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기판; 및상기 기판 상에 배열된 복수의 뿔형상 아연 구조체;를 포함하고,상기 뿔형상 아연 구조체는,내부에 위치하고 아연을 포함하는 아연 코어층; 및상기 아연 코어층의 표면을 덮고, 산화 아연을 포함하고, 두께 구배를 가지는 산화아연 표면층;을 포함하는,아연금속 전극
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제 1 항에 있어서,상기 산화아연 표면층은,상기 아연 코어층의 측면을 코팅하고, 제1 두께를 가지는 제1 산화아연 표면층; 및상기 제1 산화아연 표면층의 상측에 위치하고, 상기 제1 두께에 비하여 큰 제2 두께를 가지는 제2 산화아연 표면층;을 포함하는아연금속 전극
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제 1 항에 있어서,상기 제1 두께는 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 증가되는,아연금속 전극
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제 1 항에 있어서,상기 제2 산화아연 표면층은 상기 아연 코어층의 상측을 덮는,아연금속 전극
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제 1 항에 있어서,상기 제1 두께는 1 nm 내지 10 nm 범위이고, 상기 제2 두께는 10 nm 내지 250 nm 범위인,아연금속 전극
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제 1 항에 있어서,상기 뿔형상 아연 구조체는 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 단면적이 감소되는,아연금속 전극
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제 1 항에 있어서,상기 뿔형상 아연 구조체는 삼각뿔, 사각뿔, 오각뿔, 육각뿔, 팔각뿔, 원뿔, 및 타원뿔 중의 적어도 어느 하나의 형상을 가지는,아연금속 전극
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8
아연금속판을 전해액에 침지하여, 상기 아연금속판 상에 제1 희생 산화아연층을 형성하는 단계;상기 아연금속판에 전류를 인가하여, 상기 제1 희생 산화아연층의 일부를 제거함으로써, 상기 아연금속판 상에 복수의 산화아연 아일랜드를 형성하는 단계;상기 산화아연 아일랜드 및 상기 아연금속판 상에 제2 희생 산화아연층을 형성하도록, 상기 아연금속판에 인가된 전류를 차단하는 단계;상기 제2 희생 산화아연층 및 상기 아연금속판의 일부를 제거하여, 상기 산화아연 아일랜드의 하측에 아연 돌출부를 형성하도록, 상기 아연금속판에 전류를 인가하는 단계; 및상기 아연금속판에 전류를 인가하는 단계와 상기 아연금속판에 인가된 전류를 차단하는 단계를 반복하여, 상기 산화아연 아일랜드로부터 뿔형상 아연 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2 희생 산화아연층은 상기 산화아연 아일랜드 사이에 노출된 상기 아연금속판의 표면에 형성되는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2 희생 산화아연층은 상기 산화아연 아일랜드를 덮도록 형성되어 상기 산화아연 아일랜드를 성장시키는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 산화아연 아일랜드 상에 형성된 상기 제2 희생 산화아연층은 상기 아연금속판 상에 형성된 상기 제2 희생 산화아연층에 비하여 두꺼운 두께를 가지는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 아연 돌출부를 형성하는 단계에서,상기 아연금속판 상에 형성된 상기 제2 희생 산화아연층은 상기 산화아연 아일랜드 상에 형성된 상기 제2 희생 산화아연층에 비하여 먼저 제거되는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전해액은, 염화암모늄 및 과산화수소를 포함하는, 아연금속 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 전류를 인가하면, 상기 산화아연이 [Zn(NH3)4]2+ 으로 변화되어 제거되고,상기 전류를 차단하면, 상기 [Zn(NH3)4]2+ 이 수산화이온(OH-)과 결합하여 산화아연을 형성하는, 아연금속 전극의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 염화암모늄과 상기 과산화수소의 몰비율이 8: 1 내지 32:1 범위인,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전류는 1 mA/cm-2 내지 10 mA/cm-2 범위의 전류밀도를 가지는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 아연금속판을 전해액에 침지하기 전에,상기 아연금속판을 작동전극으로, 백금 호일을 상대전극으로 설정한 2 전극 시스템을 이용하여, 상기 아연금속판과 상기 백금 호일을 에탄올과 인산용액이 혼합된 용액에 침지하고, 전류를 인가하여 전기화학적 연마를 수행하여, 상기 아연금속판을 세정하는,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전류를 차단하는 차단시간은 상기 전류를 인가하는 인가시간과 동일하거나 또는 더 긴,아연금속 전극의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전류를 차단하는 차단시간과 상기 전류를 인가하는 인가시간의 비율은 1
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기판; 및 상기 기판 상에 배열된 복수의 뿔형상 아연 구조체;를 포함하고, 상기 뿔형상 아연 구조체는, 내부에 위치하고 아연을 포함하는 아연 코어층; 및 상기 아연 코어층의 표면을 덮고, 산화 아연을 포함하고, 두께 구배를 가지는 산화아연 표면층;을 포함하는 아연금속 전극으로 구성된, 음극;상기 음극을 마주보고 배치되는 양극; 및 상기 음극과 상기 양극 사이에 배치되는 전해질을 포함하는, 이차전지
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