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서로 연결된 제1 리세스 및 제2 리세스를 갖는 제1 몰드를 준비하는 것; 전자 소자를 상기 제1 몰드의 상기 제1 리세스 내에 배치하는 것, 상기 전자 소자는 접합부들 및 상기 접합부들 사이의 바디부를 포함하고; 밀봉 용액을 상기 제1 몰드의 상기 제2 리세스 내에 주입하여, 상기 전자 소자의 상기 바디부를 덮는 봉지층을 형성하는 것, 상기 봉지층은 상기 전자 소자의 상기 접합부들을 노출시키고; 상기 제1 몰드를 상기 전자 소자 및 상기 봉지층으로부터 분리시키는 것; 상면 상에 하부 전극들을 포함하는 제1 기판을 준비하는 것; 상기 접합부들이 상기 하부 전극들과 수직적으로 이격되도록 상기 전자 소자 및 상기 봉지층을 상기 제1 기판 상에 배치하는 것;제2 몰드를 상기 제1 기판 상에 배치하는 것, 상기 제1 몰드와 상기 봉지층의 양 측벽들 사이에 전극 홀들이 형성되어, 상기 접합부들 및 상기 하부 전극을 노출시키고; 전극 용액을 상기 전극 홀들 내에 주입하여, 상기 전자 소자의 상기 접합부들 및 상기 하부 전극들을 덮는 예비 전극들을 형성하는 것, 상기 전극 용액은 전도성 물질 및 탄성 중합체를 포함하고; 상기 예비 전극들에 자기장을 인가하여, 전도성 물질들을 일 방향으로 정렬시키는 것; 및상기 예비 전극들을 열처리하여, 소자 전극들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 접합부들은 상기 소자 전극들을 통해 상기 하부 전극들과 전기적으로 연결되는 전자 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 탄성 중합체는 제2 탄성 중합체를 포함하고, 상기 밀봉 용액은 제1 탄성 중합체를 포함하고, 상기 제2 탄성 중합체는 상기 제1 탄성 중합체와 동일한 물질을 포함하는 전자 장치 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 예비 전극들을 열처리하는 것은 상기 제2 탄성 중합체를 경화시키는 것을 포함하는 전자 장치 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 것은 열처리에 의해 상기 제1 탄성 중합체를 경화시키는 것을 포함하는 전자 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 몰드는 제1 버퍼층을 더 포함하고, 상기 제1 버퍼층은 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스 상에 제공되고, 상기 제2 몰드는 제2 버퍼층을 더 포함하고, 상기 제2 버퍼층은 상기 제2 몰드의 내측벽들을 덮는 전자 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 봉지층 및 상기 제2 몰드 상에 제2 기판을 배치하는 것을 더 포함하고, 상기 제2 기판을 배치하는 것은 상기 자기장을 인가하는 것 이전에 수행되는 전자 장치 제조 방법
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접합부들 및 상기 접합부들 사이의 바디부를 포함하는 전자 소자를 준비하는 것; 제1 탄성 중합체를 포함하는 밀봉 용액을 상기 전자 소자 상에 제공하여, 상기 바디부를 덮는 봉지층을 형성하는 것; 상면 상에 하부 전극들을 갖는 제1 기판을 준비하는 것; 상기 접합부들이 상기 하부 전극들과 수직적으로 이격되도록 상기 전자 소자 및 상기 봉지층을 상기 제1 기판 상에 배치하는 것; 전극 용액을 상기 하부 전극들 및 상기 접합부들 사이에 주입하여, 예비 전극들을 형성하는 것, 상기 전극 용액은 제2 탄성 중합체 및 전도성 물질들을 포함하고; 및상기 예비 전극들로부터 소자 전극들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 소자 전극들을 형성하는 것은: 상기 전도성 물질들을 일 방향으로정렬시키는 것; 및상기 제2 탄성 중합체를 경화시키는 것을 포함하고, 상기 접합부들은 상기 소자 전극들을 통해 상기 하부 전극들과 전기적으로 연결되는 전자 장치 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 전도성 물질들을 일 방향으로 정렬시키는 것은 하부 자석들 및 상부 자석들을 상기 예비 전극들의 하면들 및 상면들 상에 각각 배치하는 것을 포함하는 전자 장치 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제2 탄성 중합체를 경화시키는 것은 상기 전도성 물질들을 일 방향으로 정렬시키는 것 이후에 수행되는 전자 장치 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제2 탄성 중합체는 상기 제1 탄성 중합체와 동일한 물질을 포함하고, 상기 전도성 물질들은 AgFe 및/또는 AgNi를 포함하는 전자 장치 제조 방법
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접합부들 및 상기 접합부들 사이의 바디부를 포함하는 전자 소자; 상기 전자 소자의 상기 바디부를 덮되, 상기 접합부들을 노출시키는 봉지층; 상기 접합부들과 수직적으로 이격된 하부 전극들; 및상기 봉지층의 상기 양 측벽들을 덮고, 상기 하부 전극들 및 상기 접합부들과 접속하는 소자 전극들을 포함하고, 상기 소자 전극들 각각은 탄성 중합체 및 상기 탄성 중합체 내의 전도성 입자들을 포함하되, 상기 전도성 입자들은 일 방향으로 정렬된 전자 장치
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제 11항에 있어서, 상기 일 방향은 상기 봉지층의 바닥면에 대해 수직한 방향인 전자 장치
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제 11항에 있어서, 상기 접합부들은 상기 소자 전극들을 통해 상기 하부 전극들과 전기적으로 연결되는 전자 장치
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제 11항에 있어서, 상기 탄성 중합체는 제2 탄성 중합체이고, 상기 봉지층은 제1 탄성 중합체를 포함하고, 상기 제2 탄성 중합체는 상기 제1 탄성 중합체와 동일한 물질인 전자 장치
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제 11항에 있어서, 상기 전도성 물질은 AgFe 및/또는 AgNi를 포함하고, 상기 전도성 물질은 나노 입자 형태인 전자 장치
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제 11항에 있어서, 상기 봉지층은 상기 바디부의 상면, 하면, 및 측벽들을 덮는 전자 장치
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제 11항에 있어서, 상기 탄성 중합체는 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 실리콘계 물질을 포함하는 전자 장치
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기판; 및 상기 기판 상에 실장되고, 제 11항에 따른 상기 전자 장치를 포함하는 측정 장치
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기판 및 상기 기판 상에 실장되고 제 11항에 따른 상기 전자 장치를 포함하는 측정 장치;상기 측정 장치에 전기적으로 연결된 신호 입력부; 상기 신호 입력부에 입력된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 컨버터; 및상기 변환된 디지털 신호를 다른 전자 장치로 전송하는 통신부를 포함하는 측정 시스템
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