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제1 열차단층;상기 제1 열차단층의 상부에 마련되는 채널 영역;상기 제1 열차단층의 상부에 상기 채널 영역과 접하고 상호 이격되어 마련되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 채널 영역의 상부에 마련되는 이온 전달층; 및상기 이온 전달층의 상부에 마련되는 게이트 전극을 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 열차단층은, 상기 채널 영역 보다 열 전도도가 낮은 물질로 이루어지는, 3단자 시냅스 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 열차단층은, 상기 이온 전달층에서 상기 채널 영역으로 이동하는 활성 이온의 이동도를 증가시켜 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 전류 변화 폭을 증가시키도록 마련되는, 3단자 시냅스 소자
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청구항 3에 있어서, 상기 이온 전달층은, 전해질 물질로 이루어지고, 상기 활성 이온은, H+, Li+, Na+, Cu+, Ag+ 및 O2- 중에서 선택되는 하나 이상의 이온을 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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5
청구항 3에 있어서,상기 제1 열차단층은, 열 전도도가 기 설정된 임계 전도도 이하인 복수 개의 층이 적층되어 마련되는, 3단자 시냅스 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 복수 개의 층은, 열 전도도가 서로 다른 물질로 이루어지는 층이 교대로 적층되어 마련되는, 3단자 시냅스 소자
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7
청구항 1에 있어서, 상기 제1 열차단층은, 기 설정된 임계 열 전도도 이하의 이원계 산화물, 삼성분계 산화물, 및 칼코지나이드 계열 화합물 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는, 3단자 시냅스 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 3단자 시냅스 소자는, 상기 이온 전달층의 측면을 감싸며 마련되는 제2 열차단층을 더 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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9
청구항 1에 있어서, 상기 3단자 시냅스 소자는, 상기 이온 전달층의 측면 및 상기 게이트 전극의 상부를 감싸며 마련되는 제2 열차단층을 더 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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10
청구항 1에 있어서, 상기 3단자 시냅스 소자는, 상기 게이트 전극의 상부에 마련되는 제2 열차단층을 더 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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11
청구항 8에 있어서, 상기 제2 열차단층은, 상기 이온 전달층 보다 열 전도도 및 이온 전도도가 낮은 물질로 이루어지는, 3단자 시냅스 소자
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12
청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2 열차단층은, 상기 이온 전달층에서 상기 채널 영역으로 이동하는 활성 이온의 이동도를 증가시켜 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 전류 변화 폭을 증가시키도록 마련되는, 3단자 시냅스 소자
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13
채널 영역;상기 채널 영역과 접하여 마련되고, 상호 이격되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 채널 영역의 상부에 마련되는 이온 전달층;상기 이온 전달층의 상부에 마련되는 게이트 전극; 및상기 이온 전달층의 측면 및 상기 게이트 전극의 상부 중 하나 이상에 마련되는 열차단층을 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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14
청구항 13에 있어서, 상기 열차단층은, 상기 이온 전달층 보다 열 전도도 및 이온 전도도가 낮은 물질로 이루어지는, 3단자 시냅스 소자
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15
청구항 13에 있어서, 상기 열차단층은, 상기 이온 전달층에서 상기 채널 영역으로 이동하는 활성 이온의 이동도를 증가시켜 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 전류 변화 폭을 증가시키도록 마련되는, 3단자 시냅스 소자
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16
청구항 15에 있어서, 상기 이온 전달층은, 전해질 물질로 이루어지고, 상기 활성 이온은, H+, Li+, Na+, Cu+, Ag+ 및 O2- 중에서 선택되는 하나 이상의 이온을 포함하는, 3단자 시냅스 소자
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청구항 13에 있어서, 상기 열차단층은, 기 설정된 임계 열 전도도 이하의 이원계 산화물, 삼성분계 산화물, 및 칼코지나이드 계열 화합물 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는, 3단자 시냅스 소자
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열차단층을 형성하는 단계;상기 열차단층의 상부에 채널 영역을 형성하고, 상기 열차단층의 상부에서 상기 채널 영역과 접하되 상호 이격하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 채널 영역의 상부에 이온 전달층을 형성하는 단계; 및상기 이온 전달층의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 3단자 시냅스 소자의 제조방법
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채널 영역과 접하여 소스 전극과 드레인 전극을 각각 형성하는 단계;상기 채널 영역의 상부에 이온 전달층을 형성하는 단계;상기 이온 전달층의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 이온 전달층의 측면 및 상기 게이트 전극의 상부 중 하나 이상에 열차단층을 형성하는 단계를 포함하는, 3단자 시냅스 소자의 제조방법
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