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이질접합을 형성하기 위하여 실리콘 기판상에 불순물을 주입하는 단계;상기 실리콘 기판을 열산화하여 제1열산화막을 형성하는 제1열산화 단계;상기 제1열산화막을 식각하여 산화막 패턴을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판을 건식 식각하여 컬럼 구조를 형성하는 단계;상기 컬럼 구조를 이방성 습식 식각하여 나노와이어 구조물을 형성하는 단계;상기 기판을 열산화하여 제2열산화막을 형성하는 제2열산화 단계; 및 상기 제2열산화막을 제거하여 릴리즈된 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 제조방법
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단결정 실리콘 기판을 열산화하여 제1열산화막을 형성하는 제1열산화 단계;상기 제1열산화막을 식각하여 산화막 패턴을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판을 건식 식각하여 컬럼 구조를 형성하는 단계;상기 컬럼 구조를 이방성 습식 식각하여 나노와이어 구조물을 형성하는 단계;상기 나노와이어의 상부에 존재하는 상기 제1열산화막을 제거한 후, 이질 접합을 형성하기 위하여 불순물을 주입하는 단계;상기 기판을 열산화하여 제2열산화막을 형성하는 제2열산화 단계; 및 상기 제2열산화막을 제거하여 릴리즈된 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 제조방법
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단결정 실리콘 기판을 열산화하여 제1열산화막을 형성하는 제1열산화 단계;상기 제1열산화막을 식각하여 산화막 패턴을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판을 건식 식각하여 컬럼 구조를 형성하는 단계;상기 컬럼 구조를 이방성 습식 식각하여 나노와이어 구조물을 형성하는 단계;상기 기판을 열산화하여 제2열산화막을 형성하는 제2열산화 단계; 및 상기 나노와이어의 상부에 존재하는 상기 제1열산화막 및 제2열산화막을 제거한 후, 이질접합을 형성하기 위하여 불순물을 주입하는 단계;상기 제2열산화막을 건식 식각하여 릴리즈된 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 불순물을 주입하는 단계는 고체 상태로부터 도핑을 수행하거나, 증기 상태로부터 도핑, 이온 주입을 이용한 도핑 중 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 불순물을 주입하는 단계 또는 상기 제2열산화 단계를 통하여 상기 나노와이어의 선폭을 조절하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 제조방법
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실리콘 기판과 일체형으로 형성되며, 상기 실리콘 기판에 이격되어 있는 나노와이어; 및상기 실리콘 기판 및 상기 나노와이어와 일체로 형성되며 상기 나노와이어 일측 또는 양측을 지지하는 지지구조체로 구성되고, 상기 나노와이어는 상기 지지구조체와 접한 영역의 굵기가 굵으면서 상기 지지구조체와 멀어질수록 굵기가 작아지는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이
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실리콘 기판과 일체로 형성되며, 상기 실리콘 기판에 이격되어 있는 나노와이어; 및상기 실리콘 기판 및 상기 나노와이어와 일체로 형성되며 상기 나노와이어 일측 또는 양측을 지지하는 지지구조체로 구성되고, 상기 나노와이어의 굵기는 부분적인 고농도 불순물 주입에 의해 각 영역에 따라 달라지는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이
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8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 실리콘 기판과 일체형으로 형성되며, 상기 실리콘 기판에 이격되어 있는 나노와이어; 상기 실리콘 기판 및 상기 나노와이어와 일체로 형성되며 상기 나노와이어 일측 또는 양측을 지지하는 지지구조체; 및상기 지지구조체 일측 또는 양측 상의 전극물질로 구성되고, 상기 나노와이어는 상기 지지구조체와 접한 영역의 굵기가 굵으면서 상기 지지구조체와 멀어질수록 굵기가 작아지는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어를 포함하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이
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제6항 또는 제7항에 있어서, 실리콘 기판과 일체로 형성되며, 상기 실리콘 기판에 이격되어 있는 나노와이어; 상기 실리콘 기판 및 상기 나노와이어와 일체로 형성되며 상기 나노와이어 일측 또는 양측을 지지하는 지지구조체; 및상기 지지구조체 일측 또는 양측 상의 전극물질로 구성되고, 상기 나노와이어의 굵기는 부분적인 고농도 불순물 주입에 의해 각 영역에 따라 달라지는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이를 포함하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 의해 제조된 나노와이어 어레이를 소자가 형성될 기판상에 전사하는 단계; 및상기 나노와이어의 일측 또는 양측상에 전극물질을 증착하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 소자 제조방법
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