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제1 전극,상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 전달층,상기 정공 전달층 위에 위치하며, 양자점을 포함하는 발광층,상기 발광층 위에 위치하며 III족 전이 금속을 포함하는 전자 전달층, 및상기 전자 전달층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자
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제1항에서,상기 III족 전이 금속은 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 악타늄(Ac), 루테늄(Lu) 및 로렌슘(Lr) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 소자
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제2항에서,상기 전자 전달층은 금속 산화물, 유기물 및 유무기 합성물 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 유기 발광 소자
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제3항에서,상기 III족 전이 금속은 상기 전자 전달층 총 중량 대비 1~10중량%를 포함하는 유기 발광 소자
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제2항에서,상기 정공 전달층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고,상기 전자 전달층은 전자 주입층 및 전자 수송층을 포함하는 유기 발광 소자
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제2항에서,상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물 및 IV족 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 소자
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기판,상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 전달층,상기 정공 전달층 위에 위치하며, 양자점을 포함하는 발광층,상기 발광층 위에 위치하며 III족 전이 금속을 포함하는 전자 전달층, 및상기 전자 전달층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제1항에서,상기 III족 전이 금속은 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 악타늄(Ac), 루테늄(Lu) 및 로렌슘(Lr) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제8항에서,상기 전자 전달층은 금속 산화물, 유기물 및 유무기 합성물 중 적어도 어느 하나를 더 포함하며,상기 III족 전이 금속은 상기 전자 전달층 총 중량 대비 1~10중량%를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제8항에서,상기 정공 전달층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고,상기 전자 전달층은 전자 주입층 및 전자 수송층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
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