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입사된 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 광선을 제1 EUV 광선과 제2 EUV 광선으로 분할하는 스플리터;상기 제1 EUV 광선이 조사된 극자외선 펠리클을 투과하여 생성된 EUV 투과 광선을 측정하는 제1 광측정 센서;상기 제1 EUV 광선이 조사된 극자외선 펠리클로부터 반사되어 생성된 EUV 반사 광선을 측정하는 제2 광측정 센서; 및 상기 EUV 투과 광선을 이용하여 상기 극자외선 펠리클의 투과율을 산출하고, 상기 EUV 반사 광선을 이용하여 상기 극자외선 펠리클의 반사율을 산출하는 제어부;를 포함하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 EUV 광선을 측정하는 제3 광측정 센서;를 더 포함하고,상기 제어부는,상기 제2 EUV 광선을 이용하여 상기 입사된 EUV 광선의 크기와 세기를 모두 산출하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제1항에 있어서,상기 극자외선 펠리클로부터 방사되어 생성된 적외선 광선을 측정하는 제4 광측정 센서 및 제5 광측정 센서;를 더 포함하고,상기 제어부는, 상기 적외선 광선의 파장에 의한 열작용 정보를 계량하여 극자외선 펠리클의 온도를 산출하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제1항에 있어서,조사된 EUV 광선을 반사하는 제1 거울;상기 제1 거울에 의해 반사된 EUV 광선의 광선 경로를 정렬하는 제1 형광체;상기 정렬된 EUV 광선의 세기를 조절하는 금속 박막;상기 세기가 조절된 EUV 광선을 반사하는 제2 거울; 및상기 제2 거울에 의해 반사된 EUV 광선의 광선 경로를 정렬하는 제2 형광체;를 더 포함하고,상기 제2 형광체에 의해 정렬된 EUV 광선은, 상기 스플리터에 입사되는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제4항에 있어서,상기 조사된 EUV 광선이 임계값보다 작은 지름을 갖는 축소 광선을 포함하는 경우, 상기 제1 거울은 제1 반사 평면 거울을 포함하고, 상기 제2 거울은 제2 반사 평면 거울을 포함하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제4항에 있어서,상기 조사된 EUV 광선이 임계값보다 큰 지름을 갖는 발산 광선을 포함하는 경우, 상기 제1 거울은 반사 만곡 거울을 포함하고, 상기 제2 거울은 제2 반사 평면 거울을 포함하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제1항에 있어서,상기 분할된 제1 EUV 광선을 반사하는 제3 거울; 및상기 반사된 제1 EUV 광선의 반사 각도를 조절하여 반사하는 제4 거울;을 더 포함하고,상기 반사 각도가 조절되어 반사된 제1 EUV 광선은 상기 극자외선 펠리클에 조사되는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제1항에 있어서,중심부에 위치하여 개방된 중심 개방부 및 상기 중심 개방부의 측면에 위치하여 개방된 적어도 하나의 측면 개방부를 포함하는 조리개;를 더 포함하고,상기 조리개는, 상기 분할된 제1 EUV 광선이 극자외선 펠리클의 다수의 특정 면적에 조사되도록 위치하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제8항에 있어서,상기 중심 개방부의 면적은 상기 극자외선 펠리클의 면적보다 작은,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제8항에 있어서,상기 제어부는,상기 극자외선 펠리클의 이동에 따라, 상기 적어도 하나의 측면 개방부를 통해 상기 극자외선 펠리클의 다수의 특정 영역 각각에 대한 위치값을 산출하고,상기 산출된 위치값에 따라, 상기 극자외선 펠리클의 투과율과 반사율을 산출하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제3항에 있어서,상기 제4 광측정 센서는, 상기 극자외선 펠리클의 전면부로부터 방사되어 생성된 적외선 광선을 측정하고,상기 제5 광측정 센서는, 상기 극자외선 펠리클의 후면부로부터 방사되어 생성된 적외선 광선을 측정하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제3항에 있어서,상기 제4 광측정 센서와 제5 광측정 센서는, 상기 극자외선 펠리클의 표면에 대하여 일정 각도로 위치되는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제3항에 있어서,상기 제1 광측정 센서는, 상기 극자외선 펠리클의 일정 면적에 대한 상기 EUV 투과 광선을 측정하고, 상기 제2 광측정 센서는, 상기 극자외선 펠리클의 상기 일정 면적에 대한 상기 EUV 반사 광선을 측정하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제13항에 있어서,상기 제4 광측정 센서 및 제5 광측정 센서는, 상기 극자외선 펠리클의 상기 일정 면적에 대한 상기 적외선 광선을 측정하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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제1항에 있어서,상기 스플리터에서 반사된 상기 제1 EUV 광선을 반사하여 상기 극자외선 펠리클에 조사하는 반사 평면 거울 및 가변 반사 평면 거울;을 더 포함하는,극자외선 펠리클 특성 평가 장치
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