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폴리이미드;하기 화학식 1로 표시되는 자외선 흡수제; 및여분의 N-메틸-2-피롤리돈을 포함하는 수지 조성물
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2
제1 항에 있어서, 상기 폴리이미드 10 내지 30 중량%, 상기 자외선 흡수제 0
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제1 항에 있어서, 상기 자외선 흡수제는 하기 화학식 2로 표시되는 물질과 하기 화학식 3으로 표시되는 물질을 반응시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 수지 조성물
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제3 항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 물질은 티누빈 327(Tinuvin 327)이고, 상기 R1, R2는 각각 터트-부틸기(tert-butyl)인 것을 특징으로 하는 수지 조성물
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제1 항에 있어서, 상기 지방족 치환기는 알킬기 또는 에테르계 치환기인 것을 특징으로 하는 수지 조성물
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6
제1 항에 있어서, 상기 방향족 치환기는 페닐기, 피리디닐기, 또는 쿠메닐기인 것을 특징으로 하는 수지 조성물
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7
베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 기판; 및상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 트랜지스터 기판과 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하고,상기 베이스 기판은, 폴리이미드; 하기 화학식 1로 표시되는 자외선 흡수제; 및 여분의 N-메틸-2피롤리돈을 포함하는 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제 7항에 있어서, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 트랜지스터 기판을 노출하는 개구를 가지며, 상기 수지 조성물을 포함하는 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 발광 소자는, 상기 개구에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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9
제 7항에 있어서, 상기 트랜지스터 기판은 적어도 하나의 유기 절연층을 포함하고, 상기 유기 절연층은 상기 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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10
제7 항에 있어서, 상기 수지 조성물은 상기 폴리이미드 10 내지 30 중량%, 상기 자외선 흡수제 0
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11
제7 항에 있어서, 상기 자외선 흡수제는 하기 화학식 2로 표시되는 물질과 하기 화학식 3으로 표시되는 물질을 반응시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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12
제7 항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 물질은 티누빈 327(Tinuvin 327)이고, 상기 R1, R2는 각각 터트-부틸기(tert-butyl)인 것을 특징으로 하는 표시 장치
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13
제7 항에 있어서, 상기 지방족 치환기는 알킬기 또는 에테르계 치환기인 것을 특징으로 하는 표시 장치
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14
제7 항에 있어서, 상기 방향족 치환기는 페닐기, 피리디닐기, 또는 쿠메닐기인 것을 특징으로 하는 표시 장치
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폴리이미드;하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 자외선 흡수제; 및여분의 N-메틸-2-피롤리돈을 포함하는 수지 조성물
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제15 항에 있어서, 상기 폴리이미드 10 내지 30 중량%, 상기 자외선 흡수제 0
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제15 항에 있어서, 상기 지방족 치환기는 알킬기 또는 에테르계 치환기인 것을 특징으로 하는 수지 조성물
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18
제15 항에 있어서, 상기 방향족 치환기는 페닐기, 피리디닐기, 또는 쿠메닐기인 것을 특징으로 하는 수지 조성물
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