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서로 병렬 접속되는 복수의 반도체 소자; 및구동 신호를 받아 상기 복수의 반도체 소자 각각을 스위치 온 상태 또는 스위치 오프 상태로 전환하는 구동부를 포함하고,상기 구동부는 상기 복수의 반도체 소자의 스위치 온 상태로의 전환 시기 또는 스위치 오프 상태로의 전환 시기를 다르게 조절하고,스위칭 온 손실이 발생되는 반도체 소자의 수와 스위칭 오프 손실이 발생되는 반도체 소자의 수는 모드 신호에 따라 결정되는 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 모드 신호는 외부로부터 제공되는 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 모드 신호는 상기 복수의 반도체 소자에 인가되는 전류의 크기에 의해 결정되는 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 모드 신호는 상기 복수의 반도체 소자에 인가되는 전류의 크기가 커질수록 상기 스위칭 온 손실이 발생되는 반도체 소자의 수가 증가하도록 설정되는 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 반도체 소자에 인가되는 전류의 크기는 제1전류와, 상기 제1전류보다 큰 제2전류를 포함하고,상기 제1전류가 인가될 경우의 스위칭 온 손실이 발생되는 반도체 소자의 수는 상기 제2전류가 인가될 경우의 스위칭 온 손실이 발생되는 반도체 소자의 수보다 적은 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 모드 신호는 상기 구동부에서 생성되는 반도체 스위치 장치
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제6항에 있어서,상기 구동부는 상기 반도체 소자에 인가되는 전류의 크기를 측정하여 모드 신호를 생성하는 모드 신호 생성부를 포함하고,상기 모드 신호 생성부는 측정된 상기 전류의 크기가 클수록 상기 스위칭 온 손실이 발생되는 반도체 소자의 수가 증가하도록 제어하는 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 반도체 소자는 제1 내지 제4반도체 소자를 포함하고,상기 제1 내지 제4반도체 소자는 상기 구동 신호가 제공되는 전체 구간에서 작동되고,상기 제1 내지 제4반도체 소자 각각은 상기 전체 구간동안 동일한 수의 반도체 스위칭 온 손실 또는 반도체 스위칭 오프 손실이 발생되는 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 반도체 소자는 제1 내지 제4반도체 소자를 포함하고,상기 제1 내지 제4반도체 소자는 상기 구동 신호가 제공되는 전체 구간에서 작동되고,상기 구동 신호는 상기 전체 구간 동안 스위치 온 신호와 스위치 오프 신호를 교대로 반복하여 제공하고,상기 전체 구간은 상기 스위치 온 신호와 상기 스위치 오프 신호를 교대로 반복되는 제1 내지 제4구간을 포함하고,상기 스위칭 온 손실이 발생되는 반도체 소자의 수는 상기 제1 내지 제4구간 각각에서 동일하고,상기 스위칭 오프 손실이 발생되는 반도체 소자의 수는 상기 제1 내지 제4구간 각각에서 동일한 반도체 스위치 장치
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제1항에 있어서,상기 구동부는 상기 인가되는 전류의 크기가 임계 크기를 초과한 경우 상기 복수의 반도체 소자는 동시에 스위치 온 및 스위치 오프 상태로 전환하는 반도체 스위치 장치
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