요약 | 본 발명은 감광성 물질을 함유하는 접착제를 웨이퍼상에 도포하는 단계; 상기 접착제를 노광하여 소정 형상의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 개별칩으로 다이싱하는 단계를 포함하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 및 이에 사용되는 접착제 조성물을 제공한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 23/12 (2006.01) |
CPC | H01L 24/26(2013.01) H01L 24/26(2013.01) H01L 24/26(2013.01) H01L 24/26(2013.01) H01L 24/26(2013.01) H01L 24/26(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020060024928 (2006.03.17) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0777806-0000 (2007.11.13) |
공개번호/일자 | 10-2007-0094345 (2007.09.20) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20071122) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2006.03.17) |
심사청구항수 | 13 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 백경욱 | 대한민국 | 대전시 유성구 |
2 | 손호영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 정창규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.03.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0189464-02 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0018588-87 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0235897-52 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0483369-15 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.07.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0483368-70 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0578748-68 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 노볼락, 노볼락-디아조키논, 시클로알리파틱, DGBEA, 노볼락 혹은 비스페놀 A 타입의 수지 및 아크릴릭 계열의 수지의 혼합수지, 리소올, 페놀 및 아지드화물 계열의 수지의 군에서 선택되어지는 1종 또는 2종 이상의 수지인 감광성 물질을 함유하는 접착제를 웨이퍼상에 가압착, 스핀코팅, 디스펜싱, 닥터블레이드법 또는 매니스커스 코팅의 방법으로 도포하는 단계; 상기 접착제를 노광하여 소정 형상의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 개별칩으로 다이싱하는 단계를 포함하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 접착제는 전도성 접착제 또는 비전도성 접착제인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
3 |
3 제 1항에 있어서, 접착제는 이방성 전도성 접착제인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
4 |
4 제 3항에 있어서, 니켈/금층이 얇게 코팅된 폴리머 고분자볼, 또는 금도금된 니켈분말 또는 은분말을 도전볼로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
5 |
5 제 1항에 있어서, 접착제는 고상의 페녹시 수지, 또는 고상의 비스페놀 A 타입과 액상의 비스페놀 F 타입의 혼합수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
6 |
6 제 1항에 있어서, 웨이퍼상에 도포되는 접착제는 필름 또는 페이스트인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
7 |
7 제1항에 있어서, 접착제는 알루미나, 베릴리아, 실리콘카바이드 또는 실리카 분말의 비도전입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
8 |
8 삭제 |
9 |
9 제1항에 있어서, 패턴형성에 의해 칩 온 보드(COB), 칩 온 플렉스(COF)용 이미지 센서칩의 센싱영역 또는 스크라이빙 영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 제 1항에 있어서, 웨이퍼 상에서 상기 접착제의 도포는 B-스테이지 상태인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
12 |
12 제 1항에 있어서, 접착제는 빛을 받아 양성 혹은 음성의 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
13 |
13 제 1항에 있어서, 접착제는 G-라인(436nm), I-라인(365nm) 자외선, KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), 또는 F2 레이저(157nm)에 의한 감광특성을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
14 |
14 제 1항에 있어서, 패턴은 접착제의 노광후 빛에 의해 약해진 부분이 담금현상법, 스프레이 현상법, 또는 드라이 에칭법에 의해 현상되어 제거되어 형성되어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
15 |
15 제 1항에 있어서, 다이싱을 수행한 후 경화가 일어나지 않는 조건하에 접착제내에 흡수된 수분을 건조하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 |
16 |
16 삭제 |
17 |
17 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0777806-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20060317 출원 번호 : 1020060024928 공고 연월일 : 20071122 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071029 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 23/12 발명의 명칭 : 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 및 접착제 조성물 존속기간(예정)만료일 : 20161114 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
2 |
(권리자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
2 |
(의무자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
3 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
3 |
(의무자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 391,500 원 | 2007년 11월 14일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2010년 11월 01일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2011년 11월 02일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2012년 01월 11일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 594,000 원 | 2013년 10월 30일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 594,000 원 | 2014년 10월 29일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 594,000 원 | 2015년 10월 29일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2006.03.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0189464-02 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2007.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0018588-87 |
4 | 의견제출통지서 | 2007.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0235897-52 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0483369-15 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.07.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0483368-70 |
7 | 등록결정서 | 2007.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0578748-68 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술번호 | KST2014065493 |
---|---|
자료제공기관 | 미래기술마당 |
기술공급기관 | 한국과학기술원 |
기술명 | 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 및 접착제 조성물 |
기술개요 |
본 발명은 감광성 물질을 함유하는 접착제를 웨이퍼상에 도포하는 단계; 상기 접착제를 노광하여 소정 형상의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 개별칩으로 다이싱하는 단계를 포함하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 및 이에 사용되는 접착제 조성물을 제공한다. |
개발상태 | 유사환경 테스트 |
기술의 우수성 |
1) Technology Platform
- COB 및 COF 형태의 이미지 센서 모듈 등에서 요구되는 접착제의 펀칭공정을 웨이퍼상에서 노광공정을 통해 간단히 구현할 수 있는 신규한 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 함 - COB 및 COF 형태의 이미지 센서 모듈 등에서 요구되는 접착제의 펀칭공정을 웨이퍼상에서 노광공정을 통해 간단히 구현할 수 있는 웨이퍼레벨의 패키지 제조용 접착제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 함 2) Discovery and Achievements - 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 감광성 물질을 함유하는 접착제를 웨이퍼상에 도포하는 단계, 상기 접착제를 노광하여 소정 형상의 패턴을 형성하는 단계 및 상기 웨이퍼를 개별칩으로 다이싱하는 단계를 포함하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법을 제공함. 또한 본 발명은 노광공정에 의한 패턴 형성이 가능한 감광성 물질을 함유하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조용 접착제 조성물을 제공함 - COB 및 COF 형태의 이미지 센서 모듈 등에서 요구되는 접착제의 펀칭공정을 웨이퍼상에서 노광공정을 통해 간단히 구현할 수 있어, 기존의 단일칩 패키지에 비해 공정단계 및 원가절감 효과가 기대됨 |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 |
1) 시장규모 현황 및 성장률 전망 - 반도체용 폴리머 재료 시장은 2011년 2억 7,400만 달러를 기록, 앞으로는 플립-칩 웨이퍼 범핑, 팬-인 웨이퍼 레벨 칩사이즈 패키지(WLCSP), 3차원 웨이퍼 레벨 패키지(WLP), 팬아웃 WLP, 2.5차원 유리/실리콘 인터포저, 3차원 IC 패키지 등이 보급되면서 급속히 성장할 전망이며, 향후 5년간 연평균 성장률은 26%가 될 것으로 예상 - 시장조사업체 가트너에 따르면, 반도체 패키징 시장은 2011년 184억 달러에서 2014년 229억 달러 규모로 성장할 전망으로 연평균 8%를 상회함. 반도체 후공정 시장은 2010년 217억 달러에서 2014년 306억 달러에 이를 것으로 전망 2) 주요경쟁사, 연구그룹 및 관련제품 현황 - 현재의 패키지 기술은 대부분 시스템 업체나 컴포넌트 업체의 요구에 따라 개발되고 있음 - 반도체 패키지 시장에서 CSP의 분야는 국내의 경우 웨이퍼레벨 패키징이 거의 실현되었으며 다이와 최종 패키지 사이의 전기적 테스트 데이터 상관관계는 거의 신뢰성 수준 확인단계에 도달한 것으로 파악됨 |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1350013457 |
---|---|
세부과제번호 | R11-2000-085-08005-0 |
연구과제명 | 3-DstackSIP용decoupling/bypass용내장형커패시터재료및공정기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~200902 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1410030576 |
---|---|
세부과제번호 | b0008643 |
연구과제명 | 특허경비지원 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200604~201103 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1440002000 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-S-056-01 |
연구과제명 | IT부품용이방성도전접속제(ACF) |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
연구주관기관명 | 엘지전자 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~200702 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1350013457 |
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세부과제번호 | R11-2000-085-08005-0 |
연구과제명 | 3-DstackSIP용decoupling/bypass용내장형커패시터재료및공정기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~200902 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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