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ＭＯＳＦＥＴ 반도체 소자용 고압수소열처리 방법
- 기술번호 : KST2015173946
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 본 발명은 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 관한 것으로써, 고압 수소 처리를 적용한 고유전율 절연막 소자에 과포화로 존재하는 수소를 효과적으로 제거함으로써, 소자의 신뢰성을 개선하는 것을 특징으로 한다.즉, 계면 전하를 줄여주기 위해서는 고농도, 고압의 수소 처리가 필수적이지만, 이 경우 수소가 고유전율 절연막의 계면과 벌크에 같이 함유되어서, 결과적으로 소자의 초기 동작특성은 계면에 존재하는 수소의 계면전하 패시베이션(passivation)으로 인해 개선되나, 소자의 신뢰성은 절연막 bulk에 남아있는 수소로 인해 악화되는 문제점이 발생한다. 따라서 본 발명에서는 이를 해결하기 위하여, 고압의 수소 처리 후, 후속열처리를 비활성 기체 분위기에서 장시간 실시함으로써, 벌크에 남아있는 수소분자를 효과적으로 제거하는 것을 특징으로 한다. 고유전율 절연막, 고압수소 열처리, 중수소, forming gas |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/314 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020050019192 (2005.03.08) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0715860-0000 (2007.05.01) |
| 공개번호/일자 | 10-2006-0098864 (2006.09.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20070511) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2005.03.08) |
| 심사청구항수 | 5 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황현상 | 대한민국 | 광주 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2005.03.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0122912-17 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.04.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0222691-15 |
| 3 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.06.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0416608-49 |
| 4 | 의견서 Written Opinion |
2006.06.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0416610-31 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.09.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0534441-03 |
| 6 | 의견서 Written Opinion |
2006.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0832733-95 |
| 7 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.11.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0832732-49 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.02.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0109105-54 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 있어서,상기 반도체 소자를 가스 분위기 하에서 20 내지 50기압 하에서 열처리하는 첫 번째 단계;상기 단계에서 열처리된 반도체 소자를 상기 단계의 가스와 다른 가스의 분위기 하에서 1 내지 10기압 하에서 열처리하는 두 번째 단계;를 포함하여 반도체의 전기적 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 첫 번째 단계에서 가스 분위기는 100% 수소인 것을 특징으로 하는 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 첫 번째 단계에서 가스 분위기는 100% 중수소인 것을 특징으로 하는 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 두 번째 단계에서 가스 분위기는 100% 질소인 것을 특징으로 하는 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 두 번째 단계에서 가스 분위기는 100% 아르곤인 것을 특징으로 하는 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20080166890 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | WO2006096009 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2008166890 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2006096009 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0715860-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20050308 출원 번호 : 1020050019192 공고 연월일 : 20070511 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070224 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : ＭＯＳＦＥＴ 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 175,500 원 | 2007년 05월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2010년 03월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2011년 04월 11일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2012년 04월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 290,000 원 | 2013년 04월 10일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 290,000 원 | 2014년 03월 26일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 290,000 원 | 2015년 03월 30일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 561,350 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 515,000 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 257,500 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 317,500 원 | 2019년 04월 01일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 317,500 원 | 2020년 04월 02일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2005.03.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0122912-17 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2006.04.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0222691-15 |
| 3 | 명세서등보정서 | 2006.06.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0416608-49 |
| 4 | 의견서 | 2006.06.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0416610-31 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2006.09.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0534441-03 |
| 6 | 의견서 | 2006.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0832733-95 |
| 7 | 명세서등보정서 | 2006.11.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0832732-49 |
| 8 | 등록결정서 | 2007.02.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0109105-54 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1355052282 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
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