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아연산화물을 이용한 ｐ－ＡｌＧａＩｎＮ 화합물 반도체의오믹접촉 투명전극층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015173929
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-AlxGayInzN(0≤x, y, z≤1, x+y+z=1) 화합물 반도체층 상에 아연 산화물층을 적층하고 상기 아연 산화물층이 p-AlxGayInzN 화합물 반도체층(120)에 오믹접촉되도록 상기 결과물을 100~1200℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 한다. 상기 열처리는 아르곤, 질소 및 산소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 행해지는 것이 바람직하다. 상기 아연 산화물층은 인듐 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 및 알루미늄 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 불순물로서 포함할 수 있다. 상기 아연 산화물층은 1~1000nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 열처리는 1초 내지 3시간 동안 행하는 것이 바람직하다. 투명전극층으로서 아연산화물층을 사용하면, 아연산화물의 우수한 열적 안정성 및 투광성으로 인해서 우수한 광방출효율을 갖는 발광소자를 제조할 수 있으며, 발광소자의 고온 열처리에 의한 특성 저하를 방지할 수 있게 된다. 아연 산화물, 열처리, 오믹접촉, 투명전극, ＧａＮ
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/28026(2013.01) H01L 21/28026(2013.01) H01L 21/28026(2013.01)
출원번호/일자 1020040021770 (2004.03.30)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0543414-0000 (2006.01.09)
공개번호/일자 10-2005-0097051 (2005.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시북구
2 임재홍 대한민국 광주광역시북구
3 황대규 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0132314-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0052470-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0480518-85
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0668693-63
7 의견서
Written Opinion		 2005.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0753357-10
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0753370-04
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0010145-47
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p-AlxGayInzN(0≤x, y, z≤1, x+y+z=1) 화합물 반도체층 상에 인듐 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 및 알루미늄 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 아연 산화물층을 적층하고, 상기 아연 산화물층이 상기 p-AlxGayInzN 화합물 반도체층에 오믹접촉되도록 상기 결과물을 100~1200℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 열처리는 아르곤, 질소 및 산소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 행해지는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 p-AlxGayInzN 화합물 반도체층의 p형 도펀트로서 Be, Mg, Ca, Zn, 및 Cd으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 아연 산화물층이 1~1000nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 열처리가 1초 내지 3시간 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 아연 산화물층을 적층하기 이전에 염산, 인산, 수산화칼륨, 또는 왕수로 상기 p-AlxGayInzN 화합물 반도체층의 표면을 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
8 7
제1항에 있어서, 상기 아연 산화물층을 적층하기 이전에 염산, 인산, 수산화칼륨, 또는 왕수로 상기 p-AlxGayInzN 화합물 반도체층의 표면을 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 투명전극층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.