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탄소 나노 튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009214
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소 나노 튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판과, 게이트 전극과, 게이트 절연층과, 소오스 및 드레인 전극과, 상기 소오스 및 드레인 전극과 접속하여 형성된 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 수산화이온 함유 물질에 의해 표면 처리된 탄소 나노 튜브로 이루어지도록 함으로서, 탄소 나노 튜브에 대한 반도체 성질을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. 탄소나노튜브, 수산화나트륨, 표면처리
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01)
출원번호/일자 1020090026548 (2009.03.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1064423-0000 (2011.09.05)
공개번호/일자 10-2010-0108078 (2010.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
2 허건의 대한민국 경기도 남양주시
3 이근우 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김경민 대한민국 부산광역시 부산진구
5 정태훈 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0186927-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058748-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0546603-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0077753-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0077757-98
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0458215-92
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0640115-58
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0497239-35
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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2 2
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4 4
(a) 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 소오스 및 드레인 전극과 접속하여 활성층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 활성층은 수산화이온 함유 물질에 의해 표면 처리된 탄소 나노 튜브로 이루어지되, 상기 탄소 나노 튜브의 표면처리는, (a') 수산화이온 함유 물질이 혼합된 용액을 이용하여 탄소 나노 튜브를 표면처리하는 단계; (b') 세정용액을 이용하여 상기 수산화이온 함유 물질이 혼합된 용액을 제거하는 단계; 및 (c') 상기 표면 처리된 탄소 나노 튜브를 건조하여 상기 세정용액을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 반도체 소자의 제조방법
5 5
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6 6
제4 항에 있어서, 수산화이온 함유 물질이 혼합된 용액은 상기 수산화이온 함유 물질 및 에탄올 또는 탈이온수(D
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제4 항에 있어서, 상기 세정용액은 탈이온수(D
8 8
제4 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 전극과 접속하여 상기 표면 처리된 탄소 나노 튜브로 이루어진 활성층을 형성하는 방법은, 스핀코팅, 나노 임프란트 또는 잉크젯 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.