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폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터의 미세패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015114659
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.본 발명은 저 공차 특성을 갖는 폴리머/세라믹 복합 필름을 사용하여 금속/절연체/금속(Metal/Insulator/Metal, MIM) 구조의 내장형 커패시터를 형성할 때 상부 금속(metal) 전극을 일부 식각하여 제거하고, 남은 상부 금속 전극을 마스크(mask)로 사용하여 기판의 전면에 도포되어 있는 폴리머/세라믹 복합 커패시터 필름을 제거하여 저 공차 특성을 갖는 커패시터 소자를 기판의 국부적인 면적에 미세 패턴이 되도록 형성하는 방법을 제공하고자 한다.본 발명은 기판 위에 금속이 부착된 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름을 접착하는 단계, 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름 상부의 금속을 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계, 상부전극이 형성되지 않은 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름을 제거하는 단계를 포함하여 기판 위에서 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터의 미세 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL H05K 1/16 (2006.01)
CPC H05K 1/162(2013.01) H05K 1/162(2013.01) H05K 1/162(2013.01) H05K 1/162(2013.01)
출원번호/일자 1020060017613 (2006.02.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0693438-0000 (2007.03.05)
공개번호/일자 10-2006-0022311 (2006.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20070312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백경욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 현진걸 대한민국 경기 용인시 풍
3 이상용 대한민국 충북 충주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0132560-63
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0730255-59
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
기판 위에 금속이 부착된 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름을 접착하는 단계,폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름 상부의 금속을 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계,상부전극이 형성되지 않은 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름을 제거하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터의 미세패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 기판은 금속기판 또는 금속이 도금된 기판 임을 특징으로 하는 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름에서 폴리머는 방향족 폴리에스터, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리아크릴레이트, 폴리불화비닐리덴, 페녹시 레진, 에폭시, 폴리이미드, 불포화 폴리에스터, BCB(Benzocyclo butane) 중에서 선택된 어느 하나 이상 임을 특징으로 하는 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름에서 세라믹은 BaTiO3, PMN-PT(Pb(Mg,Nb)O-PbTiO), BST((Ba,Sr)TiO3), PZT((Pb,Zr)TiO3), SrTiO3, CaTiO3, (Ba,Ca)TiO3 중에서 선택된 어느 하나 이상 임을 특징으로 하는 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 플라즈마 식각법(plasma etching), 반응성 이온 식각법(Reactive Ion Etching, RIE), 이온빔밀링법(ion beam milling), 마이크로파 플라즈마 식각법(microwave plasma etching), 스퍼터(sputter) 식각, 그리고 RF(radio-frequency) 식각, 샌드 블라스팅(Sand blasting) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 건식 식각 방법으로 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름의 폴리머를 제거함을 특징으로 하는 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 초음파를 이용한 식각, 세라믹을 용해시킬 수 있는 용액을 이용한 식각, 세라믹을 용해시킬 수 있는 용액내에서 초음파를 이용한 식각 중에서 선택된 어느 하나 이상의 습식식각으로 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터 필름의 세라믹을 제거함을 특징으로 하는 형성방법
7 7
제6항에 있어서, 세라믹을 용해시킬 수 있는 용액은 물, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤(Methyl Ethyl Kepton, MEK), 톨루엔(Toluene) 중에서 선택된 어느 하나 이상 임을 특징으로 하는 형성방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.