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반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 적층되는 열확산 플레이트; 및 상기 열확산 플레이트 상에 형성되는 것으로, 냉각유체가 흐르는 다공성 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈
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제1항에 있어서,상기 다공성 채널은, 상기 열확산 플레이트 상에 구리 전기 증착 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈
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제1항에 있어서,상기 히트 스프레더는 상대적으로 공극이 큰 제1다공성 채널을 가진 제1스프레더층과, 상기 제1스프레더의 상측에 배치되는 것으로, 상기 제1다공성 채널과 소통되되 그 제1다공성 채널보다 공극이 작은 제2다공성 채널을 가진 제2스프레더층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈
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제1항에 잇어서,상기 히트 스프레더의 상측에 배치되어 상기 다공성 채널 측으로 냉각유체를 유입시켜 주기 위한 것으로, 상기 히트 스프레더의 다공성 채널과 소통 가능한 유로가 형성되어 있고, 상기 유로를 형성하는 냉각유체 유입라인과 배출라인이 서로 구획 형성되는 매니폴드;를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈
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제4항에 있어서,상기 매니폴드의 각 유입라인은, 입구는 개방되고 출구는 폐쇄된 구조로 이루어지며, 입구부터 출구 사이의 부분은 상기 다공성 채널을 가로지르는 축선 방향을 따라 길게 형성되며, 인접한 요소와의 사이에는 상기 배출라인이 배치되도록 구성되고,상기 매니폴드의 각 배출라인은, 인접한 유입라인과는 반대로, 그 유입라인의 입구에 대응되는 부분은 폐쇄되고 출구에 대응되는 부분은 개방된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈
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반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 열확산 플레이트를 적층시키는 단계; 및 냉각유체가 흐르는 다공성 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더를, 상기 열확산 플레이트 상에 형성시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 히트 스프레더 형성 단계는, 상대적으로 공극이 큰 제1다공성 채널을 가진 제1스프레더층을 상기 열확산 플레이트 상에 형성시키는 단계; 및상기 제1다공성 채널과 소통되되 그 제1다공성 채널보다 공극이 작은 제2다공성 채널을 가진 제2스프레더층을 상기 제1스프레더층 상에 형성시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 히트 스프레더의 상측에 상기 다공성 채널 측으로 냉각유체를 유입시켜 주기 위한 매니폴드를 배치시키되, 상기 다공성 채널과 소통되는 냉각유체 유입라인과 배출라인이 서로 구획되게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 매니폴드의 각 유입라인은, 입구는 개방되고 출구는 폐쇄된 상태로 서로 간격을 두고 배치되고, 상기 매니폴드의 각 배출라인은, 상기 유입라인과는 반대로 그 유입라인의 입구에 대응되는 부분은 폐쇄되고 출구에 대응되는 부분은 개방된 상태로 서로 간격을 두고 배치되며,상기 각 배출라인은 인접한 한 쌍의 유입라인들 사이에 배치되게 하고, 각 유입라인은 인접한 한 쌍의 배출라인들 사이에 배치되게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법
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