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병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 시스템 및 방법

  • 기술번호 : KST2015146787
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 시스템 및 방법에 관한 것으로, X와 Y방향으로 이동하며, 기판 상부에 나노 패턴을 형성할 수 있는 병렬 프로프가 형성되어 있는 프로브 리소 스캐너와; 상기 프로브 리소 스캐너를 제어하는 프로브 리소 컨트롤러와; 상기 나노 패턴 이외 영역의 기판 상부에 자외선을 노광시키는 자외선 노광기와; 상기 자외선 노광기를 제어하는 자외선 리소 컨트롤러로 구성된다. 따라서, 본 발명은 종래의 스캐닝 프로브 리소그래피가 생산성이 낮다는 단점을 해결하고 프로브 리소그래피 고속화를 구현할 수 있으며, 또한 다수의 프로브를 이용한 프로브 리소그래피에서의 프로브들 사이의 경계선 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다. 더불어, 본 발명은 나노 소자의 대량생산을 가능하게 하는 생산성을 확보할 수 있으며, 프로브 팁에 의한 저에너지 전류에 의한 리소그래피를 가능하게 함으로써 수 나노미터의 패터닝을 가능하게 하여, 기존의 반도체 성능을 획기적으로 향상시키는 나노 소자의 제조가 가능한 효과가 있다. 나노, 리소그래피, 병렬, 프로브, 자외선, 노광기
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 35/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/70383(2013.01) G03F 7/70383(2013.01) G03F 7/70383(2013.01)
출원번호/일자 1020030035888 (2003.06.04)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0500390-0000 (2005.06.30)
공개번호/일자 10-2004-0105046 (2004.12.14) 문서열기
공고번호/일자 (20050718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.06.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성우경 대한민국 경기도성남시분당구
2 김원효 대한민국 경기도평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-0200274-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0035632-73
5 등록결정서
Decision to grant
2005.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0306561-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
X와 Y방향으로 이동하며, 기판 상부에 나노 패턴을 형성할 수 있는 병렬 프로프가 형성되어 있는 프로브 리소 스캐너와; 상기 프로브 리소 스캐너를 제어하는 프로브 리소 컨트롤러와; 상기 나노 패턴 이외 영역의 기판 상부에 자외선을 노광시키는 자외선 노광기와; 상기 자외선 노광기를 제어하는 자외선 리소 컨트롤러로 구성된 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 시스템
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 병렬 프로브는, 상기 프로브 리소 스캐너에 고정되고 부상되며 선단에 팁이 각각 형성된 복수개의 캔틸레버들로 구성된 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 시스템
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 복수개의 캔틸레버 각각에는, 프로브와 기판 사이의 간격을 감지할 수 있는 마이크로 센서와, 상기 마이크로 센서에서 감지된 간격을 일정하게 유지하기 위해서 높이를 조절할 수 있는 마이크로 액추에이터가 더 형성되어 있으며, 상기 마이크로 센서와 마이크로 엑추에이터를 제어하는 제어부가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 시스템
4 4
X와 Y방향으로 이동할 수 있는 프로브 리소 스캐너에 고정된 병렬 프로브 하부에 나노 패턴을 형성할 기판의 상부를 위치시키는 제 1 단계와; 상기 프로브 리소 스캐너를 X와 Y방향으로 이동시켜 상기 병렬 프로브로 상기 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 제 2 단계와; 상기 나노 패턴이 형성된 기판을 자외선 노광기의 하부에 위치시키고, 상기 나노 패턴 이외 영역의 기판 상부를 자외선으로 노광시키는 제 3 단계로 구성된 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 2 단계에서 나노 패턴을 형성하는 것은, 형성할 나노 패턴의 선을 따라 패터닝해야 하는 기판 상부의 픽셀 부분만 스캐닝하는 벡터 스캐닝 방법을 이용하여 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계는, 상기 기판 상에 형성된 나노 패턴과 동일한 형상의 개구가 형성된 마스크를 상기 기판 상부에 정렬시킨 다음, 상기 자외선 노광기로 상기 나노 패턴 이외 영역의 기판 상부를 노광시키는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 병렬 프로브는, 상기 프로브 리소 스캐너에 고정되고 부상되며 선단에 팁이 각각 형성된 복수개의 캔틸레버들로 구성된 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 상기 병렬 프로브로 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 방법은, 상기 기판 상부에 감광막이 형성되어 있는 경우, 상기 병렬 프로브에 있는 캔틸레버들의 팁에서 방출되는 저에너지 전류에 의하여 감광막을 변화시켜 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 상기 병렬 프로브로 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 방법은, 상기 기판 상부에 감광막이 형성되어 있고, 상기 팁이 NSOM(Near-field Scanning Optical Microscopy)용 팁인 경우, 상기 팁에서 방출되는 광을 이용하여 감광막에 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 상기 병렬 프로브로 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 방법은, 상기 기판 상부에 감광막이 형성되어 있지 않고, 기판이 실리콘 기판이거나 기판 상부에 금속층이 형성되어 있는 경우, 실리콘 기판 또는 금속층에 강한 전기장이 인가된 팁으로 패턴이 형성될 영역을 산화시켜 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 상기 병렬 프로브로 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 방법은, 상기 기판 상부에 감광막이 형성되어 있지 않은 경우, 병렬 프로브의 팁들 중, 나노패턴을 그릴 팁에 감광 용액을 묻혀 기판에 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
12 12
프로브 리소 스캐너를 X와 Y방향으로 이동시켜 상기 병렬 프로브로 상기 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 제 1 단계와; X와 Y방향으로 이동할 수 있는 프로브 리소 스캐너에 고정된 병렬 프로브 하부에 나노 패턴을 형성할 기판의 상부를 위치시키는 제 2 단계와; 상기 나노 패턴이 형성된 기판을 자외선 노광기의 하부에 위치시키고, 상기 나노 패턴 이외 영역의 기판 상부를 자외선으로 노광시키는 제 3 단계로 구성된 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
13 12
프로브 리소 스캐너를 X와 Y방향으로 이동시켜 상기 병렬 프로브로 상기 기판 상부에 나노 패턴을 형성하는 제 1 단계와; X와 Y방향으로 이동할 수 있는 프로브 리소 스캐너에 고정된 병렬 프로브 하부에 나노 패턴을 형성할 기판의 상부를 위치시키는 제 2 단계와; 상기 나노 패턴이 형성된 기판을 자외선 노광기의 하부에 위치시키고, 상기 나노 패턴 이외 영역의 기판 상부를 자외선으로 노광시키는 제 3 단계로 구성된 병렬 프로브를 이용한 나노 리소그래피 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.