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유연 인공 시냅스 소자에 있어서,유연기판;상기 유연기판 상에 마련되고, 상기 유연 인공 시냅스 소자에 인가되는 전압의 분포를 제어하는 유기 스위칭 트랜지스터부; 및상기 유기 스위칭 트랜지스터부를 감싸는 봉지막에 불소계 고분자 물질이 포함되어 상기 유연 인공 시냅스 소자의 전도도 변화를 조절하는 활성층으로 동작하는 유기저항변환 소자부;를 포함하고,상기 불소계 고분자 물질은 폴리(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로-부틸 메타크릴레이트)를 포함하는 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자
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청구항 1에 있어서,상기 유기 스위칭 트랜지스터부는 상기 유연기판 상의 게이트 전극, 상기 유연기판 상에 상기 게이트 전극과 절연되어 마련되는 반도체층, 및 상기 반도체층 상에 이격되어 마련되는 드레인 전극과 소스 전극을 포함하고,상기 유기저항변환 소자부는 상기 드레인 전극과 소스 전극 및 상기 반도체층을 덮으며 상기 불소계 고분자 물질을 포함하는 보호 활성층, 및 상기 보호 활성층 상에 활성 전극을 포함하는 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자
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청구항 2에 있어서,상기 보호 활성층은 상기 불소계 고분자 물질을 포함하여 공기중 안정성을 갖도록 가스 및 수분의 침투를 막는 봉지막으로 작용하는, 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자
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청구항 2에 있어서,상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하고, 상기 활성 전극에 활성 전압을 인가하고, 상기 소스 전극에 소스 전압을 인가하고, 상기 드레인 전극에 드레인 전압을 인가하는 전압 인가부;를 더 포함하고,상기 전압 인가부는:쓰기 과정에서, 상기 게이트 전압을 0 V 보다 낮은 제1 전압으로 설정하고 상기 활성 전압을 0 V로 설정한 상태에서 상기 드레인 전압을 조절하여 쓰기 동작을 수행하고; 그리고소거 과정에서, 상기 게이트 전압을 상기 제1 전압 보다 낮은 제2 전압으로 설정하고 상기 드레인 전압을 0 V로 설정한 상태에서 상기 활성 전압을 변화시켜 소거 동작을 수행하도록 구성되는 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자
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청구항 5에 있어서,상기 전압 인가부는:강화(potentiation) 과정에서, 상기 활성 전극에 접지 전압을 인가하고 상기 게이트 전압을 상기 제1 전압 보다 낮고 상기 제2 전압보다 높은 제3 전압으로 설정한 상태에서 상기 드레인 전압으로 전압 펄스를 인가하고;억제(depression) 과정에서, 상기 드레인 전극에 접지 전압을 인가하고 상기 게이트 전압으로 상기 제2 전압을 인가한 상태에서 상기 활성 전압으로 전압 펄스를 인가하는 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자
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유연 인공 시냅스 소자 제조 방법에 있어서,상기 유연 인공 시냅스 소자에 인가되는 전압의 분포를 제어하는 유기 스위칭 트랜지스터부를 유연기판 상에 형성하는 단계; 및상기 유기 스위칭 트랜지스터부 상에 불소계 고분자 물질을 포함하는 유기저항변환 소자부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기저항변환 소자부는 상기 유기 스위칭 트랜지스터부를 감싸는 봉지막과 상기 유연 인공 시냅스 소자의 전도도 변화를 조절하는 활성층으로 동작하고,상기 유기 스위칭 트랜지스터부를 유연기판 상에 형성하는 단계는 상기 유연기판 상에 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연되어 마련되는 반도체층, 및 상기 반도체층 상에 이격되어 마련되도록 드레인 전극과 소스 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기저항변환 소자부를 형성하는 단계는 상기 드레인 전극과 소스 전극 및 상기 반도체층을 덮으며 상기 불소계 고분자 물질을 포함하는 보호 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 보호 활성층 상에 활성 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 보호 활성층을 형성하는 단계는 폴리(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로-부틸 메타크릴레이트)를 불소계 용매에 딥코팅하여 상기 보호 활성층을 형성하는 단계를 포함하는, 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 보호 활성층은 상기 불소계 고분자 물질을 포함하여 공기중 안정성을 갖도록 가스 및 수분의 침투를 막는 봉지막으로 작용하는, 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자 제조 방법
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유연 인공 시냅스 소자 제조 방법에 있어서,상기 유연 인공 시냅스 소자에 인가되는 전압의 분포를 제어하는 유기 스위칭 트랜지스터부를 유연기판 상에 형성하는 단계; 및상기 유기 스위칭 트랜지스터부 상에 불소계 고분자 물질을 포함하는 유기저항변환 소자부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기저항변환 소자부는 상기 유기 스위칭 트랜지스터부를 감싸는 봉지막과 상기 유연 인공 시냅스 소자의 전도도 변화를 조절하는 활성층으로 동작하고,상기 유기 스위칭 트랜지스터부를 유연기판 상에 형성하는 단계는:ITO(indium-tin-oxide) 게이트 전극을 갖는 폴리에틸렌 나프탈레이트 유연기판을 아세톤, 이소프로필 알코올 및 탈이온수에서 초음파 처리하여 세척하는 단계;게이트 절연체로서 아니솔(anisole)에 PMMA가 용해된 용액을 스핀 코팅하여 상기 유연기판 상에 형성하는 단계;펜타센(pentacene) 필름을 상기 게이트 절연체 상에 열 증착하여 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 금 또는 은 패턴을 열 증착하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 유기저항변환 소자부를 형성하는 단계는:폴리(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로-부틸 메타크릴레이트)를 불소계 용매에 딥코팅하여 보호 활성층을 형성하는 단계; 및상기 보호 활성층 상에 금 또는 은 전극층을 열 증착하여 활성 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 불소계 고분자 저항변환 소자 기반 유연 인공 시냅스 소자 제조 방법
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