 게이트-오프 전압인, 전계발광 표시패널의 구동방법
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7
행방향으로 나열된 화소들을 포함하는 화소행, 그리고 상기 화소행을 복수개 포함하는 표시패널에 있어서,상기 화소들은 각각 초기화 및 보상 기간, 프로그래밍 기간, 및 발광 기간에 따라 구동되는 화소 구동 회로 및 발광소자를 포함하며, 상기 화소 구동 회로는 게이트, 소스, 드레인, 및 백게이트를 포함하고, 상기 소스 또는 상기 드레인 및 상기 백게이트는 가변전원 전압이 제공되는 가변전원 배선에 연결된 트랜지스터 T1;상기 트랜지스터 T1의 게이트 및 가변전원 배선에 연결되며 직렬연결된 복수의 커패시터로 구현된 커패시터 회로;스캔 신호에 의해 제어되어 데이터 전압을 인가하는 트랜지스터 T2;보상 신호에 의해 제어되고 상기 트랜지스터 T1의 게이트와 소스 또는 드레인에 연결된 트랜지스터 T3; 및에미션 신호에 의해 제어되고 상기 트랜지스터 T1과 상기 발광소자에 연결된 트랜지스터 T4를 포함하고,상기 표시패널에 포함된 모든 화소행들은 동일 시간에 초기화 및 보상 기간, 그리고 발광 기간을 갖는, 전계발광 표시패널
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8
제7항에 있어서,상기 초기화 및 보상 기간은 초기화 기간 및 보상 기간을 포함하고,상기 초기화 기간에서 상기 스캔 신호 및 상기 보상 신호는 로직 하이 전압으로 상기 트랜지스터 T2 및 상기 트랜지스터 T3가 턴-온되는, 전계발광 표시패널
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9
제8항에 있어서,상기 초기화 기간은 제1 초기화 기간 및 제2 초기화 기간을 포함하고,상기 제1 초기화 기간에서 상기 에미션 신호는 로직 하이 전압으로 상기 트랜지스터 T4는 턴-오프되고, 상기 제2 초기화 기간에서 상기 에미션 신호는 로직 로우 전압으로 상기 트랜지스터 T4는 턴-온되는, 전계발광 표시패널
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10
제7항에 있어서,상기 프로그래밍 기간은 상기 트랜지스터 T2를 통해 상기 화소행에 데이터 전압을 제공하는 데이터 어드레싱 기간을 포함하고,상기 화소행과 다른 화소행에 포함된 트랜지스터 T2는 상기 트랜지스터 T2와 서로 다른 시간에 턴-온되며,상기 프로그래밍 기간에서 상기 보상 신호는 로직 로우 전압으로 상기 트랜지스터 T3은 턴-오프되고,상기 에미션 신호는 로직 하이 전압으로 상기 트랜지스터 T4는 턴-오프되는, 전계발광 표시패널
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11
제7항에 있어서,상기 초기화 및 보상 기간은 초기화 기간 및 보상 기간을 포함하고,상기 보상 기간에서 상기 스캔 신호, 상기 보상 신호, 및 상기 에미션 신호는 로직 로우 전압으로 상기 트랜지스터 T1 및 상기 트랜지스터 T4는 턴-온되고 상기 트랜지스터 T2 및 상기 트랜지스터 T3은 턴-오프되는, 전계발광 표시패널
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12
제7항에 있어서,상기 발광 기간에서 상기 스캔 신호 및 상기 보상 신호는 로직 로우 전압으로 트랜지스터 T2 및 트랜지스터 T3은 턴-오프되고, 상기 에미션 신호는 로직 로우 전압으로 상기 트랜지스터 T4가 턴-온되는, 전계발광 표시패널
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13
제7항에 있어서,상기 표시패널은 상기 스캔 신호를 상기 화소행에 순차적으로 공급하기 위한 시프트 레지스터를 포함하고, 상기 에미션 신호는 모든 화소행에 동일한 파형으로 제공되는, 전계발광 표시패널
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14
제7항에 있어서,상기 커패시터 회로는 상기 트랜지스터 T1의 상기 게이트 및 상기 트랜지스터 T2의 일 전극에 연결된 제1 커패시터; 및상기 트랜지스터 T2의 일 전극 및 상기 가변전원 배선에 연결된 제2 커패시터를 포함하는, 전계발광 표시패널
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15
제7항에 있어서,상기 커패시터 회로는 상기 트랜지스터 T1의 상기 게이트 및 상기 트랜지스터 T2의 일 전극에 연결된 제1 커패시터; 및상기 트랜지스터 T1의 상기 게이트 및 상기 가변전원 배선에 연결된 제2 커패시터를 포함하는, 전계발광 표시패널
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16
초기화 및 보상기간, 프로그래밍 기간, 및 발광 기간에 따라 구동되는 화소 구동 회로 및 발광소자를 포함하고,상기 화소 구동 회로에는 가변전원 전압, 에미션 신호, 보상 신호, 스캔 신호, 및 데이터 신호가 인가되고,상기 초기화 및 보상 기간에서 상기 보상 신호 및 상기 스캔 신호는 게이트-온 전압이고,상기 프로그래밍 기간에서 상기 가변전원 전압은 제2 전원전압이고, 상기 에미션 신호 및 상기 보상 신호는 게이트-오프 전압이며,상기 발광 기간에서 상기 가변전원 전압은 상기 제2 전원전압을 유지하고, 상기 에미션 신호는 게이트-온 신호이고, 상기 보상 신호 및 상기 스캔 신호는 게이트-오프 전압인, 전계발광 표시패널
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제16항에 있어서,상기 초기화 및 보상 기간은 초기화 기간 및 보상 기간을 포함하고,상기 초기화 기간에서 상기 가변전원 전압은 제1 전원전압이고,상기 보상 기간에서 상기 가변전원 전압은 상기 제2 전원전압이며,상기 제2 전원전압은 상기 제1 전원전압보다 높은 전압인, 전계발광 표시패널
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18
제17항에 있어서,상기 초기화 기간은 제1 초기화 기간 및 제2 초기화 기간을 포함하고,상기 제1 초기화 기간에서 상기 에미션 신호는 게이트-오프 전압이고,상기 제2 초기화 기간에서 상기 에미션 신호는 게이트-온 전압인, 전계발광 표시패널
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19
제16항에 있어서,상기 프로그래밍 기간에서 상기 스캔 신호는 게이트-온 전압을 가지고, 상기 스캔 신호의 펄스폭은 1 수평기간 이상 2 수평기간 미만인, 전계발광 표시패널
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20
제16항에 있어서,상기 초기화 및 보상 기간, 그리고 상기 발광 기간에서 상기 데이터 신호는 기준 전압이고,상기 기준 전압은 상기 제2 전원전압보다 낮은, 전계발광 표시패널
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