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이미지 센서 웨이퍼와 글라스 웨이퍼를 본딩한 후 상기 이미지 센서 웨이퍼에 관통홀을 형성하는 단계; 상기 이미지 센서 웨이퍼에 형성된 관통홀을 전기적 통전물질로 채우는 단계; 및 상기 통전물질 말단에 솔더 범프를 형성하고 회로 형성된 PCB기판과 연결하는 단계를 포함하고,상기 통전물질은 Cu, Ag, Ni, Au 중 선택되는 1종 이상의 금속물질로 채워지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 이미지 센서 웨이퍼와 글라스 웨이퍼를 본딩한 후 상기 이미지 센서 웨이퍼에 관통홀을 형성하는 단계는자외선 차단필터가 코팅된 글라스 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 자외선 차단필터가 형성된 반대면에 폴리머 격벽을 형성하는 단계; 이미지 센서 웨이퍼를 준비하는 단계; 이미지 센서 웨이퍼를 연삭하여 상기 이미지 센서 웨이퍼의 두께를 감소시키는 단계; 및 상기 글라스 웨이퍼와 상기 이미지 센서 웨이퍼를 본딩하는 단계; 상기 이미지 센서 웨이퍼 뒷면에 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 자외선 차단필터를 코팅한 글라스 웨이퍼의 크기는 4, 6, 8, 10, 12인치 가운데 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 폴리머 격벽은 감광성 폴리머 재료인 폴리이미드, 벤조시클로부텐, 감광제 중 1종 이상의 물질을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 폴리머 격벽은 격자 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 폴리머 격벽은 5~20㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 이미지 센서 웨이퍼는 상기 글라스 웨이퍼와 동일한 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 이미지 센서 웨이퍼를 연삭하여 감소시킨 상기 이미지 센서 웨이퍼의 두께는 100~200㎛ 인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 글라스 웨이퍼와 상기 이미지 센서 웨이퍼를 본딩하는 방법은 웨이퍼 열압착 공정에 의한 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 관통홀은 심층 반응성 이온식각법, 레이저 드릴링 중 선택되는 1종의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 2항에 있어서, 상기 관통홀의 크기는 그 직경이 100~200㎛ 인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 이미지 센서 웨이퍼에 형성된 관통홀을 전기적 통전물질로 채우는 단계는금속패드를 제외한 나머지 부분에 절연층을 형성하는 단계; 상기 이미지 센서 웨이퍼 표면 및 관통홀에 씨드 금속층을 형성하는 단계; 상기 씨드 금속층 상부에 금속물질을 이용하여 채움 공정을 수행하는 단계;상기 관통홀에만 금속물질이 존재하도록 상기 금속물질을 연삭하여 상기 이미지 센서 웨이터 뒷면을 평탄화하는 단계; 및 상기 이미지 센서 웨이퍼 뒷면 중 관통홀에 형성된 부분을 제외한 나머지 부분에 폴리머 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 12항에 있어서, 상기 절연층은 SiO2를 이용하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 12항에 있어서, 상기 절연층은 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 12항에 있어서, 상기 씨드 금속층은 Ti/Cu 스퍼터링을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 12항에 있어서, 상기 평탄화 공정 이후에 이미지 센서 웨이퍼 두께는 50~150㎛인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 12항에 있어서, 상기 관통홀 내부에는 Cu, Ag, Ni, Au 중 선택되는 1종 이상의 금속물질이 채워지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 통전물질 말단에 솔더 범프를 형성하고 회로 형성된 PCB기판과 연결하는 단계는상기 관통홀 말단에 언더범프 금속을 형성하고 상기 언더범프 금속상부에 솔더볼을 형성하는 단계; 및 상기 솔더볼이 형성된 이미지 센서 모듈을 PCB기판에 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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제 18항에 있어서, 상기 언더범프 금속은 무전해 Ni/Au 도금층인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제작방법
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자외선 차단필터가 코팅된 글라스 웨이퍼; 신호의 입출력을 위한 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀에는 Cu, Ag, Ni, Au 중 선택되는 1종 이상의 금속물질이 채워지며, 상기 금속물질의 말단에는 회로와의 연결을 위한 솔더범프가 형성된 이미지 센서 웨이퍼 및 상기 솔더범프와 전기적으로 연결된 PCB기판을 포함하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
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제 20항에 있어서, 상기 글라스 웨이퍼와 상기 이미지 센서 웨이퍼 사이에는 본딩을 위한 폴리머 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
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제 20항에 있어서, 상기 관통홀의 상부에는 이미지 센서 칩과의 전기적 신호연결을 위한 금속 패드가 포함되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
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제 20항에 있어서, 상기 관통홀 하부에는 솔더볼과의 접속을 위하여 언더범프 금속을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
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제 24항에 있어서, 상기 언더범프 금속은 무전해 Ni/Au 도금층인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
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제 20항에 있어서, 상기 솔더범프가 형성되는 이미지 센서 웨이퍼 면은 상기 솔더범프가 형성된 부분을 제외한 부분에 무전해 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
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