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나노와이어 밀도를 증대시킬 수 있는 나노와이어 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014009379
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 나노와이어 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 상부에 산화물층이 형성되어 있는 기판을 제공하는 단계와; (b) 상기 산화층층 상에 상기 산화물층의 열팽창 계수보다 큰 열팽창 계수를 갖는 박막을 형성하는 단계와; (c) 상기 박막이 형성된 기판을 반응로 내부에서 열처리를 수행하여 상기 박막을 구성하는 물질의 나노와이어를 성장시키는 단계로서, 상기 반응로 내부를 진공 환경이 아닌 수소 분위기로 만들어, 상기 반응로 내부를 비산소 분위기로 만들거나 상기 박막에 자연적으로 형성되는 자연 산화막을 환원시켜, 상기 박막에 자연 산화막이 형성되지 않도록 하는 수소 열처리를 수행함으로써, 상기 박막을 구성하는 물질의 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090010947 (2009.02.11)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1144744-0000 (2012.05.03)
공개번호/일자 10-2010-0091650 (2010.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울 마포구
2 함진희 대한민국 서울특별시 양천구
3 김현수 대한민국 서울특별시 강북구
4 이승현 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0083883-70
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0225878-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043342-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0035811-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0197588-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0197590-41
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0560209-33
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0945723-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0945738-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0253523-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
(a) 상부에 산화물층이 형성되어 있는 기판을 제공하는 단계와;(b) 상기 산화물층 상에 상기 산화물층의 열팽창 계수보다 큰 열팽창 계수를 갖는 박막을 형성하는 단계와;(c) 상기 (b) 단계에서 형성한 박막에 엣칭 공정을 통해 소정 깊이를 갖는 반복 모양의 패턴을 형성하는 단계와,(d) 상기 패턴이 형성된 박막이 증착되어 있는 기판을 반응로 내부에서 열처리하여, 상기 박막에 압축응력을 유발시킴으로써, 상기 박막을 구성하는 물질의 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 (d) 단계에서의 열처리는 (i) 진공 분위기 하에서 수행하는 열처리이거나, 또는 (ii) 상기 반응로 내부를 진공 환경이 아닌 수소 분위기로 만들어, 상기 반응로 내부를 비산소 분위기로 만들거나 상기 박막에 자연적으로 형성되는 자연 산화막을 환원시켜, 상기 박막에 자연 산화막이 형성되지 않도록 하는 수소 열처리인 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
5 5
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 반복 모양의 패턴은 사각형으로 이루어지는 모양으로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 패턴을 구성하는 각각의 사각형은 그 변을 공유하지 않는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 각각이 사각형은 그 평면 크기가 100㎛×100㎛인 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
8 8
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 반복 모양의 패턴은 원형으로 이루어지는 모양으로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
9 9
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 (b) 단계 전에 상기 산화물층 상에 복수의 입자를 분산시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 입자의 열팽창 계수는 상기 박막의 열팽창 계수보다 작은 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 박막을 구성하는 물질은 Bi 또는 BixTe1-x인 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 Bi 또는 BixTe1-x 나노와이어는 단결정인 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시/ 교육과학기술부 연세대학교 산업협력단 서울시 산학연 협력사업(2006년 기술기반구축사업)/ 특정연구개발 나노기술을 이용한 바이오 융합산업 혁신클러스터/ 나노 구조물을 이용한 초고효율열전소재 및 열전소자개발