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1) 인듐(In) 전구체, 인(P) 전구체 및 용매를 혼합한 후 초음파를 조사하여 InP 조성을 갖는 양자점 코어를 제조하는 단계;2) 상기 1) 단계의 용액에 아연(Zn) 전구체, 셀레늄(Se) 전구체 및 황(S) 전구체를 첨가한 후 초음파를 조사하여 InP/ZnSeS 조성을 갖는 코어-쉘 구조의 양자점을 제조하는 단계; 및3) 상기 2) 단계의 양자점을 세척 및 분산하는 단계;를 포함하는 초음파 조사법을 이용한 양자점 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 인듐을 포함하는 질산염, 탄산염, 염화염, 인산염, 붕산염, 산화염, 술폰산염, 황산염, 스테아린산염, 미리스틴산염, 초산염 및 운데실레닉염으로 이루어진 군에서 선택되는 금속염인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 인 전구체는 트리스(트리메틸실릴)포스핀(Tris (trimethylsilyl) phosphine), 트리페닐포스페이트(Triphenyl phosphate), 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine), 트리페닐포스핀(Triphenylphosphine) 및 트리에틸포스핀(Triethyl phosphite)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 용매는 에테르계, 탄화수소계, 알콜계 또는 아민계인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 아연 아세테이트; 아연 운데실레네이트; 아연 스테아레이트; 아연 아세틸아세토네이트; 아연 나이트레이트; 아연 아세테이트; 및 아연 클로라이드;로 이루어진 군에서 선택되는 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 셀레늄 전구체는 셀레늄; C6~C8의 아릴셀레놀; 직쇄 또는 분지쇄의 C1~C20의 알킬셀레놀; 직쇄 또는 분지쇄의 C1~C20의 알케닐셀레놀; 및 직쇄 또는 분지쇄의 C1~C20의 알카이닐셀레놀;로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 황 전구체는 황; 다이에틸다이타이오카바메이트; 다이메틸다이타이오카바메이트; C6~C8의 아릴티올; 직쇄 또는 분지쇄의 C1~C20의 알킬티올; 직쇄 또는 분지쇄의 C1~C20의 알케닐티올; 및 직쇄 또는 분지쇄의 C1~C20의 알카이닐티올;로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 1) 및 2) 단계에서, 초음파 강도는 2 내지 200 kHz인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 1) 및 2) 단계에서, 초음파 조사시간은 1분 내지 12시간인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 3) 단계에서, 양자점을 알콜계 용액 또는 탄화수소계 용액으로 세척한 후 탄화수소계 용액에 분산시키는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 520 nm- 650nm의 발광파장을 가지는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 3) 단계 이후,4) 상기 3) 단계 용액을 원심분리한 후 양자점을 수득하는 단계;5) 상기 수득한 양자점을 유기용매에 재분산하는 단계;6) 친수성 리간드를 첨가 및 교반하여 양자점 표면 리간드를 치환하는 단계;7) 상기 6) 단계의 용액을 원심분리한 후 양자점을 수득하는 단계; 및8) 상기 7) 단계에서 수득한 양자점을 세척한 후 증류수에 분산하여 수용액화는 단계;를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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