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열전 나노와이어 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009238
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판상에 열팽창계수가 서로 다른 산화물층과 열전물질을 적층한 후 열팽창계수의 차이에 따른 압축응력을 이용하여 열전물질로부터 단결정 열전 나노와이어를 성장시켜 제조된 열전 나노와이어 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 상면에 산화물층이 형성된 기판을 마련하는 공정; 상기 산화물층 상에 Al, Ag, Fe 또는 이들의 산화물로 이루어진 다수의 나노입자를 형성하는 공정; 상기 산화물층 상에 형성된 상기 다수의 나노입자를 포함하도록 그 산화물층 상에 열전특성을 갖는 열전물질 박막을 형성하는 공정; 상기 열전물질 박막이 형성된 기판을 열처리하여 상기 다수의 나노입자가 함유된 열전 나노와이어를 성장시키는 공정; 및 상기 열처리 공정 이후에 상기 기판을 상온에서 냉각시키는 공정; 을 포함하는 열전 나노와이어 제조방법을 제공한다. 열전 나노와이어, 열전물질, 산화물층, 열전특성, 나노입자, 열팽창계수, 열전도도, 성능지수(ZT)
Int. CL H01L 35/18 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) H01L 35/16 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020090002995 (2009.01.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0996675-0000 (2010.11.19)
공개번호/일자 10-2010-0083551 (2010.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20101125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울특별시 마포구
2 함진희 대한민국 서울특별시 양천구
3 이승현 대한민국 인천광역시 부평구
4 노종욱 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 김현수 대한민국 서울특별시 강북구
6 김우철 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0024043-28
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0432500-07
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2009.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0059232-53
4 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0069471-37
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0672876-10
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0677187-21
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0023653-68
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0492646-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
상면에 산화물층이 형성된 기판을 마련하는 공정; 상기 산화물층 상에 Al, Ag, Fe 또는 이들의 산화물로 이루어진 다수의 나노입자를 형성하는 공정; 상기 산화물층 상에 형성된 상기 다수의 나노입자를 포함하도록 그 산화물층 상에 열전특성을 갖는 열전물질 박막을 형성하는 공정; 상기 열전물질 박막이 형성된 기판을 열처리하여 상기 다수의 나노입자가 함유된 열전 나노와이어를 성장시키는 공정; 및 상기 열처리 공정 이후에 상기 기판을 상온에서 냉각시키는 공정; 을 포함하는 열전 나노와이어 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 열처리 공정에서, 상기 기판, 산화물층 및 열전물질 박막은 각각 서로 다른 열팽창계수를 가지며, 부피팽창이 큰 열전물질 박막은 부피팽창이 작은 산화물층에 의해 압축응력이 걸리는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 압축응력에 의해 상기 열전물질 박막으로부터 상기 열전 나노와이어가 성장하되, 상기 산화물층 상에 존재하는 다수의 나노입자를 그 내부로 유입하면서 성장하는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 산화물층과 열전물질 박막은 열팽창계수의 차이가 (2~20)×10-6/℃ 이고 상기 열전물질 박막이 더 큰 열팽창계수를 가짐을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 열전물질 박막은 Bi 또는 Bi-Se, Bi-Te, Pb-Te, Bi-Sb, Bi-Sb-Te, Bi-Se-Te의 합금 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 열전물질 박막을 냉각시키는 공정에서, 상기 기판, 산화물층 및 열전물질 박막은 각각 서로 다른 열팽창계수를 가지며, 부피수축이 큰 열전물질 박막은 부피수축이 작은 산화물층에 의해 인장응력이 걸리는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 산화물층은 SiO2, BeO, Mg2Al4Si5O18 중 선택된 어느 하나를 포함하고 그 두께를 3000~5000Å으로 형성함을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 열전물질 박막의 두께를 10㎚~4㎛로 형성함을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도는 100~1000℃로 하고 그 열처리 시간은 1~15시간으로 하는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 성장되는 열전 나노와이어는 단결정을 가지며, 50~1000㎚의 직경을 가짐을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 나노입자는 1~20㎚의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어 제조방법
12 12
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 기재된 제조방법으로 제조된 열전 나노와이어
13 13
Bi 또는 Bi-Se, Bi-Te, Pb-Te, Bi-Sb, Bi-Sb-Te, Bi-Se-Te의 합금 중 선택된 어느 하나로 이루어진 나노와이어; 및 Ag, Al, Fe 또는 이들의 산화물 중 선택된 어느 하나로 구성되며 상기 나노와이어에 함유된 다수의 나노입자; 를 포함하는 열전 나노와이어 소자
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 나노와이어는 단결정을 가지며 그 직경이 50~1000㎚임을 특징으로 하는 열전 나노와이어 소자
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 나노입자의 직경은 1~20㎚임을 특징으로 하는 열전 나노와이어 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02224505 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02224505 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP22166053 JP 일본 FAMILY
4 US20100175734 US 미국 FAMILY
5 WO2010082733 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2010082733 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2224505 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2224505 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2010166053 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2010175734 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2010082733 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2010082733 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 / 교육과학기술부 / 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업 / 특정연구개발 / BK21(국고) 나노기술을 이용한 바이오 융합산업 혁신 클러스터 / 나노 구조물을이용한초고효율열전소재및열전소자개발/BK21휴먼트로닉스정보소재사업단-3차년도