| 1 |
1
아연금속 전극;상기 아연금속 전극의 일면에 형성되고, 아연이 도핑된 제 1 불화마그네슘층; 및 상기 제 1 불화마그네슘층 상부에 형성되고, 아연이 도핑되지 않은 제 2 불화마그네슘층;을 포함하는, 아연금속 전극 구조체
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 불화마그네슘층은 내부에 아연금속 나노입자가 도핑된 것인, 아연금속 전극 구조체
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 불화마그네슘층은 상기 전극으로부터 멀어지는 방향으로 도핑된 아연의 농도가 감소하는 농도 구배를 가지는,, 아연금속 전극 구조체
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 불화마그네슘층은 불화마그네슘로만 이루어진, 아연금속 전극 구조체
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,제 2 불화마그네슘층은 다공성 구조를 가지는, 아연금속 전극 구조체
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,제 1 불화마그네슘층은 10nm 내지 20nm 범위를 가지는, 아연금속 전극 구조체
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,제 2 불화마그네슘층은 10nm 내지 50nm 범위를 가지는, 아연금속 전극 구조체
|
| 8 |
8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항의 아연금속 전극 구조체를 포함하는 아연금속 이차전지
|
| 9 |
9
아연금속 전극를 준비하는 단계; 및상기 전극의 일면에 불화마그네슘층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 불화마그네슘층을 형성하는 단계는,내부에 아연이 도핑된 제 1 불화마그네슘층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 불화마그네슘층 상부에 아연이 도핑되지 않은 제 2 불화마그네슘층을 형성하는 단계;를 포함하는, 아연금속 전극 구조체의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 불화마그네슘층 및 제 2 불화마그네슘층은 연속적으로 형성되는,아연금속 전극 구조체의 제조방법
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서,상기 불화마그네슘층을 형성하는 단계는,스퍼터링법, 화학기상증착법, 물리기상증착법, ECR 증착법, ALD 증착법, 전자빔증발법 및 스프레이 열분해법 중 어느 하나의 방법으로 수행되는, 아연금속 전극 구조체의 제조방법
|
| 12 |
12
제 9 항에 있어서,상기 불화마그네슘층을 형성하는 단계는,RF 플라즈마 스퍼터링법으로 수행되는, 아연금속 전극 구조체의 제조방법
|
| 13 |
13
제 9 항에 있어서,상기 제 1 불화마그네슘층을 형성하는 단계에서 상기 제 1 불화마그네슘층 내부의 아연 농도가 상기 아연금속 전극으로부터 멀어지는 방향으로 감소하는 농도 구배가 형성되는, 아연금속 전극 구조체의 제조방법
|
| 14 |
14
아연금속 전극을 준비하는 단계; 및상기 전극의 일면에 불화마그네슘층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 불화마그네슘층을 형성하는 단계는 상기 불화마그네슘 내에 도핑된 아연이 존재하지 않는 영역을 포함하는 두께에 이르기까지 수행되는, 아연금속 전극 구조체의 제조방법
|
