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아연산화물 반도체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013574
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연산화물 반도체 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 안착시키고, 도판트가 활성화되도록 아연산화물 박막을 급속 열처리하는 것을 특징으로 한다. 본발명에 의하면, 아연산화물 박막을 급속 열처리함으로써 도판트 및 산소가 확산할 시간을 주지 않기 때문에 도판트의 확산으로 인한 도핑 농도의 불균일이나 도핑 효율의 감소를 방지할 수 있고, 전기 광학적 특성이 향상된 n형 아연산화물 반도체를 제작할 수 있으므로 발광다이오드, 레이저 다이오드, 및 자외선 센서 등의 광전 소자의 개발에 기여할 수 있으며 특히, 상온에서 다결정으로 성장된 알루미늄이 도핑된 아연산화물 박막의 경우에 급속 열처리를 통해서 전기적 광학적 특성을 크게 향상될 뿐 만 아니라, 열처리를 실시하기 위하여 반응기 내의 분위기를 반드시 산소 분위기로 형성할 필요가 없이 여러 종류의 기체 분위기에서도 가능하게 됨으로써 아연산화물 반도체를 이용한 광전소자를 용이하게 제작할 수 있다. 급속열처리, 활성화, 화합물 반도체, 아연산화물, 캐리어농도, 캐리어이동도
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02175(2013.01) H01L 21/02175(2013.01) H01L 21/02175(2013.01)
출원번호/일자 1020010017301 (2001.04.02)
출원인 광주과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0421800-0000 (2004.02.25)
공개번호/일자 10-2002-0077557 (2002.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20040310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.04.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시북구
2 김경국 대한민국 광주광역시북구
3 이지면 대한민국 광주광역시북구
4 김민호 대한민국 광주광역시북구
5 최원국 대한민국 서울특별시양천구
6 정형진 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2001-0074115-36
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2001-5095956-82
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2002-0026827-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0146022-26
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2003-5117814-93
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0266582-17
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-5163133-21
10 의견서
Written Opinion		 2003.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0349601-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
12 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0054427-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 장입시키고, 상기 도판트가 활성화되도록 상기 아연산화물 박막을 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 사파이어로 이루어지며, 상기 아연산화물 박막은 산화알루미늄이 2%의 무게 비율로 첨가된 산화아연을 타겟으로 사용하여 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 반응기 내의 온도는 초당 1∼100℃로 상승되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

4 4

제 3항에 있어서, 상기 반응기 내의 온도는 500∼1500℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

5 5

제 4항에 있어서, 상기 반응기 내의 온도는 10초∼30분 동안 유지되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 상기 반응기의 분위기는 수소, 산소, 질소, 아르곤, 과산화질소, 아산화질소, 및 이산화질소 기체로 이루어진 군으로부터 선택되어진 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

7 7

제 1항에 있어서, 상기 도판트는 알루미늄, 인듐, 갈륨, 및 붕소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 이루어지는 n형 도판트이며, 상기 아연산화물은 상기 n형 도판트 또는 n형도판트의 산화물이 첨가된 n형 아연산화물인 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

8 8

제 1항에 있어서, 상기 도판트는 리튬, 나트륨, 칼륨, 질소, 인, 비소, 및 니켈로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 이루어지는 p형 도판트이며, 상기 아연산화물은 상기 p형 도판트 또는 p형도판트의 산화물이 첨가된 p형 아연산화물인 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

9 9

제 1항에 있어서, 상기 도판트는 알루미늄, 인듐, 갈륨, 및 붕소로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어지는 n형 도판트 또는 n형도판트의 산화물과 리튬, 나트륨, 칼륨, 질소, 인, 비소, 및 니켈로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어지는 p형 도판트 또는 p형도판트의 산화물이 혼합된 것이며, 상기 아연산화물은 상기 p형 도판트 또는 상기 p형 도판트 산화물의 농도가 상기 n형 도판트 또는 상기 n형 도판트 산화물의 농도보다 높게 첨가된 p형 아연산화물인 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.