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마스크 기판;상기 마스크 기판의 상부에 스캐터러층과 스페이서막이 교대로 형성되는 다층박막층;상기 다층박막층의 상부에 형성되는 캡핑층;상기 캡핑층 상부의 일부에 형성되는 위상반전막;상기 위상반전막의 상부에 형성되는 스페이서막; 및상기 스페이서막의 상부에 형성되는 어테뉴에이터막;을 포함하며, 기판과의 위상이 반전되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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제1항에 있어서,상기 위상반전막은 Mo으로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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제1항에 있어서,상기 스페이서막은 Al2O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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제1항에 있어서,상기 어테뉴에이터막은 TaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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제1항에 있어서,상기 위상반전막은 28nm 내지 33nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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제1항에 있어서,상기 스페이서막은 18nm 내지 22nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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제1항에 있어서,상기 어테뉴에이터막은 3nm 내지 4nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크
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마스크 기판의 상부에 Mo층과 Si층을 교대로 증착하여 다층박막층을 형성하는 단계;상기 다층박막층의 상부에 Ru를 증착하여 캡핑층을 형성하는 단계;상기 캡핑층의 상부에 위상반전막을 증착하여 형성하는 단계;상기 위상반전막의 상부에 스페이서막을 형성하는 단계; 및상기 스페이서막의 상부에 어테뉴에이터막을 증착하여 형성하는 단계;로 실행하는 것을 특징으로 하는 제1항의 위상 반전 마스크의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 위상반전막과 스페이서막 및 어테뉴에이터막을 패터닝하는 단계를 더 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 위상반전막은 Mo로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 스페이서막은 Al2O3으로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 어테뉴에이터막은 TaN으로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법
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제9항에 있어서,상기에서 실행하는 패터닝하는 단계는 e-beam 노광공정에 의해 형성시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 위상 반전 마스크는 기판과의 위상 차이가 180도인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법
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